SiC 陶瓷托盤是專為先進的晶圓加工和半導體製造環境而設計的高性能碳化矽載體。這些陶瓷托盤採用高純度碳化矽 (SiC) 陶瓷材料製成，具有極佳的熱穩定性、高機械強度和優異的耐化學性，適合要求嚴苛的高溫應用。.

SiC 陶瓷托盤廣泛應用於半導體製程中，例如：

• LPCVD / CVD 加工
• 晶圓退火
• 擴散
• 氧化
• 磊晶 (EPI)
• 高溫燒結
• 半導體熱處理

適用於

• 2 吋晶圓加工
• 4 吋晶圓加工
• 6 吋晶圓加工
• 8 吋晶圓加工
• 客製化晶圓尺寸與結構

這些托盤可確保在整個製造過程中提供絕佳的晶圓支撐、溫度均勻性和污染控制。.

產品特色

優異的耐高溫性能

碳化矽陶瓷托盤在極端溫度下仍能保持出色的穩定性，是半導體爐應用和熱處理系統的理想選擇。.

優勢：

• 優異的抗熱震性
• 快速加熱與冷卻時的穩定效能
• 連續高溫操作下的長使用壽命

高機械強度

與傳統陶瓷材料相比，SiC 托盤具有更高的硬度和抗彎強度，可降低加工過程中的變形或開裂風險。.

效益：

• 高承重能力
• 極佳的尺寸穩定性
• 適用於自動化晶圓處理系統
• 降低維護頻率

出色的耐化學性

SiC 陶瓷托盤對半導體製造過程中常用的腐蝕性化學品和反應性製程氣體具有高度耐受性。.

耐：

• 酸
• 鹼
• 腐蝕性氣體
• 化學蒸汽

這可確保在嚴苛製程環境下的長期可靠性。.

優異的熱傳導性

碳化矽的高導熱性可讓熱能快速、均勻地傳送至托盤表面。.

加工效益：

• 改善晶圓溫度均勻性
• 減少熱梯度
• 增強製程一致性
• 降低晶圓缺陷率

低熱膨脹

低熱膨脹係數有助於在重複的熱循環中保持結構精度。.

結果：

• 減少翹曲
• 更好的晶圓對位
• 提高生產穩定性

半導體級純度

托盤使用 99.9% 高純度碳化矽材料製造，有助於減少微粒污染，並支援無塵室半導體生產標準。.

技術規格

財產	價值
材質	碳化矽 (SiC)
純淨	99.9%
顏色	黑色
密度	3.14 g/cm³
彎曲強度	410 MPa
楊氏模數	430 GPa
泊松比	0.17
斷裂韌性	2-3 MPa-m1/2
熱膨脹係數	4.1 × 10-⁶/K
熱傳導	170 W/m-K

SiC 製造技術比較

製造方法	特點	典型應用
無壓燒結 SiC	高純度與熱穩定性	半導體晶圓托盤
熱壓SiC	更高的機械強度	結構陶瓷零件
CVD SiC	超高純度表面	先進半導體設備
Si-SiC	具成本效益的解決方案	工業爐部件

SiC 陶瓷托盤的應用

半導體晶圓製程

廣泛用於晶圓承載盤和支撐盤：

• LPCVD 系統
• CVD 系統
• 擴散爐
• 氧化爐
• 退火設備
• 半導體熱反應器

相容於：

• 矽晶圓
• 藍寶石晶片
• SiC 晶圓
• GaN 晶圓
• 化合物半導體基板

高溫燒結

非常適合需要先進陶瓷和粉末燒結的應用：

• 熱穩定性
• 抗氧化性
• 操作壽命長

化學加工設備

由於具有優異的耐腐蝕性，適用於侵蝕性的化學環境。.

應用包括

• 化學反應器
• 半導體濕式加工
• 腐蝕性氣體環境

光學與精密製造

提供穩定的支援：

• 光學基板
• 藍寶石光學元件
• 精密陶瓷零件

航太與工業熱系統

用於要求下列條件的行業：

• 輕量高強度材料
• 散熱管理
• 耐腐蝕組件

客製化服務

我們可根據客戶需求提供客製化 SiC 陶瓷托盤解決方案。.

可用的自訂選項

• 自訂尺寸
• 多晶片托盤設計
• 槽和溝槽加工
• 精密鑽孔
• 表面拋光
• 特殊塗層
• 客製化熱處理相容性

SiC 陶瓷托盤的優勢

與石英、氧化鋁和石墨托盤相比，碳化矽陶瓷托盤具有以下優點：

效能	SiC 陶瓷托盤
熱傳導	極佳
抗熱衝擊	極佳
機械強度	極佳
耐腐蝕性	極佳
尺寸穩定性	極佳
服務壽命	長

常見問題

SiC 陶瓷托盤可以客製化嗎？

是的。我們根據客戶的晶圓規格和設備要求，支援客製化的尺寸、結構、溝槽和加工設計。.

支援哪些晶圓尺寸？

托盤可設計用於

• 2 吋晶圓
• 4 吋晶圓
• 6 吋晶圓
• 8 吋威化餅
• 較大尺寸的客製化晶圓規格

SiC 托盤是否適用於半導體爐應用？

SiC 陶瓷托盤專為高溫半導體製程環境而設計，具有極佳的熱穩定性和耐用性。.