SiC kerámia tálca ostyafeldolgozáshoz és egyedi félvezető alkalmazásokhoz

A SiC kerámia tálca egy nagy teljesítményű szilícium-karbid hordozó, amelyet fejlett ostyafeldolgozási és félvezetőgyártási környezetekhez terveztek. A nagy tisztaságú szilícium-karbid (SiC) kerámia anyagból készült tálcák kivételes hőstabilitást, nagy mechanikai szilárdságot és kiváló kémiai ellenállást biztosítanak az igényes, magas hőmérsékletű alkalmazásokhoz.

A SiC kerámia tálca egy nagy teljesítményű szilícium-karbid hordozó, amelyet fejlett ostyafeldolgozási és félvezetőgyártási környezetekhez terveztek. A nagy tisztaságú szilícium-karbid (SiC) kerámia anyagból készült tálcák kivételes hőstabilitást, nagy mechanikai szilárdságot és kiváló kémiai ellenállást biztosítanak az igényes, magas hőmérsékletű alkalmazásokhoz.

A SiC kerámia tálcákat széles körben használják a félvezetőgyártási folyamatokban, mint például:

  • LPCVD / CVD feldolgozás
  • Wafer lágyítás
  • Diffúzió
  • Oxidáció
  • Epitaxis (EPI)
  • Magas hőmérsékletű szinterezés
  • Félvezető hőkezelés

Elérhető:

  • 2 hüvelykes ostyafeldolgozás
  • 4 hüvelykes ostyafeldolgozás
  • 6 hüvelykes ostyafeldolgozás
  • 8 hüvelykes ostyafeldolgozás
  • Testreszabott ostyaméretek és struktúrák

Ezek a tálcák kiváló ostyatartást, egyenletes hőmérsékletet és szennyeződés-ellenőrzést biztosítanak a gyártási folyamat során.


A termék jellemzői

Kiváló magas hőmérsékleti ellenállás

A szilícium-karbid kerámiatálcák szélsőséges hőmérsékleten is kiváló stabilitást biztosítanak, így ideálisak félvezető kemencék és hőkezelő rendszerek számára.

Előnyök:

  • Kiváló termikus sokkállóság
  • Stabil teljesítmény gyors fűtés és hűtés közben
  • Hosszú élettartam folyamatos magas hőmérsékletű üzemelés mellett

Nagy mechanikai szilárdság

A hagyományos kerámiaanyagokhoz képest a SiC tálcák kiváló keménységet és hajlítószilárdságot kínálnak, csökkentve a feldolgozás során bekövetkező deformáció vagy repedés kockázatát.

Előnyök:

  • Nagy teherbíró képesség
  • Kiváló méretstabilitás
  • Alkalmas az automatizált ostyakezelő rendszerekhez
  • Csökkentett karbantartási gyakoriság

Kiváló kémiai ellenállás

A SiC kerámia tálcák rendkívül ellenállóak a félvezetőgyártásban általánosan használt maró vegyszerekkel és reaktív technológiai gázokkal szemben.

Ellenáll:

  • Savak
  • Lúgok
  • Korrozív gázok
  • Kémiai gőzök

Ez biztosítja a hosszú távú megbízhatóságot a zord technológiai környezetekben.


Kiváló hővezető képesség

A szilícium-karbid nagy hővezető képessége gyors és egyenletes hőátadást tesz lehetővé a tálca felületén.

Feldolgozási előnyök:

  • Javított wafer-hőmérséklet egyenletesség
  • Csökkentett hőgradiensek
  • Fokozott folyamat-konzisztencia
  • Alacsonyabb wafer hibaarány

Alacsony hőtágulás

Az alacsony hőtágulási együttható segít megőrizni a szerkezeti pontosságot az ismételt hőciklusok során.

Eredmény:

  • Csökkentett torzulás
  • Jobb wafer igazítás
  • Javított termelési stabilitás

Félvezető tisztaságú tisztaság

A 99,9% nagytisztaságú szilíciumkarbid anyagból készült tálcák segítenek minimalizálni a részecskeszennyezést és támogatják a tisztaszobai félvezetőgyártási szabványokat.


Műszaki specifikációk

Ingatlan Érték
Anyag Szilícium-karbid (SiC)
Tisztaság 99.9%
Színes Fekete
Sűrűség 3,14 g/cm³
Hajlítószilárdság 410 MPa
Young modulus 430 GPa
Poisson-szám 0.17
Törésszilárdság 2-3 MPa-m1/2
Hőtágulási együttható 4.1 × 10-⁶/K
Hővezető képesség 170 W/m-K

SiC gyártási technológia összehasonlítás

Gyártási módszer Jellemzők Tipikus alkalmazások
Nyomásmentes szinterezett SiC Nagy tisztaság és hőstabilitás Félvezető ostyatálcák
Forrón préselt SiC Nagyobb mechanikai szilárdság Szerkezeti kerámia alkatrészek
CVD SiC Rendkívül nagy tisztaságú felület Fejlett félvezető berendezések
Si-SiC Költséghatékony megoldás Ipari kemence alkatrészek

SiC kerámia tálcák alkalmazásai

Félvezető szeletek feldolgozása

Széles körben használják ostyatartóként és tartó tálcaként a következőkben:

  • LPCVD rendszerek
  • CVD rendszerek
  • Diffúziós kemencék
  • Oxidációs kemencék
  • Izzasztó berendezés
  • Félvezető termikus reaktorok

Kompatibilis a következőkkel:

  • Szilícium ostyák
  • Zafír ostya
  • SiC ostyák
  • GaN ostyák
  • Összetett félvezető szubsztrátumok

Magas hőmérsékletű szinterezés

Ideális fejlett kerámia- és porszinterezési alkalmazásokhoz, amelyek megkövetelik:

  • Hőstabilitás
  • Oxidációs ellenállás
  • Hosszú élettartam

Kémiai feldolgozó berendezések

Kiváló korrózióállósága miatt alkalmas agresszív kémiai környezetbe.

Az alkalmazások közé tartoznak:

  • Kémiai reaktorok
  • Félvezetők nedves feldolgozása
  • Korrozív gázos környezetek

Optikai és precíziós gyártás

Stabil támogatást nyújt a következőkhöz:

  • Optikai hordozók
  • Zafír optikai alkatrészek
  • Precíziós kerámia alkatrészek

Repülőgépipari és ipari termikus rendszerek

Olyan iparágakban használatos, amelyek megkövetelik:

  • Könnyű, nagy szilárdságú anyagok
  • Hőgazdálkodás
  • Korrózióálló alkatrészek

Testreszabási szolgáltatások

Egyedi SiC kerámia tálcás megoldásokat kínálunk az ügyfelek igényei szerint.

Elérhető egyéni opciók

  • Egyedi méretek
  • Multi-wafer tálca kialakítás
  • Vájat és horony megmunkálás
  • Precíziós lyukfúrás
  • Felület polírozása
  • Speciális bevonatok
  • Testreszabott termikus feldolgozási kompatibilitás

A SiC kerámia tálcák előnyei

A kvarc-, timföld- és grafittálcákkal összehasonlítva a szilícium-karbid kerámia tálcák:

Teljesítmény SiC kerámia tálca
Hővezető képesség Kiváló
Hősokk-ellenállás Kiváló
Mechanikai szilárdság Kiváló
Korrózióállóság Kiváló
Méretbeli stabilitás Kiváló
Élettartam Hosszú

GYIK

Testre szabható a SiC kerámia tálca?

Igen. Támogatjuk az egyedi méreteket, struktúrákat, hornyokat és feldolgozási terveket az ügyfél ostyaspecifikációknak és a berendezések követelményeinek megfelelően.


Milyen ostyaméretek támogatottak?

A tálcák a következőkre tervezhetők:

  • 2 hüvelykes ostyák
  • 4 hüvelykes ostyák
  • 6 hüvelykes ostyák
  • 8 hüvelykes ostyák
  • Nagyobb egyedi ostyaformátumok

Alkalmas-e a SiC tálca félvezető kemencékben történő alkalmazásra?

Igen. A SiC kerámia tálcákat kifejezetten magas hőmérsékletű félvezető-feldolgozási környezetekhez tervezték, és kiváló hőstabilitást és tartósságot biztosítanak.

Értékelések

Még nincsenek értékelések.

„SiC Ceramic Tray for Wafer Processing & Custom Semiconductor Applications” értékelése elsőként

Az e-mail címet nem tesszük közzé. A kötelező mezőket * karakterrel jelöltük