碳化矽 (SiC) 臥式製程管專為半導體、光電和先進材料製造領域的高溫 LPCVD、CVD、擴散、氧化和退火應用而設計。.

作為水平熱處理系統的核心反應室部件，製程管直接影響溫度均勻性、污染控制、製程穩定性和整體設備壽命。.

我們的 SiC 水平製程管使用先進的單片 3D 列印技術，結合超高純度 CVD 碳化矽塗層製造而成。無縫的一體成型結構消除了焊點和組裝相關的薄弱點，大大提高了連續高溫運行下的機械可靠性和抗洩漏能力。.

與傳統的石英製程管相比，碳化矽具有明顯更高的熱傳導率、更佳的抗熱震性、優異的耐腐蝕性以及更長的操作壽命，尤其是在侵蝕性氧化和含氯製程環境中。.

本產品已針對半導體級的無塵處理環境進行最佳化，要求低微粒產生、低金屬污染，以及高達 1250°C 的穩定熱性能。.

主要功能

單片碳化矽結構

整合式 3D 列印碳化矽本體消除了傳統組裝結構中的接縫、銅銲點和潛在漏電路徑。.

福利包括

• 更高的結構穩定性
• 改善真空完整性
• 更好的尺寸一致性
• 降低熱應力集中

超高純度 CVD SiC 鍍膜

致密的 CVD 碳化矽塗層提供：

• 表面雜質低於 5 ppm
• 優異的化學惰性
• 減少微粒污染
• 優異的抗氧化及抗含氯氣體能力

這使得製程管適用於先進的半導體熱處理應用。.

優異的熱傳導性

碳化矽的熱傳導率遠高於石英或氧化鋁，有助於實現：

• 更快的熱反應
• 改善軸向和徑向溫度均勻性
• 穩定的晶圓加工條件

出色的抗熱震性

管子可承受反覆的快速加熱與冷卻循環，而不會產生裂縫、變形或塗層剝落。.

使用壽命長

與石英製程管相比，SiC 管具有以下優點：

• 更長的更換間隔
• 降低維護頻率
• 減少室內停機時間
• 改善總擁有成本 (TCO)

典型應用

半導體製造

適用於

• LPCVD 系統
• CVD 沉積設備
• 氧化爐
• 擴散爐
• 退火系統
• 晶圓熱處理製程

光電產業

用於：

• 太陽能電池擴散處理
• 表面鈍化
• 薄膜沉積
• 高溫晶圓處理

先進材料加工

適用於

• 碳化過程
• 氮化處理
• 功能性薄膜形成
• 表面活化與改質

製程相容性

相容製程氣體

• 氧 (O₂)
• 氮 (N₂)
• 高純度惰性氣體
• 受控含氯氣體
• 氧化性大氣

典型製程視窗

參數	規格
最高連續工作溫度	1250°C
壓力範圍	LPCVD 真空至接近大氣層
抗熱衝擊	極佳
洩漏密封性	≤ 1×10-⁹ Pa-m³/s
表面粗糙度	Ra ≤ 0.8-1.6 µm
塗層純度	＜ 5 ppm
基底雜質	＜ 300 ppm

技術規格

項目	規格
產品名稱	碳化矽水平製程管
材質	高純度碳化矽
塗層	CVD SiC 鍍膜
製造過程	單片 3D 列印
最高操作溫度	≤ 1250°C
熱傳導	高
抗熱衝擊	極佳
耐腐蝕性	極佳
表面粗糙度	Ra ≤ 0.8-1.6 µm
塗層雜質	＜ 5 ppm
洩漏密封性	≤ 1×10-⁹ Pa-m³/s
典型應用	LPCVD / CVD / 擴散 / 氧化

優於傳統製程管

財產	SiC 製程管	石英管	氧化鋁管
熱傳導	高	低	低
抗熱衝擊	極佳	較弱	中度
耐腐蝕性	極佳	中度	良好
微粒控制	極佳	中度	中度
服務壽命	長	短	中型
高溫穩定性	極佳	中度	良好

客製化選項

可根據客戶的設備需求提供客製化規格，包括

• 管徑和長度
• 壁厚最佳化
• 凸緣與介面結構
• 功能性氣嘴
• 內/外塗層配置
• 表面拋光等級
• 清潔標準

常見問題

Q1: 為何選擇碳化矽而非石英製程管？

與石英相比，碳化矽具有更高的熱導率、更低的污染、更好的抗熱震性，以及明顯更長的使用壽命，尤其是在高溫半導體製程中。.

Q2: 哪些製程與此管相容？

此管適用於 LPCVD、CVD、擴散、氧化、退火、鈍化及其他高溫熱處理應用。.

Q3: 試管能否在含氯的環境中使用？

是的，CVD SiC 塗層具有出色的耐受受控含氯製程環境的能力。.