Il vassoio in ceramica SiC è un supporto in carburo di silicio ad alte prestazioni progettato per la lavorazione avanzata dei wafer e per gli ambienti di produzione dei semiconduttori. Progettati con materiale ceramico in carburo di silicio (SiC) di elevata purezza, questi vassoi offrono un'eccezionale stabilità termica, un'elevata resistenza meccanica e un'eccellente resistenza chimica per le applicazioni ad alta temperatura più impegnative.

I vassoi in ceramica SiC sono ampiamente utilizzati nei processi di fabbricazione dei semiconduttori come:

• Trattamento LPCVD / CVD
• Ricottura dei wafer
• Diffusione
• Ossidazione
• Epitassia (EPI)
• Sinterizzazione ad alta temperatura
• Trattamento termico dei semiconduttori

Disponibile per:

• Lavorazione di wafer da 2 pollici
• Lavorazione di wafer da 4 pollici
• Lavorazione di wafer da 6 pollici
• Lavorazione di wafer da 8 pollici
• Dimensioni e strutture dei wafer personalizzate

Questi vassoi garantiscono un eccellente supporto dei wafer, l'uniformità della temperatura e il controllo della contaminazione durante l'intero processo di produzione.

Caratteristiche del prodotto

Eccellente resistenza alle alte temperature

I vassoi in ceramica di carburo di silicio mantengono un'eccezionale stabilità a temperature estreme, rendendoli ideali per applicazioni in forni per semiconduttori e sistemi di elaborazione termica.

Vantaggi:

• Eccellente resistenza agli shock termici
• Prestazioni stabili durante il riscaldamento e il raffreddamento rapido
• Lunga durata in caso di funzionamento continuo ad alta temperatura

Alta resistenza meccanica

Rispetto ai materiali ceramici convenzionali, i vassoi in SiC offrono una durezza e una resistenza alla flessione superiori, riducendo il rischio di deformazioni o crepe durante la lavorazione.

Vantaggi:

• Elevata capacità di carico
• Eccellente stabilità dimensionale
• Adatto ai sistemi di movimentazione automatizzata dei wafer
• Riduzione della frequenza di manutenzione

Eccezionale resistenza agli agenti chimici

I vassoi in ceramica SiC sono altamente resistenti alle sostanze chimiche corrosive e ai gas di processo reattivi comunemente utilizzati nella produzione di semiconduttori.

Resistente a:

• Acidi
• Alcali
• Gas corrosivi
• Vapori chimici

Ciò garantisce un'affidabilità a lungo termine in ambienti di processo difficili.

Eccellente conduttività termica

L'elevata conducibilità termica del carburo di silicio consente un trasferimento di calore rapido e uniforme sulla superficie del vassoio.

Vantaggi dell'elaborazione:

• Migliore uniformità della temperatura dei wafer
• Gradienti termici ridotti
• Maggiore coerenza dei processi
• Riduzione dei tassi di difettosità dei wafer

Bassa espansione termica

Il basso coefficiente di espansione termica contribuisce a mantenere la precisione strutturale durante i ripetuti cicli termici.

Risultato:

• Riduzione della deformazione
• Migliore allineamento dei wafer
• Miglioramento della stabilità della produzione

Purezza del grado di semiconduttore

Realizzati con materiale in carburo di silicio ad alta purezza 99,9%, i vassoi aiutano a ridurre al minimo la contaminazione da particelle e supportano gli standard di produzione dei semiconduttori in camera bianca.

Specifiche tecniche

Proprietà	Valore
Materiale	Carburo di silicio (SiC)
La purezza	99.9%
Colore	Nero
Densità	3,14 g/cm³
Resistenza alla flessione	410 MPa
Modulo di Young	430 GPa
Rapporto di Poisson	0.17
Durezza alla frattura	2-3 MPa-m1/2
Coefficiente di espansione termica	4.1 × 10-⁶/K
Conduttività termica	170 W/m-K

Confronto tra le tecnologie di produzione SiC

Metodo di produzione	Caratteristiche	Applicazioni tipiche
SiC sinterizzato senza pressione	Elevata purezza e stabilità termica	Vassoi per wafer di semiconduttori
SiC stampato a caldo	Maggiore resistenza meccanica	Parti strutturali in ceramica
CVD SiC	Superficie ad altissima purezza	Apparecchiature avanzate per semiconduttori
Si-SiC	Soluzione economicamente vantaggiosa	Componenti per forni industriali

Applicazioni dei vassoi in ceramica SiC

Lavorazione dei wafer di semiconduttori

Ampiamente utilizzati come porta wafer e vassoi di supporto in:

• Sistemi LPCVD
• Sistemi CVD
• Forni a diffusione
• Forni di ossidazione
• Apparecchiature di ricottura
• Reattori termici a semiconduttore

Compatibile con:

• Wafer di silicio
• Cialde di zaffiro
• Wafer SiC
• Wafer GaN
• Substrati di semiconduttori composti

Sinterizzazione ad alta temperatura

Ideale per applicazioni avanzate di sinterizzazione di ceramica e polveri che richiedono:

• Stabilità termica
• Resistenza all'ossidazione
• Lunga vita operativa

Apparecchiature per il trattamento chimico

Adatto ad ambienti chimici aggressivi grazie all'eccellente resistenza alla corrosione.

Le applicazioni includono:

• Reattori chimici
• Lavorazione a umido dei semiconduttori
• Ambienti con gas corrosivi

Produzione ottica e di precisione

Fornisce un supporto stabile per:

• Substrati ottici
• Componenti ottici in zaffiro
• Parti in ceramica di precisione

Sistemi termici aerospaziali e industriali

Utilizzato nei settori che richiedono:

• Materiali leggeri ad alta resistenza
• Gestione termica
• Componenti resistenti alla corrosione

Servizi di personalizzazione

Forniamo soluzioni personalizzate di vassoi in ceramica SiC in base alle esigenze dei clienti.

Opzioni personalizzate disponibili

• Dimensioni personalizzate
• Design di vassoi multi-wafer
• Lavorazione di scanalature e scanalature
• Foratura di precisione
• Lucidatura della superficie
• Rivestimenti speciali
• Compatibilità con il trattamento termico personalizzato

Vantaggi dei vassoi in ceramica SiC

Rispetto ai vassoi in quarzo, allumina e grafite, i vassoi in ceramica di carburo di silicio offrono:

Prestazioni	Vassoio in ceramica SiC
Conduttività termica	Eccellente
Resistenza agli shock termici	Eccellente
Resistenza meccanica	Eccellente
Resistenza alla corrosione	Eccellente
Stabilità dimensionale	Eccellente
Vita utile	Lungo

FAQ

Il vassoio in ceramica SiC può essere personalizzato?

Sì. Supportiamo dimensioni, strutture, scanalature e progetti di lavorazione personalizzati in base alle specifiche dei wafer e ai requisiti delle apparecchiature del cliente.

Quali sono le dimensioni dei wafer supportate?

I vassoi possono essere progettati per:

• Cialde da 2 pollici
• Cialde da 4 pollici
• Cialde da 6 pollici
• Cialde da 8 pollici
• Formati di wafer personalizzati più grandi

Il vassoio SiC è adatto per applicazioni in forni per semiconduttori?

Sì. I vassoi in ceramica SiC sono progettati specificamente per gli ambienti di lavorazione dei semiconduttori ad alta temperatura e offrono un'eccellente stabilità termica e durata.