Plateau en céramique SiC pour le traitement des plaquettes et les applications semi-conductrices personnalisées

Le plateau en céramique SiC est un support en carbure de silicium haute performance conçu pour les environnements de traitement avancé des plaquettes et de fabrication de semi-conducteurs. Conçus à partir de céramique de carbure de silicium (SiC) de haute pureté, ces plateaux offrent une stabilité thermique exceptionnelle, une grande résistance mécanique et une excellente résistance chimique pour les applications exigeantes à haute température.

Le plateau en céramique SiC est un support en carbure de silicium haute performance conçu pour les environnements de traitement avancé des plaquettes et de fabrication de semi-conducteurs. Conçus à partir de céramique de carbure de silicium (SiC) de haute pureté, ces plateaux offrent une stabilité thermique exceptionnelle, une grande résistance mécanique et une excellente résistance chimique pour les applications exigeantes à haute température.

Les plateaux en céramique SiC sont largement utilisés dans les processus de fabrication de semi-conducteurs tels que :

  • Traitement LPCVD / CVD
  • Recuit des plaquettes
  • Diffusion
  • Oxydation
  • Epitaxie (EPI)
  • Frittage à haute température
  • Traitement thermique des semi-conducteurs

Disponible pour :

  • Traitement des plaquettes de 2 pouces
  • Traitement des plaquettes de 4 pouces
  • Traitement des plaquettes de 6 pouces
  • Traitement des plaquettes de 8 pouces
  • Taille et structure des plaquettes personnalisées

Ces plateaux garantissent un excellent support des plaquettes, l'uniformité de la température et le contrôle de la contamination tout au long du processus de fabrication.


Caractéristiques du produit

Excellente résistance aux hautes températures

Les plateaux en céramique de carbure de silicium conservent une stabilité exceptionnelle à des températures extrêmes, ce qui les rend idéaux pour les applications de fours à semi-conducteurs et les systèmes de traitement thermique.

Avantages :

  • Excellente résistance aux chocs thermiques
  • Performances stables en cas de chauffage et de refroidissement rapides
  • Longue durée de vie en cas de fonctionnement continu à haute température

Haute résistance mécanique

Par rapport aux matériaux céramiques conventionnels, les plateaux en SiC offrent une dureté et une résistance à la flexion supérieures, ce qui réduit le risque de déformation ou de fissuration pendant le traitement.

Avantages :

  • Capacité de charge élevée
  • Excellente stabilité dimensionnelle
  • Convient aux systèmes automatisés de manipulation des gaufrettes
  • Réduction de la fréquence d'entretien

Résistance chimique exceptionnelle

Les plateaux en céramique SiC sont très résistants aux produits chimiques corrosifs et aux gaz réactifs couramment utilisés dans la fabrication des semi-conducteurs.

Résistant à :

  • Acides
  • Alcalis
  • Gaz corrosifs
  • Vapeurs chimiques

Cela garantit une fiabilité à long terme dans les environnements industriels difficiles.


Excellente conductivité thermique

La conductivité thermique élevée du carbure de silicium permet un transfert de chaleur rapide et uniforme sur toute la surface du plateau.

Avantages liés à la transformation :

  • Amélioration de l'uniformité de la température de la plaquette
  • Réduction des gradients thermiques
  • Amélioration de la cohérence des processus
  • Taux de défectuosité des plaquettes de silicium plus faibles

Faible dilatation thermique

Le faible coefficient de dilatation thermique permet de maintenir la précision de la structure pendant les cycles thermiques répétés.

Résultat :

  • Réduction du gauchissement
  • Meilleur alignement des plaques de silicium
  • Amélioration de la stabilité de la production

Pureté de qualité semi-conducteur

Fabriqués en carbure de silicium de haute pureté 99,9%, les plateaux permettent de minimiser la contamination par les particules et de respecter les normes de production de semi-conducteurs en salle blanche.


Spécifications techniques

Propriété Valeur
Matériau Carbure de silicium (SiC)
La pureté 99.9%
Couleur Noir
Densité 3,14 g/cm³
Résistance à la flexion 410 MPa
Module de Young 430 GPa
Rapport de Poisson 0.17
Résistance à la rupture 2-3 MPa-m1/2
Coefficient de dilatation thermique 4.1 × 10-⁶/K
Conductivité thermique 170 W/m-K

Comparaison des technologies de fabrication du SiC

Méthode de fabrication Caractéristiques Applications typiques
SiC fritté sans pression Grande pureté et stabilité thermique Plateaux pour tranches de semi-conducteurs
SiC pressé à chaud Résistance mécanique plus élevée Pièces céramiques structurelles
CVD SiC Surface ultra-pure Équipements semi-conducteurs avancés
Si-SiC Une solution rentable Composants de fours industriels

Applications des plateaux en céramique SiC

Traitement des plaquettes de semi-conducteurs

Largement utilisés comme supports de plaquettes et plateaux de support dans :

  • Systèmes LPCVD
  • Systèmes CVD
  • Fours de diffusion
  • Fours d'oxydation
  • Équipement de recuit
  • Réacteurs thermiques à semi-conducteurs

Compatible avec :

  • Plaquettes de silicium
  • Plaquettes de saphir
  • Plaques de SiC
  • Plaques de GaN
  • Substrats semi-conducteurs composés

Frittage à haute température

Idéal pour les applications de frittage de céramiques et de poudres avancées nécessitant :

  • Stabilité thermique
  • Résistance à l'oxydation
  • Longue durée de vie

Équipement de traitement chimique

Convient aux environnements chimiques agressifs en raison de son excellente résistance à la corrosion.

Les applications comprennent

  • Réacteurs chimiques
  • Traitement des semi-conducteurs par voie humide
  • Environnements gazeux corrosifs

Fabrication optique et de précision

Fournit un soutien stable pour :

  • Substrats optiques
  • Composants optiques en saphir
  • Pièces céramiques de précision

Systèmes thermiques aérospatiaux et industriels

Utilisé dans les industries nécessitant :

  • Matériaux légers et très résistants
  • Gestion thermique
  • Composants résistants à la corrosion

Services de personnalisation

Nous fournissons des solutions de plateaux céramiques SiC sur mesure en fonction des exigences du client.

Options personnalisées disponibles

  • Dimensions personnalisées
  • Conception de plateaux multi-fourchettes
  • Usinage de fentes et de rainures
  • Perçage de précision
  • Polissage de surface
  • Revêtements spéciaux
  • Compatibilité avec le traitement thermique personnalisé

Avantages des plateaux en céramique SiC

Comparés aux plateaux en quartz, alumine et graphite, les plateaux en céramique de carbure de silicium sont plus performants :

Performance Plateau en céramique SiC
Conductivité thermique Excellent
Résistance aux chocs thermiques Excellent
Résistance mécanique Excellent
Résistance à la corrosion Excellent
Stabilité dimensionnelle Excellent
Durée de vie Longues

FAQ

Le plateau en céramique SiC peut-il être personnalisé ?

Oui. Nous prenons en charge les tailles, structures, rainures et conceptions de traitement personnalisées en fonction des spécifications des plaquettes du client et des exigences de l'équipement.


Quelles sont les tailles de plaquettes prises en charge ?

Les plateaux peuvent être conçus pour :

  • Gaufrettes de 2 pouces
  • Gaufrettes de 4 pouces
  • Gaufrettes de 6 pouces
  • Gaufrettes de 8 pouces
  • Formats plus grands de plaquettes de silicium personnalisées

Le plateau SiC est-il adapté aux applications des fours à semi-conducteurs ?

Oui. Les plateaux en céramique SiC sont spécialement conçus pour les environnements de traitement des semi-conducteurs à haute température et offrent une excellente stabilité thermique et une grande durabilité.

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