Le plateau à plaquettes en carbure de silicium est un support céramique de précision à hautes performances conçu pour le traitement des plaquettes de semi-conducteurs, les systèmes CVD/PECVD, les fours à vide et les environnements industriels à haute température.
Fabriqué à partir de carbure de silicium CVD ou SSiC (carbure de silicium fritté) de haute pureté, ce plateau offre une stabilité thermique, une résistance mécanique et une résistance chimique exceptionnelles, garantissant une manipulation stable des plaquettes et des performances de processus constantes dans des conditions extrêmes.
Il est largement utilisé dans la fabrication des semi-conducteurs, l'épitaxie des LED, le traitement des plaquettes de saphir, le frittage des céramiques de pointe et les systèmes thermiques sous vide.
Caractéristiques principales
Stabilité à haute température (jusqu'à 1600°C+)
Maintient l'intégrité structurelle et les performances en fonctionnement continu à haute température sans déformation.
Excellente conductivité thermique
Assure un transfert de chaleur rapide et uniforme, réduisant les gradients de température et améliorant le rendement du processus.
Résistance supérieure aux chocs thermiques
Résiste à des cycles de chauffage et de refroidissement rapides sans se fissurer ni se déformer.
Haute résistance mécanique
La structure renforcée offre une excellente capacité de charge et une stabilité dimensionnelle à long terme.
Résistance aux produits chimiques et au plasma
Très résistant aux acides, aux alcalis, aux gaz corrosifs et aux environnements plasma utilisés dans les processus de fabrication des semi-conducteurs.
Usinage de très haute précision
La rectification CNC garantit des tolérances serrées, la planéité et des surfaces de contact lisses pour les systèmes automatisés.
Conception structurelle
Conception de fentes annulaires multizones
- Réduit le poids
- Améliore l'uniformité thermique
- Améliore la dissipation de la chaleur
- Minimise la concentration des contraintes thermiques
Cette structure est optimisée pour le traitement des plaquettes à haute température et les applications sous vide.
Système de nervures de renforcement radial
- Augmente la rigidité mécanique
- Prévient les déformations sous charge
- Améliore la stabilité de la rotation
- Prolonge la durée de vie dans les environnements thermiques cycliques
Surface usinée avec précision
- Grande planéité et cohérence
- Interface de contact lisse avec la tranche de silicium
- Compatible avec les systèmes d'automatisation robotique
- Réduit le risque de génération de particules
Interface de montage central
La structure centrale percée avec précision garantit :
- Montage stable de l'arbre
- Alignement précis dans les systèmes de chauffage
- Compatibilité avec les équipements de manutention automatisée des gaufrettes
Anneau extérieur renforcé
- Améliore l'équilibre structurel
- Améliore la résistance aux vibrations
- Renforce la durabilité des arêtes pendant le fonctionnement
Options de matériaux
Carbure de silicium CVD (SiC CVD)
- Ultra-haute pureté
- Contamination extrêmement faible
- Excellente qualité de surface
- Idéal pour les procédés de semi-conducteurs avancés
Carbure de silicium fritté (SSiC)
- Résistance et densité élevées
- Excellente résistance à l'usure
- Stable dans les environnements difficiles
- Convient aux systèmes industriels à haute température
SiC lié par réaction (RBSiC)
- Une solution rentable
- Bonne résistance aux chocs thermiques
- Convient aux applications industrielles de masse
Spécifications techniques
| Objet | Spécifications |
|---|---|
| Matériau | CVD SiC / SSiC / RBSiC |
| La pureté | Jusqu'à 99,9% |
| Température de fonctionnement | ≤ 1600°C |
| Densité | 2,3 - 3,9 g/cm³ |
| Résistance aux chocs thermiques | Excellent |
| Finition de la surface | Polissage de précision |
| Forme | Personnalisé (rond / anneau / plaque) |
| Taille | Disponible sur mesure |
| Application | Semi-conducteurs / CVD / Four |
Applications
Industrie des semi-conducteurs
- Support de plaquettes pour les systèmes CVD / PECVD
- Diffusion, oxydation, processus de recuit
- RTP et systèmes de croissance épitaxiale
- Plateaux de transfert et de manutention de plaquettes
LED et optoélectronique
- Traitement des plaquettes de saphir
- Systèmes de support pour l'épitaxie des LED
- Support de substrat à haute température
Fours sous vide et fours thermiques
- Plateaux de frittage à haute température
- Supports de four à vide
- Installations de traitement thermique
Fabrication avancée
- Traitement de précision de la céramique
- Appareils d'automatisation
- Plates-formes mécaniques à haute stabilité
Avantages du produit
- Excellente résistance aux hautes températures
- Conductivité thermique supérieure
- Grande stabilité dimensionnelle
- Longue durée de vie
- Faible risque de contamination
- Forte résistance à la corrosion
- Compatible avec les systèmes d'aspiration
- Conception entièrement personnalisable
Capacité de personnalisation
Nous proposons une personnalisation complète sur la base des dessins ou des exigences de l'application :
- Personnalisation du diamètre / de l'épaisseur
- Optimisation de la géométrie des fentes
- Trous de montage de précision
- Polissage de surface / rodage
- Usinage ultra-plat de qualité wafer
- Sélection de matériaux de haute pureté
- Conception structurelle complexe
Services OEM et ODM disponibles pour les fabricants d'équipements de semi-conducteurs.
FAQ
Q1 : À quoi sert un plateau de plaquettes en carbure de silicium ?
Il est utilisé pour soutenir et transporter les plaquettes pendant les processus de semi-conducteurs tels que CVD, PECVD, diffusion, oxydation et recuit à haute température.
Q2 : Pourquoi utiliser le SiC plutôt que le quartz ou le graphite ?
Le SiC fournit :
- Résistance accrue à la température
- Meilleure résistance mécanique
- Dilatation thermique plus faible
- Durée de vie plus longue
- Meilleure stabilité chimique
Q3 : Le plateau peut-il être personnalisé ?
Oui. Nous offrons une personnalisation complète, y compris la taille, la structure, l'épaisseur et la conception du montage.
Q4 : Est-il adapté au chauffage et au refroidissement rapides ?
Oui. Le SiC présente une excellente résistance aux chocs thermiques, ce qui le rend adapté aux processus de cyclage thermique.
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