La plaque céramique à gradins en carbure de silicium (SiC) est un composant céramique structurel de haute performance conçu pour les équipements de traitement des semi-conducteurs et les systèmes industriels à haute température. Doté d'un profil étagé usiné avec précision, ce composant permet un positionnement précis, un assemblage sûr et une excellente stabilité dimensionnelle dans des environnements de traitement exigeants.
Fabriqué en céramique de carbure de silicium de haute pureté, ce composant offre une résistance exceptionnelle à l'exposition au plasma, aux chocs thermiques, à la corrosion chimique et aux températures extrêmes. Sa grande rigidité et sa conductivité thermique en font un produit idéal pour les applications structurelles et de protection à l'intérieur des équipements semi-conducteurs.
Conçues pour une fiabilité à long terme, les plaques céramiques à gradins SiC sont largement utilisées dans les chambres de traitement, les systèmes à vide, les équipements thermiques et les applications de semi-conducteurs liées au plasma.
Caractéristiques principales
Matériau en carbure de silicium de haute pureté
Fabriqué en céramique SiC ≥99% avec d'excellentes performances thermiques et mécaniques.
Structure étagée de précision
La géométrie des bords en escalier permet un positionnement précis et un assemblage mécanique stable.
Stabilité thermique exceptionnelle
Capable de fonctionner en continu à des températures supérieures à 1600°C dans des environnements inertes avec une déformation minimale.
Excellente résistance au plasma
Résistant à l'érosion par plasma et aux gaz corrosifs utilisés dans la fabrication des semi-conducteurs.
Conductivité thermique élevée
La conductivité thermique de 120-200 W/m-K permet un transfert de chaleur efficace et une uniformité de la température.
Haute résistance mécanique
Excellente rigidité et résistance à l'usure pour un fonctionnement à long terme dans des conditions exigeantes.
Compatible avec le vide
Ses caractéristiques de faible dégazage le rendent adapté aux environnements de traitement propres et sous vide.
Entièrement personnalisable
Les dimensions, la structure des étapes, les tolérances et la géométrie des bords peuvent être personnalisées selon les dessins.
Applications typiques
- Chambres de traitement des semi-conducteurs
- Systèmes CVD / PECVD / LPCVD
- Équipement de gravure au plasma
- Couvercles de chambre et capuchons de liner
- Structures de support à haute température
- Systèmes de traitement sous vide
- Composants céramiques orientés vers le plasma
- Équipement de fabrication optoélectronique
Spécifications techniques
| Objet | Spécifications |
|---|---|
| Matériau | Carbure de silicium (SiC) |
| La pureté | ≥99% |
| Densité | 3,10-3,20 g/cm³ |
| Dureté | ≥2500 HV |
| Résistance à la flexion | ≥350 MPa |
| Module d'élasticité | ~410 GPa |
| Conductivité thermique | 120-200 W/m-K |
| Coefficient de dilatation thermique | ~4.0 ×10-⁶ /K |
| Température maximale (atmosphère inerte) | >1600°C |
| Température maximale (air) | ~1400°C |
| Finition de la surface | Sol / polissage en option |
| Compatibilité avec l'environnement | Vide, plasma, gaz corrosifs |
Capacités de production
Nous soutenons les technologies avancées de traitement des céramiques, notamment
- Usinage CNC de précision
- Meulage de surface
- Rodage et polissage fins
- Usinage par étapes sur mesure
- Traitement du chanfrein
- Fabrication avec des tolérances serrées
- Prototype et production en série
Options de personnalisation
Les personnalisations disponibles sont les suivantes :
- Diamètre extérieur et épaisseur
- Hauteur et largeur des marches
- Exigences de planéité
- Contrôle de la rugosité des surfaces
- Structure des bords et chanfreins
- Options de polissage fin
- Production OEM basée sur des dessins
Avantages des composants en céramique SiC
Par rapport aux matériaux conventionnels, la céramique SiC offre :
- Conductivité thermique plus élevée
- Meilleure résistance aux chocs thermiques
- Durabilité supérieure du plasma
- Dilatation thermique plus faible
- Forte stabilité chimique
- Durée de vie plus longue des équipements à semi-conducteurs
FAQ
Q1 : Quel est l'objectif principal de la structure en escalier ?
La géométrie en escalier permet un positionnement précis et un assemblage fiable à l'intérieur de l'équipement de traitement.
Q2 : Ce composant peut-il résister aux environnements plasmatiques ?
Oui, le carbure de silicium présente une excellente résistance à l'érosion par plasma et aux gaz de traitement corrosifs.
Q3 : Le composant est-il compatible avec le vide ?
Oui, le matériau présente un faible dégazage et des performances stables dans des conditions de vide.
Q4 : Les dimensions peuvent-elles être personnalisées ?
Oui, la taille, le profil de la marche, les tolérances et les caractéristiques des bords peuvent tous être produits selon les exigences du client.
Q5 : Des versions polies sont-elles disponibles ?
En fonction des exigences de l'application, il est possible de procéder à un broyage fin et à un polissage en option.
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