O tubo de processamento horizontal de carboneto de silício (SiC) foi concebido para aplicações de LPCVD, CVD, difusão, oxidação e recozimento a alta temperatura no fabrico de semicondutores, fotovoltaicos e materiais avançados.

Como componente central da câmara de reação em sistemas de processamento térmico horizontal, o tubo de processo afecta diretamente a uniformidade da temperatura, o controlo da contaminação, a estabilidade do processo e a vida útil global do equipamento.

Os nossos tubos de processo horizontal SiC são fabricados utilizando tecnologia avançada de impressão 3D monolítica combinada com revestimento de carboneto de silício CVD de pureza ultra elevada. A estrutura de uma só peça sem costuras elimina as juntas de soldadura e os pontos fracos relacionados com a montagem, melhorando consideravelmente a fiabilidade mecânica e a resistência a fugas em funcionamento contínuo a alta temperatura.

Em comparação com os tubos de processo de quartzo convencionais, o carboneto de silício oferece uma condutividade térmica significativamente mais elevada, melhor resistência ao choque térmico, resistência superior à corrosão e uma vida útil mais longa, especialmente em ambientes de processo agressivos oxidantes e com cloro.

O produto é optimizado para ambientes de processamento limpo de semicondutores que requerem baixa geração de partículas, baixa contaminação por metais e desempenho térmico estável até 1250°C.

Caraterísticas principais

Estrutura monolítica de SiC de uma só peça

O corpo integrado de carboneto de silício impresso em 3D elimina as costuras, os pontos de soldadura e os potenciais caminhos de fuga encontrados nas estruturas montadas tradicionais.

As vantagens incluem:

• Maior estabilidade estrutural
• Melhoria da integridade do vácuo
• Melhor consistência dimensional
• Redução da concentração de tensões térmicas

Revestimento de SiC CVD de pureza ultra-alta

O revestimento denso de carboneto de silício CVD proporciona:

• Impurezas à superfície inferiores a 5 ppm
• Excelente inércia química
• Redução da contaminação por partículas
• Resistência superior à oxidação e aos gases que contêm cloro

Isto torna o tubo de processo adequado para aplicações avançadas de processamento térmico de semicondutores.

Excelente condutividade térmica

O carboneto de silício proporciona uma condutividade térmica muito mais elevada do que o quartzo ou a alumina, ajudando a alcançar..:

• Resposta térmica mais rápida
• Melhoria da uniformidade da temperatura axial e radial
• Condições estáveis de processamento de bolachas

Excelente resistência a choques térmicos

O tubo pode suportar ciclos de aquecimento e arrefecimento rápidos e repetidos sem fissuras, deformações ou fragmentação do revestimento.

Longa vida útil

Em comparação com os tubos de processo de quartzo, os tubos de SiC oferecem:

• Intervalos de substituição mais longos
• Menor frequência de manutenção
• Redução do tempo de inatividade da câmara
• Melhoria do custo total de propriedade (TCO)

Aplicações típicas

Fabrico de semicondutores

Adequado para:

• Sistemas LPCVD
• Equipamento de deposição CVD
• Fornos de oxidação
• Fornos de difusão
• Sistemas de recozimento
• Processos de tratamento térmico de bolachas

Indústria fotovoltaica

Utilizado em:

• Processamento de difusão de células solares
• Passivação da superfície
• Deposição de película fina
• Tratamento de bolachas a alta temperatura

Processamento avançado de materiais

Aplicável a:

• Processos de carbonização
• Tratamento de nitridação
• Formação de películas finas funcionais
• Ativação e modificação da superfície

Compatibilidade de processos

Atmosferas de processo compatíveis

• Oxigénio (O₂)
• Azoto (N₂)
• Gases inertes de alta pureza
• Gases controlados que contêm cloro
• Atmosferas oxidantes

Janela de processo típica

Parâmetro	Especificação
Temperatura máxima de funcionamento contínuo	1250°C
Gama de pressão	LPCVD Vácuo até próximo da atmosfera
Resistência ao choque térmico	Excelente
Estanquidade à fuga	≤ 1×10-⁹ Pa-m³/s
Rugosidade da superfície	Ra ≤ 0,8-1,6 µm
Pureza do revestimento	＜ 5 ppm
Impureza do substrato	＜ 300 ppm

Especificações técnicas

Item	Especificação
Nome do produto	Tubo de processo horizontal de carboneto de silício
Material	Carboneto de silício de alta pureza
Revestimento	Revestimento CVD SiC
Processo de fabrico	Impressão 3D monolítica
Temperatura máxima de funcionamento	≤ 1250°C
Condutividade térmica	Elevado
Resistência ao choque térmico	Excelente
Resistência à corrosão	Excelente
Rugosidade da superfície	Ra ≤ 0,8-1,6 µm
Impurezas do revestimento	＜ 5 ppm
Estanquidade à fuga	≤ 1×10-⁹ Pa-m³/s
Aplicações típicas	LPCVD / CVD / Difusão / Oxidação

Vantagens em relação aos tubos de processo tradicionais

Imóveis	Tubo de processo SiC	Tubo de quartzo	Tubo de alumina
Condutividade térmica	Elevado	Baixa	Baixa
Resistência ao choque térmico	Excelente	Fraco	Moderado
Resistência à corrosão	Excelente	Moderado	Bom
Controlo de partículas	Excelente	Moderado	Moderado
Vida útil	Longo	Curto	Médio
Estabilidade a altas temperaturas	Excelente	Moderado	Bom

Opções de personalização

Estão disponíveis especificações personalizadas de acordo com os requisitos de equipamento do cliente, incluindo:

• Diâmetro e comprimento do tubo
• Otimização da espessura da parede
• Estruturas de flange e de interface
• Portas de gás funcionais
• Configurações de revestimento interior/exterior
• Classes de polimento de superfícies
• Normas de limpeza

FAQ

Q1: Porquê escolher carboneto de silício em vez de tubos de processo de quartzo?

O carboneto de silício proporciona uma maior condutividade térmica, menor contaminação, melhor resistência ao choque térmico e uma vida útil significativamente mais longa do que o quartzo, especialmente em processos de semicondutores a alta temperatura.

Q2: Que processos são compatíveis com este tubo?

O tubo é adequado para LPCVD, CVD, difusão, oxidação, recozimento, passivação e outras aplicações de processamento térmico a alta temperatura.

Q3: O tubo pode funcionar em atmosferas que contenham cloro?

Sim. O revestimento CVD SiC oferece uma excelente resistência a ambientes de processo controlados com cloro.