Szilícium-karbid vízszintes folyamatcső LPCVD/CVD félvezető folyamatokhoz

A szilícium-karbid (SiC) horizontális folyamatcsövet magas hőmérsékletű LPCVD, CVD, diffúziós, oxidációs és lágyítási alkalmazásokhoz tervezték a félvezető-, fotovoltaikus és fejlett anyaggyártásban.

A horizontális hőfeldolgozó rendszerek központi reakciókamra-alkatrészeként a folyamatcső közvetlenül befolyásolja a hőmérséklet egyenletességét, a szennyeződések ellenőrzését, a folyamat stabilitását és a berendezés teljes élettartamát.

A szilícium-karbid (SiC) horizontális folyamatcsövet magas hőmérsékletű LPCVD, CVD, diffúziós, oxidációs és lágyítási alkalmazásokhoz tervezték a félvezető-, fotovoltaikus és fejlett anyaggyártásban.

A horizontális hőfeldolgozó rendszerek központi reakciókamra-alkatrészeként a folyamatcső közvetlenül befolyásolja a hőmérséklet egyenletességét, a szennyeződések ellenőrzését, a folyamat stabilitását és a berendezés teljes élettartamát.

SiC vízszintes folyamatcsöveinket fejlett monolitikus 3D nyomtatási technológiával és ultra-nagy tisztaságú CVD szilíciumkarbid bevonattal kombinálva gyártjuk. A varratmentes, egy darabból álló szerkezet kiküszöböli a hegesztési illesztéseket és az összeszereléssel kapcsolatos gyenge pontokat, jelentősen javítva a mechanikai megbízhatóságot és a szivárgásállóságot a folyamatos magas hőmérsékletű működés során.

A hagyományos kvarc technológiai csövekhez képest a szilícium-karbid lényegesen nagyobb hővezető képességet, jobb hősokkállóságot, kiváló korrózióállóságot és hosszabb élettartamot biztosít, különösen agresszív oxidáló és klórtartalmú technológiai környezetben.

A terméket félvezető minőségű tiszta feldolgozási környezetekre optimalizálták, amelyek alacsony részecske keletkezést, alacsony fémszennyezettséget és stabil termikus teljesítményt igényelnek 1250°C-ig.


Fő jellemzők

Monolitikus, egy darabból álló SiC szerkezet

Az integrált 3D nyomtatott szilícium-karbid test kiküszöböli a hagyományos összeszerelt szerkezeteknél található varratokat, forrasztási pontokat és potenciális szivárgási utakat.

Az előnyök közé tartoznak:

  • Nagyobb szerkezeti stabilitás
  • Javított vákuumintegritás
  • Jobb méretbeli konzisztencia
  • Csökkentett termikus feszültségkoncentráció

Ultra-nagy tisztaságú CVD SiC bevonat

A sűrű CVD szilíciumkarbid bevonat biztosítja:

  • 5 ppm alatti felületi szennyeződések
  • Kiváló kémiai inertitás
  • Csökkentett részecskeszennyezés
  • Kiváló ellenállás az oxidációval és a klórtartalmú gázokkal szemben

Ez teszi a folyamatcsövet alkalmassá a fejlett félvezető hőkezelési alkalmazásokhoz.

Kiváló hővezető képesség

A szilíciumkarbid sokkal nagyobb hővezető képességet biztosít, mint a kvarc vagy a timföld, ami segít elérni:

  • Gyorsabb hőreakció
  • Javított axiális és radiális hőmérsékleti egyenletesség
  • Stabil ostyafeldolgozási feltételek

Kiemelkedő termikus ütésállóság

A cső repedés, deformáció vagy bevonatlepattanás nélkül bírja az ismételt gyors fűtési és hűtési ciklusokat.

Hosszú élettartam

A kvarc technológiai csövekkel összehasonlítva a SiC csövek a következőket kínálják:

  • Hosszabb csereintervallumok
  • Alacsonyabb karbantartási gyakoriság
  • Csökkentett kamra leállási idő
  • Javított teljes tulajdonlási költség (TCO)

Tipikus alkalmazások

Félvezetőgyártás

Alkalmas:

  • LPCVD rendszerek
  • CVD leválasztó berendezés
  • Oxidációs kemencék
  • Diffúziós kemencék
  • Izzítási rendszerek
  • Wafer hőkezelési eljárások

Fotovoltaikus ipar

Felhasználva:

  • Napelemes diffúziós feldolgozás
  • Felületi passziválás
  • Vékonyréteg-leválasztás
  • Magas hőmérsékletű ostyakezelés

Fejlett anyagfeldolgozás

Alkalmazható:

  • Karbonizációs folyamatok
  • Nitridációs kezelés
  • Funkcionális vékonyréteg-képzés
  • Felületi aktiválás és módosítás

Folyamat kompatibilitás

Kompatibilis technológiai légkörök

  • Oxigén (O₂)
  • Nitrogén (N₂)
  • Nagy tisztaságú inert gázok
  • Szabályozott klórtartalmú gázok
  • Oxidáló légkörök

Tipikus folyamatablak

Paraméter Specifikáció
Maximális folyamatos üzemi hőmérséklet 1250°C
Nyomás tartomány LPCVD vákuumtól közel légköri hőmérsékletig
Hősokk-ellenállás Kiváló
Szivárgás Szorosság ≤ 1×10-⁹ Pa-m³/s
Felületi érdesség Ra ≤ 0,8-1,6 µm
Bevonat tisztasága < 5 ppm
Szubsztrát szennyeződés < 300 ppm

Műszaki specifikációk

Tétel Specifikáció
Termék neve Szilícium-karbid vízszintes folyamat cső
Anyag Nagy tisztaságú szilícium-karbid
Bevonat CVD SiC bevonat
Gyártási folyamat Monolitikus 3D nyomtatás
Maximális üzemi hőmérséklet ≤ 1250°C
Hővezető képesség Magas
Hősokk-ellenállás Kiváló
Korrózióállóság Kiváló
Felületi érdesség Ra ≤ 0,8-1,6 µm
Bevonat szennyeződések < 5 ppm
Szivárgás Szorosság ≤ 1×10-⁹ Pa-m³/s
Tipikus alkalmazások LPCVD / CVD / Diffúzió / Oxidáció

Előnyök a hagyományos folyamatcsövekkel szemben

Ingatlan SiC folyamat cső Kvarc cső Alumínium-oxid cső
Hővezető képesség Magas Alacsony Alacsony
Hősokk-ellenállás Kiváló Gyenge Mérsékelt
Korrózióállóság Kiváló Mérsékelt
Részecskék ellenőrzése Kiváló Mérsékelt Mérsékelt
Élettartam Hosszú Rövid Közepes
Magas hőmérsékletű stabilitás Kiváló Mérsékelt

Testreszabási lehetőségek

Egyedi specifikációk állnak rendelkezésre az ügyfél felszerelési igényei szerint, beleértve:

  • Cső átmérője és hossza
  • Falvastagság optimalizálása
  • Karimák és interfész szerkezetek
  • Funkcionális gáznyílások
  • Belső/külső bevonat konfigurációk
  • Felületpolírozási fokozatok
  • Tisztasági előírások

GYIK

1. kérdés: Miért válassza a szilícium-karbidot a kvarcfolyamatcsövek helyett?

A szilíciumkarbid nagyobb hővezető képességet, alacsonyabb szennyezettséget, jobb hősokkállóságot és lényegesen hosszabb élettartamot biztosít, mint a kvarc, különösen a magas hőmérsékletű félvezető folyamatokban.

2. kérdés: Milyen eljárások kompatibilisek ezzel a csővel?

A cső alkalmas LPCVD, CVD, diffúzió, oxidáció, lágyítás, passziválás és egyéb magas hőmérsékletű hőkezelési alkalmazásokhoz.

3. kérdés: Működhet-e a cső klórtartalmú légkörben?

Igen. A CVD SiC bevonat kiválóan ellenáll az ellenőrzött klórtartalmú technológiai környezeteknek.

Értékelések

Még nincsenek értékelések.

„Silicon Carbide Horizontal Process Tube for LPCVD/CVD Semiconductor Processes” értékelése elsőként

Az e-mail címet nem tesszük közzé. A kötelező mezőket * karakterrel jelöltük