De horizontale procesbuis voor siliciumcarbide (SiC) is ontworpen voor LPCVD-, CVD-, diffusie-, oxidatie- en gloeitoepassingen op hoge temperatuur bij de productie van halfgeleiders, fotovoltaïsche en geavanceerde materialen.

Als kerncomponent van de reactiekamer in horizontale thermische verwerkingssystemen heeft de procesbuis een directe invloed op de temperatuuruniformiteit, de controle op vervuiling, de processtabiliteit en de algehele levensduur van de apparatuur.

Onze SiC horizontale procesbuizen worden vervaardigd met behulp van geavanceerde monolithische 3D-printtechnologie in combinatie met ultrazuivere CVD siliciumcarbide coating. De naadloze structuur uit één stuk elimineert lasnaden en assemblage-gerelateerde zwakke punten, waardoor de mechanische betrouwbaarheid en lekbestendigheid bij continu gebruik op hoge temperatuur sterk verbeteren.

Vergeleken met conventionele kwarts procesbuizen biedt siliciumcarbide een aanzienlijk hogere thermische geleidbaarheid, een betere weerstand tegen thermische schokken, een superieure weerstand tegen corrosie en een langere operationele levensduur, vooral in agressieve oxiderende en chloorhoudende procesomgevingen.

Het product is geoptimaliseerd voor schone verwerkingsomgevingen van halfgeleidergrade die een lage deeltjesgeneratie, een lage metaalvervuiling en stabiele thermische prestaties tot 1250°C vereisen.

Belangrijkste kenmerken

Monolithische structuur uit één stuk SiC

De geïntegreerde 3D-geprinte behuizing van siliciumcarbide elimineert naden, soldeerpunten en potentiële lekkagepaden die in traditionele geassembleerde structuren te vinden zijn.

Voordelen zijn onder andere:

• Hogere structurele stabiliteit
• Verbeterde vacuümintegriteit
• Betere dimensionale consistentie
• Verminderde thermische stressconcentratie

CVD SiC-coating met ultrahoge zuiverheid

De dichte CVD siliciumcarbide coating zorgt voor:

• Oppervlakteverontreinigingen onder 5 ppm
• Uitstekende chemische inertie
• Minder vervuiling door deeltjes
• Superieure weerstand tegen oxidatie en chloorhoudende gassen

Dit maakt de procesbuis geschikt voor geavanceerde thermische verwerkingstoepassingen voor halfgeleiders.

Uitstekend warmtegeleidingsvermogen

Siliciumcarbide heeft een veel hoger warmtegeleidingsvermogen dan kwarts of aluminiumoxide, wat helpt:

• Snellere thermische respons
• Verbeterde axiale en radiale temperatuuruniformiteit
• Stabiele condities voor verwerking van wafers

Uitstekende weerstand tegen thermische schokken

De buis is bestand tegen herhaalde snelle opwarm- en afkoelcycli zonder barsten, vervorming of afsplintering van de coating.

Lange levensduur

Vergeleken met kwarts procesbuizen bieden SiC buizen:

• Langere vervangingsintervallen
• Lagere onderhoudsfrequentie
• Minder uitvaltijd in de kamer
• Verbeterde totale eigendomskosten (TCO)

Typische toepassingen

Productie van halfgeleiders

Geschikt voor:

• LPCVD-systemen
• CVD-depositieapparatuur
• Oxidatieovens
• Diffusieovens
• Gloeisystemen
• Thermische behandelingsprocessen voor wafers

Fotovoltaïsche industrie

Gebruikt in:

• Diffusieverwerking van zonnecellen
• Oppervlakte passivering
• Afzetting van dunne film
• Behandeling van wafers bij hoge temperatuur

Geavanceerde materiaalverwerking

Van toepassing op:

• Carbonisatieprocessen
• Nitridatiebehandeling
• Functionele dunnefilmvorming
• Activering en modificatie van het oppervlak

Procescompatibiliteit

Compatibele procesatmosferen

• Zuurstof (O₂)
• Stikstof (N₂)
• Hoogzuivere inerte gassen
• Gecontroleerde chloorhoudende gassen
• Oxiderende atmosferen

Typisch procesvenster

Parameter	Specificatie
Maximale continue bedrijfstemperatuur	1250°C
Drukbereik	LPCVD vacuüm tot bijna atmosferisch
Weerstand tegen thermische schokken	Uitstekend
Lekdichtheid	≤ 1×10-⁹ Pa-m³/s
Oppervlakteruwheid	Ra ≤ 0,8-1,6 µm
Zuiverheid van de coating	＜ 5 ppm
Substraat Onzuiverheid	＜ 300 ppm

Technische specificaties

Item	Specificatie
Productnaam	Siliciumcarbide horizontale procesbuis
Materiaal	Hoogzuiver siliciumcarbide
Coating	CVD SiC-coating
Productieproces	Monolithisch 3D printen
Maximale bedrijfstemperatuur	≤ 1250°C
Thermische geleidbaarheid	Hoog
Weerstand tegen thermische schokken	Uitstekend
Corrosiebestendigheid	Uitstekend
Oppervlakteruwheid	Ra ≤ 0,8-1,6 µm
Onzuiverheden coating	＜ 5 ppm
Lekdichtheid	≤ 1×10-⁹ Pa-m³/s
Typische toepassingen	LPCVD / CVD / Diffusie / Oxidatie

Voordelen ten opzichte van traditionele procesbuizen

Eigendom	SiC-procesbuis	Kwartsbuis	Aluminiumoxide buis
Thermische geleidbaarheid	Hoog	Laag	Laag
Weerstand tegen thermische schokken	Uitstekend	Zwak	Matig
Corrosiebestendigheid	Uitstekend	Matig	Goed
Deeltjesregeling	Uitstekend	Matig	Matig
Levensduur	Lang	Kort	Medium
Stabiliteit bij hoge temperatuur	Uitstekend	Matig	Goed

Aanpassingsopties

Aangepaste specificaties zijn beschikbaar op basis van de apparatuurvereisten van de klant, inclusief:

• Buisdiameter en -lengte
• Wanddikte optimalisatie
• Flens- en interfacestructuren
• Functionele gaspoorten
• Binnen/buiten coating configuraties
• Oppervlaktepolijstkwaliteiten
• Netheidsnormen

FAQ

V1: Waarom kiezen voor siliciumcarbide in plaats van kwarts procesbuizen?

Siliciumcarbide biedt een hogere thermische geleidbaarheid, minder vervuiling, een betere weerstand tegen thermische schokken en een aanzienlijk langere levensduur dan kwarts, vooral in halfgeleiderprocessen bij hoge temperaturen.

V2: Welke processen zijn compatibel met deze buis?

De buis is geschikt voor LPCVD, CVD, diffusie, oxidatie, gloeien, passiveren en andere thermische verwerkingstoepassingen bij hoge temperatuur.

V3: Kan de buis worden gebruikt in chloorhoudende omgevingen?

Ja. De CVD SiC coating biedt uitstekende weerstand tegen gecontroleerde chloorhoudende procesomgevingen.