A bucha de vácuo SiC para ligação de bolachas é um componente de adsorção de cerâmica de precisão de elevado desempenho, concebido para aplicações avançadas de embalagem de semicondutores e de ligação de bolachas.
Fabricado com carboneto de silício (SiC) CVD de elevada pureza ou com tecnologias avançadas de SiC sinterizado, este mandril de vácuo proporciona uma estabilidade térmica excecional, uma rigidez ultraelevada e uma precisão de superfície ao nível submicrónico para processos de ligação críticos.
Através de estruturas de adsorção de vácuo de precisão e de um processamento de superfície ultra-plana, o mandril segura com segurança os wafers durante as operações de montagem wafer-to-wafer (W2W), chip-to-wafer (C2W), colagem híbrida, embalagem MEMS e montagem avançada de semicondutores.
A sua baixa expansão térmica e estabilidade dimensional superior garantem um posicionamento exato da bolacha, minimizando a deformação térmica durante os processos a temperaturas elevadas.
Caraterísticas principais
Superfície de adsorção de pastilha ultra-plana
- Planicidade da superfície ≤ 1 μm
- Paralelismo ≤ 1 μm
- Assegura um contacto altamente uniforme com a bolacha
- Melhora a precisão do alinhamento da ligação
A planicidade espelhada minimiza a tensão local e reduz a deformação da bolacha durante a colagem.
Polimento de espelhos ultra-suave
Rugosidade da superfície:
Ra ≤ 0,01 μm
Benefícios:
- Redução da contaminação por partículas
- Desempenho melhorado da selagem a vácuo
- Adsorção estável da pastilha
- Compatibilidade com salas limpas de semicondutores
Estabilidade térmica excecional
O carboneto de silício apresenta-se:
- Baixo coeficiente de expansão térmica (~4,5×10-⁶/°C)
- Elevada condutividade térmica
- Excelente estabilidade dimensional
Isto permite que o mandril mantenha um posicionamento preciso em condições de colagem a temperaturas elevadas.
Elevada rigidez mecânica
Módulo de elasticidade:
>400 GPa
Vantagens:
- Evita a deformação sob pressão
- Suporta uma elevada precisão de carregamento de bolachas
- Melhora a consistência do processo
A elevada rigidez é fundamental para processos de alinhamento submicrónicos.
Conceção precisa do canal de vácuo
Maquinação de ranhuras a vácuo de alta precisão:
Exatidão:
±5 μm
Assegura:
- Distribuição uniforme da força de adsorção
- Fixação estável da pastilha
- Redução da concentração local de tensões
Especificações técnicas
| Item | Especificação |
|---|---|
| Material | Carboneto de silício de alta pureza |
| Pureza SiC | ≥99.999% |
| Nivelamento da superfície | ≤1 μm |
| Rugosidade da superfície | Ra ≤0,01 μm |
| Módulo de elasticidade | >400 GPa |
| Condutividade térmica | ~120 W/m-K |
| Densidade | ≥3,1 g/cm³ |
| CTE | ~4.5×10-⁶/°C |
| Precisão da ranhura | ±5 μm |
| Temperatura de funcionamento | RT-400°C |
| Tratamento de superfície | Espelho polido |
| Tamanho da pastilha | Personalizado disponível |
Aplicações
Embalagem avançada de semicondutores
Amplamente utilizado em:
- Ligação wafer-to-wafer (W2W)
- Ligação chip-to-wafer (C2W)
- Ligação híbrida
- Processos de termocompressão Cu-Cu
- Embalagem IC 3D
- Sistema em pacote (SiP)
Embalagem de dispositivos MEMS
Fornece um suporte de bolacha estável para:
- Colagem por vácuo
- Ligação anódica
- Encapsulamento do sensor
A estrutura rígida protege os dispositivos MEMS sensíveis da distorção térmica ou mecânica.
Dispositivos semicondutores de potência
Adequado para:
- Embalagem de módulos SiC
- Conjunto de dispositivos de potência GaN
- Sinterização da prata
- Ligação TLP
A excelente estabilidade térmica garante a consistência do processo.
Fotónica e fabrico de micro-LED
Apoios:
- Sistemas de transferência micro-LED
- Colagem de vidro-silício
- Integração de dispositivos ópticos
- Posicionamento preciso do substrato
Vantagens do produto
- Material SiC de pureza ultra-elevada
- Planicidade da superfície ≤1 μm
- Superfície de adsorção polida
- Excelente estabilidade térmica
- Elevada rigidez e resistência
- Baixa contaminação de partículas
- Maquinação de precisão de canais de vácuo
- Adequado para ambientes de embalagem avançados
- Geometria personalizada disponível
Opções de personalização
Fornecemos personalização completa OEM/ODM com base em desenhos ou requisitos de aplicação:
- Diâmetros de bolacha personalizados
- Disposição das ranhuras de vácuo
- Estruturas de orifícios de passagem
- Opções de polimento de espelhos
- Zonas especiais de adsorção
- Limpeza de semicondutores
- Processamento ultra-plano
- Geometrias complexas de cerâmica
Todos os produtos podem ser embalados em ambientes de sala limpa de Classe 100 para aplicações de semicondutores.
FAQ
Q1: Porquê utilizar SiC em vez de mandris de vácuo de alumínio ou quartzo?
SiC oferece:
- Menor expansão térmica
- Maior rigidez
- Melhor resistência à temperatura
- Redução do risco de contaminação
- Vida útil mais longa
Q2: Que processos de ligação são suportados?
Compatível com:
- Ligação W2W
- Ligação C2W
- Ligação híbrida
- Colagem por termocompressão
- Ligação MEMS
Q3: Podem ser fabricadas ranhuras de vácuo personalizadas?
Sim. Os padrões de ranhura, a disposição dos orifícios, as áreas de adsorção e as dimensões podem ser personalizados.
Q4: Está disponível uma limpeza de grau de semicondutor?
Sim. Os produtos podem ser limpos e embalados em condições de sala limpa de classe 100.
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