Das horizontale Prozessrohr für Siliziumkarbid (SiC) ist für Hochtemperatur-LPCVD-, CVD-, Diffusions-, Oxidations- und Glühanwendungen in der Halbleiter-, Photovoltaik- und modernen Materialherstellung konzipiert.

Als Kernkomponente der Reaktionskammer in horizontalen thermischen Verarbeitungssystemen hat das Prozessrohr direkten Einfluss auf die Temperaturgleichmäßigkeit, die Kontaminationskontrolle, die Prozessstabilität und die Gesamtlebensdauer der Anlage.

Unsere horizontalen SiC-Prozessrohre werden mittels fortschrittlicher monolithischer 3D-Drucktechnologie in Kombination mit einer ultrahochreinen CVD-Siliziumkarbidbeschichtung hergestellt. Die nahtlose, einteilige Struktur eliminiert Schweißnähte und montagebedingte Schwachstellen, was die mechanische Zuverlässigkeit und die Leckagefestigkeit im Hochtemperatur-Dauerbetrieb erheblich verbessert.

Im Vergleich zu herkömmlichen Prozessrohren aus Quarz bietet Siliziumkarbid eine deutlich höhere Wärmeleitfähigkeit, eine bessere Temperaturwechselbeständigkeit, eine bessere Korrosionsbeständigkeit und eine längere Betriebsdauer, insbesondere in aggressiven oxidierenden und chlorhaltigen Prozessumgebungen.

Das Produkt ist für saubere Verarbeitungsumgebungen in der Halbleiterindustrie optimiert, die eine geringe Partikelbildung, eine geringe Metallkontamination und eine stabile thermische Leistung bis zu 1250 °C erfordern.

Wesentliche Merkmale

Monolithische einteilige SiC-Struktur

Der integrierte 3D-gedruckte Siliziumkarbidkörper macht Nähte, Lötstellen und potenzielle Leckagepfade überflüssig, die bei herkömmlichen montierten Strukturen auftreten.

Die Vorteile umfassen:

• Höhere strukturelle Stabilität
• Verbesserte Vakuumintegrität
• Bessere dimensionale Konsistenz
• Reduzierte thermische Spannungskonzentration

Ultrahochreine CVD-SiC-Beschichtung

Die dichte CVD-Siliziumkarbid-Beschichtung bietet:

• Oberflächenverunreinigungen unter 5 ppm
• Ausgezeichnete chemische Inertheit
• Geringere Partikelverschmutzung
• Hervorragende Beständigkeit gegen Oxidation und chlorhaltige Gase

Dadurch eignet sich das Prozessrohr für fortschrittliche Anwendungen der thermischen Halbleiterverarbeitung.

Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit

Siliziumkarbid bietet eine viel höhere Wärmeleitfähigkeit als Quarz oder Aluminiumoxid und trägt so zur Erreichung dieses Ziels bei:

• Schnelleres thermisches Ansprechen
• Verbesserte axiale und radiale Temperaturgleichmäßigkeit
• Stabile Verarbeitungsbedingungen für Wafer

Hervorragende Temperaturwechselbeständigkeit

Das Rohr kann wiederholten schnellen Heiz- und Kühlzyklen standhalten, ohne dass es zu Rissen, Verformungen oder Abplatzungen der Beschichtung kommt.

Lange Lebensdauer

Im Vergleich zu Quarz-Prozessrohren bieten SiC-Rohre:

• Längere Austauschintervalle
• Geringere Wartungshäufigkeit
• Geringere Ausfallzeiten der Kammer
• Verbesserte Gesamtbetriebskosten (TCO)

Typische Anwendungen

Herstellung von Halbleitern

Geeignet für:

• LPCVD-Anlagen
• CVD-Beschichtungsanlagen
• Oxidationsöfen
• Diffusionsöfen
• Systeme zum Glühen
• Verfahren zur thermischen Behandlung von Wafern

Fotovoltaik-Industrie

Verwendet in:

• Diffusionsverfahren für Solarzellen
• Oberflächenpassivierung
• Dünnschichtige Abscheidung
• Hochtemperaturbehandlung von Wafern

Fortgeschrittene Materialverarbeitung

Anwendbar auf:

• Karbonisierungsverfahren
• Nitrierungsbehandlung
• Funktionale Dünnschichtbildung
• Oberflächenaktivierung und -modifikation

Prozess-Kompatibilität

Kompatible Prozess-Atmosphären

• Sauerstoff (O₂)
• Stickstoff (N₂)
• Hochreine Inertgase
• Kontrollierte chlorhaltige Gase
• Oxidierende Atmosphären

Typisches Prozessfenster

Parameter	Spezifikation
Maximale kontinuierliche Betriebstemperatur	1250°C
Druckbereich	LPCVD Vakuum bis nahe Atmosphäre
Widerstandsfähigkeit gegen thermische Schocks	Ausgezeichnet
Leckdichtigkeit	≤ 1×10-⁹ Pa-m³/s
Oberflächenrauhigkeit	Ra ≤ 0,8-1,6 µm
Reinheit der Beschichtung	＜ 5 ppm
Substrat Verunreinigung	＜ 300 ppm

Technische Daten

Artikel	Spezifikation
Produktname	Horizontales Prozessrohr aus Siliziumkarbid
Material	Hochreines Siliziumkarbid
Beschichtung	CVD-SiC-Beschichtung
Herstellungsprozess	Monolithischer 3D-Druck
Maximale Betriebstemperatur	≤ 1250°C
Wärmeleitfähigkeit	Hoch
Widerstandsfähigkeit gegen thermische Schocks	Ausgezeichnet
Korrosionsbeständigkeit	Ausgezeichnet
Oberflächenrauhigkeit	Ra ≤ 0,8-1,6 µm
Verunreinigungen der Beschichtung	＜ 5 ppm
Leckdichtigkeit	≤ 1×10-⁹ Pa-m³/s
Typische Anwendungen	LPCVD / CVD / Diffusion / Oxidation

Vorteile gegenüber herkömmlichen Prozessrohren

Eigentum	SiC-Prozess-Rohr	Quarzrohr	Tonerde-Rohr
Wärmeleitfähigkeit	Hoch	Niedrig	Niedrig
Widerstandsfähigkeit gegen thermische Schocks	Ausgezeichnet	Schwach	Mäßig
Korrosionsbeständigkeit	Ausgezeichnet	Mäßig	Gut
Partikelkontrolle	Ausgezeichnet	Mäßig	Mäßig
Nutzungsdauer	Lang	Kurz	Mittel
Stabilität bei hohen Temperaturen	Ausgezeichnet	Mäßig	Gut

Anpassungsoptionen

Kundenspezifische Spezifikationen sind je nach den Ausstattungsanforderungen des Kunden erhältlich, einschließlich:

• Rohrdurchmesser und Länge
• Optimierung der Wandstärke
• Flansch- und Schnittstellenstrukturen
• Funktionsfähige Gasanschlüsse
• Konfigurationen für Innen-/Außenbeschichtung
• Oberflächengüteklassen zum Polieren
• Sauberkeitsstandards

FAQ

F1: Warum sollte man sich für Siliziumkarbid anstelle von Quarzrohren entscheiden?

Siliziumkarbid bietet eine höhere Wärmeleitfähigkeit, geringere Verschmutzung, bessere Temperaturwechselbeständigkeit und eine deutlich längere Lebensdauer als Quarz, insbesondere bei Hochtemperatur-Halbleiterprozessen.

F2: Welche Verfahren sind mit diesem Rohr kompatibel?

Das Rohr eignet sich für LPCVD-, CVD-, Diffusions-, Oxidations-, Glüh-, Passivierungs- und andere thermische Hochtemperaturverarbeitungsanwendungen.

F3: Kann das Rohr in chlorhaltigen Atmosphären betrieben werden?

Ja. Die CVD-SiC-Beschichtung bietet eine hervorragende Beständigkeit gegen kontrollierte chlorhaltige Prozessumgebungen.