La placa cerámica escalonada de carburo de silicio (SiC) es un componente cerámico estructural de alto rendimiento diseñado para equipos de procesamiento de semiconductores y sistemas industriales de alta temperatura. Con un perfil escalonado mecanizado con precisión, el componente permite un posicionamiento preciso, un montaje seguro y una excelente estabilidad dimensional en entornos de proceso exigentes.
Fabricado a partir de cerámica de carburo de silicio de gran pureza, este componente ofrece una resistencia excepcional a la exposición al plasma, el choque térmico, la corrosión química y las temperaturas extremas. Su elevada rigidez y conductividad térmica lo hacen ideal para aplicaciones estructurales y de protección en el interior de equipos semiconductores.
Diseñadas para ofrecer fiabilidad a largo plazo, las placas cerámicas escalonadas de SiC se utilizan ampliamente en cámaras de proceso, sistemas de vacío, equipos térmicos y aplicaciones de semiconductores relacionadas con el plasma.
Características principales
Material de carburo de silicio de gran pureza
Fabricado en cerámica SiC ≥99% con excelentes prestaciones térmicas y mecánicas.
Estructura escalonada de precisión
La geometría escalonada de los bordes proporciona un posicionamiento preciso y un montaje mecánico estable.
Excelente estabilidad térmica
Capaz de funcionar continuamente a temperaturas superiores a 1600°C en entornos inertes con una deformación mínima.
Excelente resistencia al plasma
Resistente a la erosión por plasma y a los gases de proceso corrosivos utilizados en la fabricación de semiconductores.
Alta conductividad térmica
La conductividad térmica de 120-200 W/m-K permite una transferencia de calor eficaz y la uniformidad de la temperatura.
Alta resistencia mecánica
Excelente rigidez y resistencia al desgaste para un funcionamiento a largo plazo en condiciones exigentes.
Compatible con vacío
Sus características de baja desgasificación lo hacen adecuado para entornos de procesamiento limpios y al vacío.
Totalmente personalizable
Las dimensiones, la estructura de los escalones, las tolerancias y la geometría de los bordes pueden personalizarse según los planos.
Aplicaciones típicas
- Cámaras de proceso de semiconductores
- Sistemas CVD / PECVD / LPCVD
- Equipo de grabado por plasma
- Tapas de cámara y de camisa
- Estructuras de soporte para altas temperaturas
- Sistemas de tratamiento al vacío
- Componentes cerámicos orientados al plasma
- Equipos de fabricación optoelectrónica
Especificaciones técnicas
| Artículo | Especificación |
|---|---|
| Material | Carburo de silicio (SiC) |
| Pureza | ≥99% |
| Densidad | 3,10-3,20 g/cm³ |
| Dureza | ≥2500 HV |
| Resistencia a la flexión | ≥350 MPa |
| Módulo elástico | ~410 GPa |
| Conductividad térmica | 120-200 W/m-K |
| Coeficiente de dilatación térmica | ~4.0 ×10-⁶ /K |
| Temperatura máxima (atmósfera inerte) | >1600°C |
| Temperatura máxima (aire) | ~1400°C |
| Acabado superficial | Esmerilado / Pulido opcional |
| Compatibilidad medioambiental | Vacío, plasma, gas corrosivo |
Capacidad de fabricación
Apoyamos tecnologías avanzadas de procesamiento de cerámica, entre ellas
- Mecanizado CNC de precisión
- Rectificado de superficies
- Lapeado fino y pulido
- Mecanizado por pasos a medida
- Procesado de biseles
- Fabricación con tolerancias estrictas
- Prototipos y producción en serie
Opciones de personalización
La personalización disponible incluye:
- Diámetro exterior y grosor
- Altura y anchura del escalón
- Requisitos de planitud
- Control de la rugosidad superficial
- Estructura de cantos y chaflanes
- Opciones de pulido fino
- Producción OEM basada en dibujos
Ventajas de los componentes cerámicos de SiC
En comparación con los materiales convencionales, la cerámica SiC ofrece:
- Mayor conductividad térmica
- Mayor resistencia al choque térmico
- Durabilidad superior del plasma
- Menor dilatación térmica
- Gran estabilidad química
- Mayor vida útil de los equipos semiconductores
PREGUNTAS FRECUENTES
P1: ¿Cuál es el objetivo principal de la estructura escalonada?
La geometría escalonada permite un posicionamiento preciso y un montaje fiable en el interior de los equipos de proceso.
P2: ¿Puede este componente resistir entornos de plasma?
Sí. El carburo de silicio tiene una excelente resistencia a la erosión por plasma y a los gases corrosivos del proceso.
P3: ¿Es compatible el componente con el vacío?
Sí. El material presenta una baja desgasificación y un rendimiento estable en condiciones de vacío.
P4: ¿Se pueden personalizar las dimensiones?
Sí. El tamaño, el perfil de paso, las tolerancias y las características de los bordes pueden fabricarse según los requisitos del cliente.
P5: ¿Existen versiones pulidas?
El esmerilado fino y el pulido pueden realizarse opcionalmente en función de los requisitos de la aplicación.
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