Kundenspezifische gestufte Siliziumkarbid-Keramikplatte für Hochtemperatur-Halbleiteranlagen

Die gestufte Keramikplatte aus Siliziumkarbid (SiC) ist ein hochleistungsfähiges keramisches Strukturbauteil, das für Halbleiterverarbeitungsanlagen und industrielle Hochtemperatursysteme entwickelt wurde. Mit ihrem präzisionsgefertigten Stufenprofil ermöglicht die Komponente eine genaue Positionierung, eine sichere Montage und eine hervorragende Dimensionsstabilität in anspruchsvollen Prozessumgebungen.

 Die gestufte Keramikplatte aus Siliziumkarbid (SiC) ist ein hochleistungsfähiges keramisches Strukturbauteil, das für Halbleiterverarbeitungsanlagen und industrielle Hochtemperatursysteme entwickelt wurde. Mit ihrem präzisionsgefertigten Stufenprofil ermöglicht die Komponente eine genaue Positionierung, eine sichere Montage und eine hervorragende Dimensionsstabilität in anspruchsvollen Prozessumgebungen.

Dieses aus hochreiner Siliziumkarbid-Keramik hergestellte Bauteil bietet eine außergewöhnliche Widerstandsfähigkeit gegen Plasmabelastung, Temperaturschocks, chemische Korrosion und extreme Temperaturen. Seine hohe Steifigkeit und Wärmeleitfähigkeit machen es ideal für strukturelle und schützende Anwendungen in Halbleitergeräten.

SiC-Stufen-Keramikplatten sind für langfristige Zuverlässigkeit ausgelegt und werden häufig in Prozesskammern, Vakuumsystemen, thermischen Geräten und plasmabezogenen Halbleiteranwendungen eingesetzt.


Wesentliche Merkmale

Hochreines Siliziumkarbid-Material

Hergestellt aus ≥99% SiC-Keramik mit hervorragenden thermischen und mechanischen Eigenschaften.

Präzise gestufte Struktur

Die abgestufte Kantengeometrie ermöglicht eine genaue Positionierung und eine stabile mechanische Montage.

Hervorragende thermische Stabilität

Geeignet für den Dauerbetrieb bei Temperaturen über 1600°C in inerter Umgebung mit minimaler Verformung.

Ausgezeichnete Plasmabeständigkeit

Widerstandsfähig gegen Plasmaerosion und korrosive Prozessgase, die bei der Halbleiterherstellung verwendet werden.

Hohe Wärmeleitfähigkeit

Eine Wärmeleitfähigkeit von 120-200 W/m-K ermöglicht eine effiziente Wärmeübertragung und Temperaturgleichmäßigkeit.

Hohe mechanische Festigkeit

Hervorragende Steifigkeit und Verschleißfestigkeit für den Langzeitbetrieb unter anspruchsvollen Bedingungen.

Vakuum-kompatibel

Aufgrund seiner geringen Ausgasungseigenschaften ist es für saubere und vakuumtechnische Umgebungen geeignet.

Vollständig anpassbar

Abmessungen, Stufenstruktur, Toleranzen und Kantengeometrie können nach Zeichnung angepasst werden.


Typische Anwendungen

  • Halbleiter-Prozesskammern
  • CVD / PECVD / LPCVD-Anlagen
  • Plasma-Ätzgeräte
  • Kammerabdeckungen und Innenraumkappen
  • Hochtemperatur-Tragwerke
  • Vakuum-Bearbeitungssysteme
  • Plasmabeschichtete keramische Komponenten
  • Optoelektronische Fertigungsanlagen

Technische Daten

Artikel Spezifikation
Material Siliziumkarbid (SiC)
Reinheit ≥99%
Dichte 3,10-3,20 g/cm³
Härte ≥2500 HV
Biegefestigkeit ≥350 MPa
Elastischer Modul ~410 GPa
Wärmeleitfähigkeit 120-200 W/m-K
Wärmeausdehnungskoeffizient ~4.0 ×10-⁶ /K
Maximale Temperatur (inerte Atmosphäre) >1600°C
Maximale Temperatur (Luft) ~1400°C
Oberfläche Geschliffen / Optionales Polieren
Umweltverträglichkeit Vakuum, Plasma, korrosives Gas

Produktionskapazitäten

Wir unterstützen fortschrittliche keramische Verarbeitungstechnologien, darunter:

  • CNC-Präzisionsbearbeitung
  • Flachschleifen
  • Feines Läppen und Polieren
  • Individuelle Stufenbearbeitung
  • Bearbeitung der Kantenfase
  • Fertigung mit engen Toleranzen
  • Prototyp und Serienproduktion

Anpassungsoptionen

Die verfügbaren Anpassungen umfassen:

  • Äußerer Durchmesser und Dicke
  • Stufenhöhe und -breite
  • Anforderungen an die Ebenheit
  • Kontrolle der Oberflächenrauhigkeit
  • Kantenstruktur und Fasen
  • Optionen zum Feinpolieren
  • Zeichnungsbasierte OEM-Produktion

Vorteile von SiC-Keramikkomponenten

Im Vergleich zu herkömmlichen Materialien bietet SiC-Keramik:

  • Höhere Wärmeleitfähigkeit
  • Bessere Temperaturwechselbeständigkeit
  • Hervorragende Haltbarkeit des Plasmas
  • Geringere Wärmeausdehnung
  • Hohe chemische Stabilität
  • Längere Lebensdauer von Halbleiteranlagen

FAQ

F1: Was ist der Hauptzweck der gestuften Struktur?
Die abgestufte Geometrie ermöglicht eine präzise Positionierung und eine zuverlässige Montage in Prozessanlagen.

F2: Kann dieses Bauteil Plasmaumgebungen standhalten?
Ja, Siliziumkarbid hat eine ausgezeichnete Beständigkeit gegen Plasmaerosion und korrosive Prozessgase.

F3: Ist das Bauteil vakuumtauglich?
Ja. Das Material weist eine geringe Ausgasung und eine stabile Leistung unter Vakuumbedingungen auf.

F4: Können die Abmessungen angepasst werden?
Ja, Größe, Stufenprofil, Toleranzen und Kantenmerkmale können je nach Kundenwunsch hergestellt werden.

F5: Sind polierte Versionen verfügbar?
Feinschleifen und Polieren sind je nach den Anforderungen der Anwendung optional möglich.

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