半導體高溫設備專用碳化矽階梯陶瓷板

碳化矽 (SiC) 階梯陶瓷板是專為半導體製程設備和高溫工業系統而設計的高性能結構陶瓷元件。該元件具有精密加工的階梯剖面,可在嚴苛的製程環境中實現精確定位、安全組裝和出色的尺寸穩定性。.

 碳化矽 (SiC) 階梯陶瓷板是專為半導體製程設備和高溫工業系統而設計的高性能結構陶瓷元件。該元件具有精密加工的階梯剖面,可在嚴苛的製程環境中實現精確定位、安全組裝和出色的尺寸穩定性。.

此元件由高純度碳化矽陶瓷製成,具有極佳的抗電漿曝露、熱衝擊、化學腐蝕和極端溫度的能力。其高剛性和熱傳導性使其成為半導體設備內部結構和保護應用的理想選擇。.

SiC 梯級陶瓷板專為長期可靠性而設計,廣泛應用於製程室、真空系統、熱設備以及與電漿相關的半導體應用。.


主要功能

高純度碳化矽材料

由≥99% SiC 陶瓷製成,具有優異的熱能和機械性能。.

精密階梯結構

階梯邊緣幾何形狀可提供精確的定位和穩定的機械組裝。.

出色的熱穩定性

可在 1600°C 以上的惰性環境中連續工作,且變形極小。.

優異的耐電漿性

可抵抗半導體製造過程中使用的電漿侵蝕和腐蝕性製程氣體。.

高導熱性

120-200 W/m-K 的熱傳導率可實現高效的熱傳導和溫度均勻性。.

高機械強度

優異的剛性與耐磨性,可在嚴苛的條件下長時間運作。.

真空相容

低放氣特性使其適用於潔淨和真空加工環境。.

完全客製化

尺寸、步進結構、公差和邊緣幾何均可根據圖紙定制。.


典型應用

  • 半導體製程室
  • CVD / PECVD / LPCVD 系統
  • 等離子蝕刻設備
  • 室蓋和襯墊蓋
  • 高溫支撐結構
  • 真空處理系統
  • 面向等離子體的陶瓷元件
  • 光電製造設備

技術規格

項目 規格
材質 碳化矽 (SiC)
純淨 ≥99%
密度 3.10-3.20 g/cm³
硬度 ≥2500 HV
彎曲強度 ≥350 MPa
彈性模數 ~410 GPa
熱傳導 120-200 W/m-K
熱膨脹係數 ~4.0 ×10-⁶ /K
最高溫度 (惰性氣氛) >1600°C
最高溫度 (空氣) ~1400°C
表面處理 研磨 / 可選擇拋光
環境相容性 真空、電漿、腐蝕性氣體

製造能力

我們支援先進的陶瓷加工技術,包括

  • 精密 CNC 加工
  • 表面研磨
  • 精細研磨和拋光
  • 客製化階段加工
  • 邊緣倒角加工
  • 嚴格公差製造
  • 原型和批量生產

客製化選項

可用的客製化功能包括

  • 外徑和厚度
  • 台階高度和寬度
  • 平面度要求
  • 表面粗糙度控制
  • 邊緣結構和倒角
  • 精細拋光選項
  • 以圖紙為基礎的 OEM 生產

SiC 陶瓷元件的優勢

與傳統材料相比,SiC 陶瓷具有以下優點:

  • 更高的熱導率
  • 更好的抗熱震性
  • 優異的電漿耐用性
  • 較低的熱膨脹
  • 強大的化學穩定性
  • 半導體設備使用壽命更長

常見問題

Q1: 階梯式結構的主要目的是什麼?
階梯狀的幾何形狀可實現製程設備內的精確定位和可靠組裝。.

Q2: 此元件能否承受等離子環境?
是的,碳化矽具有極佳的耐電漿侵蝕性和耐腐蝕性製程氣體。.

Q3: 元件是否真空相容?
是的,該材料在真空條件下具有低放氣性和穩定的性能。.

Q4: 尺寸可以自訂嗎?
可以,尺寸、階段輪廓、公差和邊緣特徵都可以根據客戶的要求生產。.

Q5: 是否提供拋光版本?
可根據應用需求提供選配的精細研磨和拋光。.

商品評價

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