La piastra ceramica a gradini in carburo di silicio (SiC) è un componente ceramico strutturale ad alte prestazioni progettato per le apparecchiature di lavorazione dei semiconduttori e i sistemi industriali ad alta temperatura. Caratterizzato da un profilo a gradini lavorato con precisione, il componente consente un posizionamento accurato, un assemblaggio sicuro e un'eccellente stabilità dimensionale in ambienti di processo difficili.
Realizzato in ceramica di carburo di silicio di elevata purezza, questo componente offre un'eccezionale resistenza all'esposizione al plasma, agli shock termici, alla corrosione chimica e alle temperature estreme. La sua elevata rigidità e conducibilità termica lo rendono ideale per applicazioni strutturali e protettive all'interno di apparecchiature a semiconduttore.
Progettate per garantire un'affidabilità a lungo termine, le piastre ceramiche a gradini SiC sono ampiamente utilizzate nelle camere di processo, nei sistemi a vuoto, nelle apparecchiature termiche e nelle applicazioni dei semiconduttori legate al plasma.
Caratteristiche principali
Materiale in carburo di silicio di elevata purezza
Realizzato in ceramica SiC ≥99% con eccellenti prestazioni termiche e meccaniche.
Struttura a gradini di precisione
La geometria dei bordi a gradini garantisce un posizionamento preciso e un assemblaggio meccanico stabile.
Eccezionale stabilità termica
In grado di funzionare ininterrottamente a temperature superiori a 1600°C in ambienti inerti con deformazioni minime.
Eccellente resistenza al plasma
Resistente all'erosione del plasma e ai gas di processo corrosivi utilizzati nella produzione di semiconduttori.
Alta conducibilità termica
La conducibilità termica di 120-200 W/m-K consente un efficiente trasferimento di calore e l'uniformità della temperatura.
Alta resistenza meccanica
Eccellente rigidità e resistenza all'usura per un funzionamento a lungo termine in condizioni difficili.
Compatibile con il vuoto
Le caratteristiche di basso degassamento lo rendono adatto agli ambienti di lavorazione puliti e sotto vuoto.
Completamente personalizzabile
Le dimensioni, la struttura a gradini, le tolleranze e la geometria dei bordi possono essere personalizzate in base ai disegni.
Applicazioni tipiche
- Camere di processo per semiconduttori
- Sistemi CVD / PECVD / LPCVD
- Apparecchiature per l'incisione al plasma
- Coperchi delle camere e tappi delle fodere
- Strutture di supporto per alte temperature
- Sistemi di lavorazione sottovuoto
- Componenti ceramici rivolti al plasma
- Apparecchiature di produzione optoelettronica
Specifiche tecniche
| Articolo | Specifiche |
|---|---|
| Materiale | Carburo di silicio (SiC) |
| La purezza | ≥99% |
| Densità | 3,10-3,20 g/cm³ |
| Durezza | ≥2500 HV |
| Resistenza alla flessione | ≥350 MPa |
| Modulo elastico | ~410 GPa |
| Conduttività termica | 120-200 W/m-K |
| Coefficiente di espansione termica | ~4.0 ×10-⁶ /K |
| Temperatura massima (atmosfera inerte) | >1600°C |
| Temperatura massima (aria) | ~1400°C |
| Finitura superficiale | Smerigliatura / Lucidatura opzionale |
| Compatibilità ambientale | Vuoto, plasma, gas corrosivi |
Capacità di produzione
Supportiamo tecnologie avanzate di lavorazione della ceramica, tra cui:
- Lavorazione CNC di precisione
- Rettifica di superficie
- Lappatura e lucidatura fine
- Lavorazione a gradini personalizzata
- Lavorazione dello smusso dei bordi
- Produzione con tolleranze strette
- Prototipi e produzione in serie
Opzioni di personalizzazione
La personalizzazione disponibile comprende:
- Diametro esterno e spessore
- Altezza e larghezza del gradino
- Requisiti di planarità
- Controllo della rugosità della superficie
- Struttura dei bordi e smussi
- Opzioni di lucidatura fine
- Produzione OEM su disegno
Vantaggi dei componenti in ceramica SiC
Rispetto ai materiali convenzionali, la ceramica SiC offre:
- Maggiore conducibilità termica
- Migliore resistenza agli shock termici
- Durata superiore del plasma
- Minore espansione termica
- Forte stabilità chimica
- Maggiore durata delle apparecchiature per semiconduttori
FAQ
D1: Qual è lo scopo principale della struttura a gradini?
La geometria a gradini consente un posizionamento preciso e un assemblaggio affidabile all'interno delle apparecchiature di processo.
D2: Questo componente è in grado di resistere agli ambienti al plasma?
Sì. Il carburo di silicio ha un'eccellente resistenza all'erosione del plasma e ai gas di processo corrosivi.
D3: Il componente è compatibile con il vuoto?
Sì. Il materiale presenta un basso degassamento e prestazioni stabili in condizioni di vuoto.
D4: Le dimensioni possono essere personalizzate?
Sì. Le dimensioni, il profilo dei gradini, le tolleranze e le caratteristiche dei bordi possono essere prodotti in base alle esigenze del cliente.
D5: Sono disponibili versioni lucide?
A seconda dei requisiti dell'applicazione, è possibile fornire una rettifica fine e una lucidatura opzionale.
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