Пользовательские карбида кремния ступенчатые керамические пластины для полупроводниковых высокой температуры оборудования

Ступенчатая керамическая пластина из карбида кремния (SiC) - это высокопроизводительный конструкционный керамический компонент, разработанный для оборудования по обработке полупроводников и высокотемпературных промышленных систем. Благодаря прецизионно обработанному ступенчатому профилю этот компонент обеспечивает точное позиционирование, надежную сборку и превосходную стабильность размеров в сложных технологических условиях.

 Ступенчатая керамическая пластина из карбида кремния (SiC) - это высокопроизводительный конструкционный керамический компонент, разработанный для оборудования по обработке полупроводников и высокотемпературных промышленных систем. Благодаря прецизионно обработанному ступенчатому профилю этот компонент обеспечивает точное позиционирование, надежную сборку и превосходную стабильность размеров в сложных технологических условиях.

Изготовленный из высокочистой керамики карбида кремния, этот компонент обладает исключительной устойчивостью к воздействию плазмы, тепловому удару, химической коррозии и экстремальным температурам. Высокая жесткость и теплопроводность делают его идеальным для конструкционных и защитных применений внутри полупроводникового оборудования.

Созданные для обеспечения долговременной надежности, керамические пластины со ступенчатой структурой SiC широко используются в технологических камерах, вакуумных системах, тепловом оборудовании и плазменных системах, связанных с полупроводниками.


Основные характеристики

Материал карбид кремния высокой чистоты

Изготовлен из керамики ≥99% SiC с превосходными тепловыми и механическими характеристиками.

Прецизионная ступенчатая конструкция

Геометрия со ступенчатыми краями обеспечивает точное позиционирование и стабильность механической сборки.

Выдающаяся термическая стабильность

Способны непрерывно работать при температурах свыше 1600°C в инертной среде с минимальной деформацией.

Отличная устойчивость к плазме

Устойчивость к плазменной эрозии и коррозионным технологическим газам, используемым в производстве полупроводников.

Высокая теплопроводность

Теплопроводность 120-200 Вт/м-К обеспечивает эффективную теплопередачу и равномерность температуры.

Высокая механическая прочность

Отличная жесткость и износостойкость для длительной работы в сложных условиях.

Совместимость с вакуумом

Низкий уровень газовыделения делает его пригодным для использования в чистых и вакуумных условиях.

Полностью настраиваемый

Размеры, ступенчатая структура, допуски и геометрия кромок могут быть изготовлены по чертежам.


Типовые применения

  • Камеры для полупроводниковых процессов
  • Системы CVD / PECVD / LPCVD
  • Оборудование для плазменного травления
  • Крышки камер и вкладыши
  • Высокотемпературные опорные конструкции
  • Системы вакуумной обработки
  • Керамические компоненты с плазменным покрытием
  • Оборудование для оптико-электронного производства

Технические характеристики

Артикул Технические характеристики
Материал Карбид кремния (SiC)
Чистота ≥99%
Плотность 3,10-3,20 г/см³
Твердость ≥2500 HV
Прочность на изгиб ≥350 МПа
Модуль упругости ~410 ГПа
Теплопроводность 120-200 Вт/м-К
Коэффициент теплового расширения ~4.0 ×10-⁶ /K
Максимальная температура (инертная атмосфера) >1600°C
Максимальная температура (воздух) ~1400°C
Отделка поверхности Шлифовка / дополнительная полировка
Совместимость с окружающей средой Вакуум, плазма, агрессивные газы

Производственные возможности

Мы поддерживаем передовые технологии обработки керамики, в том числе:

  • Прецизионная обработка с ЧПУ
  • Шлифование поверхности
  • Тонкая притирка и полировка
  • Индивидуальная ступенчатая обработка
  • Обработка фаски кромок
  • Производство с жесткими допусками
  • Прототипы и серийное производство

Параметры настройки

Доступные настройки включают в себя:

  • Внешний диаметр и толщина
  • Высота и ширина ступени
  • Требования к плоскостности
  • Контроль шероховатости поверхности
  • Структура кромок и фаски
  • Возможности тонкой полировки
  • Производство комплектующих на основе чертежей

Преимущества керамических компонентов SiC

По сравнению с обычными материалами, керамика SiC предлагает:

  • Высокая теплопроводность
  • Лучшая устойчивость к тепловым ударам
  • Превосходная долговечность плазмы
  • Низкое тепловое расширение
  • Сильная химическая стабильность
  • Увеличенный срок службы полупроводникового оборудования

ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ

Вопрос 1: Каково основное назначение ступенчатой структуры?
Ступенчатая геометрия обеспечивает точное позиционирование и надежную сборку внутри технологического оборудования.

Q2: Может ли этот компонент выдерживать воздействие плазменной среды?
Да. Карбид кремния обладает превосходной стойкостью к плазменной эрозии и коррозионным технологическим газам.

Вопрос 3: Совместим ли компонент с вакуумом?
Да. Материал характеризуется низким газовыделением и стабильной работой в условиях вакуума.

Q4: Можно ли настроить размеры?
Да. Размер, профиль шага, допуски и особенности кромок могут быть изготовлены в соответствии с требованиями заказчика.

Q5: Доступны ли полированные версии?
В зависимости от требований, предъявляемых к изделию, может быть выполнена дополнительная тонкая шлифовка и полировка.

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на «Custom Silicon Carbide Stepped Ceramic Plate for Semiconductor High Temperature Equipment»

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *