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Siliziumkarbid (SiC)
Tonerde (Al2O3)
Zirkoniumdioxid (ZrO2)
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Boron Nitride（BN）
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Tonerde (Al2O3)
Aluminiumoxid-Keramik-Gasverteilersitz für die Präzisions-Gasdurchflusskontrolle Verschleißfeste elektrische Isolierkomponente
Tonerde (Al2O3)
Aluminiumoxid-Keramik-Kühlkörper 310×310 mm Al₂O₃ Thermal Management Platte
Tonerde (Al2O3)
Aluminiumoxid-Keramik-Mehrlochplatte Kundenspezifisches technisches Bauteil für Halbleiter- und Industrieanwendungen
Tonerde (Al2O3)
Aluminiumoxid-Keramikstäbe für Halbleiter- und Industrieanwendungen
Siliziumkarbid (SiC)
Kundenspezifischer SiC-Keramik-Gabelarm für Wafer-Handling und optische Präzisionsgeräte
Siliziumkarbid (SiC)
Kundenspezifische gestufte Siliziumkarbid-Keramikplatte für Hochtemperatur-Halbleiteranlagen
Zirkoniumdioxid (ZrO2)
Kundenspezifische Zirkoniumdioxid-Keramik-Komponenten Hochpräzise, verschleißfeste Industriekeramikteile Hersteller
Zirkoniumdioxid (ZrO2)
Kundenspezifische Zirconia ZrO₂-Keramikformen mit Lasergravur und Markierung
Siliziumkarbid (SiC)
Kundenspezifischer SiC-Keramik-Bootträger für die Handhabung von Halbleiterwafern
Siliziumkarbid (SiC)
Kundenspezifischer SiC-Keramik-Endeffektor für Wafer-Handling
Boron Nitride（BN）
Device-Grade Hexagonal Boron Nitride hBN Single Crystal for Advanced 2D Electronics and Quantum Materials
Siliziumkarbid (SiC)
Full CVD SiC Wafer Carrier Tray Plate für Halbleiter MOCVD & Etching Equipment

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