Hochtemperatur-Keramik

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  Tonerde (Al2O3)

  Aluminiumoxid-Keramik-Mehrlochplatte Kundenspezifisches technisches Bauteil für Halbleiter- und Industrieanwendungen

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  Siliziumkarbid (SiC)

  Kundenspezifische gestufte Siliziumkarbid-Keramikplatte für Hochtemperatur-Halbleiteranlagen

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  Tonerde (Al2O3)

  Hochreines Al₂O₃-Aluminiumoxid-Keramiksubstrat für Halbleiter- und elektronische Anwendungen

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  Siliziumkarbid (SiC)

  Hochreines SiC-Waferboot für Halbleiter Hochtemperatur-Korrosionsbeständiger Träger

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  Siliziumkarbid (SiC)

  SiC-Keramik-Endeffektor für die präzise Handhabung von Wafern in Halbleiteranlagen