Das SiC-Keramik-Tray ist ein hochleistungsfähiger Siliziumkarbid-Träger, der für fortschrittliche Wafer-Verarbeitung und Halbleiterfertigungsumgebungen entwickelt wurde. Die aus hochreinem Siliziumkarbid (SiC) gefertigten Keramikträger bieten außergewöhnliche thermische Stabilität, hohe mechanische Festigkeit und ausgezeichnete chemische Beständigkeit für anspruchsvolle Hochtemperaturanwendungen.

SiC-Keramikschalen werden häufig in Halbleiterherstellungsprozessen verwendet, wie z. B.:

• LPCVD / CVD-Verfahren
• Wafer-Glühen
• Diffusion
• Oxidation
• Epitaxie (EPI)
• Hochtemperatursintern
• Thermische Verarbeitung von Halbleitern

Verfügbar für:

• 2-Zoll-Wafer-Verarbeitung
• 4-Zoll-Wafer-Verarbeitung
• 6-Zoll-Wafer-Verarbeitung
• 8-Zoll-Wafer-Verarbeitung
• Maßgeschneiderte Wafergrößen und -strukturen

Diese Tabletts gewährleisten eine hervorragende Unterstützung der Wafer, eine gleichmäßige Temperaturverteilung und eine Kontaminationskontrolle während des gesamten Herstellungsprozesses.

Produktmerkmale

Ausgezeichnete Hochtemperaturbeständigkeit

Siliziumkarbid-Keramikschalen sind auch bei extremen Temperaturen äußerst stabil und eignen sich daher ideal für Halbleiteröfen und thermische Verarbeitungssysteme.

Vorteile:

• Ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit
• Stabile Leistung bei schneller Erwärmung und Abkühlung
• Lange Lebensdauer im Dauerbetrieb bei hohen Temperaturen

Hohe mechanische Festigkeit

Im Vergleich zu herkömmlichen keramischen Werkstoffen weisen SiC-Schalen eine höhere Härte und Biegefestigkeit auf, wodurch das Risiko von Verformungen oder Rissen während der Verarbeitung verringert wird.

Vorteile:

• Hohe Belastbarkeit
• Ausgezeichnete Dimensionsstabilität
• Geeignet für automatisierte Wafer-Handling-Systeme
• Reduzierte Wartungshäufigkeit

Hervorragende chemische Beständigkeit

SiC-Keramikschalen sind äußerst widerstandsfähig gegen korrosive Chemikalien und reaktive Prozessgase, die in der Halbleiterfertigung häufig verwendet werden.

Widerstandsfähig gegen:

• Säuren
• Laugen
• Ätzende Gase
• Chemische Dämpfe

Dies gewährleistet langfristige Zuverlässigkeit in rauen Prozessumgebungen.

Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit

Die hohe Wärmeleitfähigkeit von Siliziumkarbid ermöglicht eine schnelle und gleichmäßige Wärmeübertragung über die Oberfläche der Schale.

Verarbeitung Vorteile:

• Verbesserte Gleichmäßigkeit der Wafertemperatur
• Reduzierte thermische Gradienten
• Verbesserte Prozesskonsistenz
• Geringere Fehlerraten bei Wafern

Geringe thermische Ausdehnung

Der niedrige Wärmeausdehnungskoeffizient trägt dazu bei, die strukturelle Genauigkeit bei wiederholten thermischen Zyklen zu erhalten.

Ergebnis:

• Reduzierter Verzug
• Bessere Ausrichtung der Wafer
• Verbesserte Produktionsstabilität

Reinheit in Halbleiterqualität

Die aus 99,9% hochreinem Siliziumkarbid gefertigten Tabletts tragen zur Minimierung der Partikelkontamination bei und unterstützen die Reinraumstandards in der Halbleiterproduktion.

Technische Daten

Eigentum	Wert
Material	Siliziumkarbid (SiC)
Reinheit	99.9%
Farbe	Schwarz
Dichte	3,14 g/cm³
Biegefestigkeit	410 MPa
Elastizitätsmodul	430 GPa
Querkontraktionszahl	0.17
Bruchzähigkeit	2-3 MPa-m1/2
Wärmeausdehnungskoeffizient	4.1 × 10-⁶/K
Wärmeleitfähigkeit	170 W/m-K

Vergleich der SiC-Fertigungstechnologie

Herstellungsverfahren	Eigenschaften	Typische Anwendungen
Drucklos gesintertes SiC	Hohe Reinheit und thermische Stabilität	Halbleiter-Wafer-Tabletts
Heißgepresstes SiC	Höhere mechanische Festigkeit	Strukturelle Keramikteile
CVD-SiC	Ultrahochreine Oberfläche	Moderne Halbleiterausrüstung
Si-SiC	Kostengünstige Lösung	Komponenten für Industrieöfen

Anwendungen von SiC-Keramikschalen

Verarbeitung von Halbleiterwafern

Weit verbreitet als Waferträger und Stützschalen in:

• LPCVD-Anlagen
• CVD-Anlagen
• Diffusionsöfen
• Oxidationsöfen
• Ausrüstung zum Glühen
• Thermische Halbleiterreaktoren

Kompatibel mit:

• Silizium-Wafer
• Saphir-Waffeln
• SiC-Wafer
• GaN-Wafer
• Substrate für Verbindungshalbleiter

Hochtemperatursintern

Ideal für fortschrittliche Keramik- und Pulversinteranwendungen, die Folgendes erfordern:

• Thermische Stabilität
• Oxidationsbeständigkeit
• Lange Betriebsdauer

Ausrüstung für die chemische Verarbeitung

Aufgrund der hervorragenden Korrosionsbeständigkeit für aggressive chemische Umgebungen geeignet.

Die Anwendungen umfassen:

• Chemische Reaktoren
• Nassbearbeitung von Halbleitern
• Umgebungen mit korrosiven Gasen

Optische und Präzisionsfertigung

Bietet stabile Unterstützung für:

• Optische Substrate
• Optische Komponenten aus Saphir
• Präzisionskeramikteile

Thermische Systeme für Luft- und Raumfahrt und Industrie

Verwendet in Industrien, die Folgendes erfordern:

• Leichte, hochfeste Materialien
• Thermisches Management
• Korrosionsbeständige Komponenten

Anpassungsdienste

Wir bieten maßgeschneiderte Lösungen für SiC-Keramikschalen entsprechend den Kundenanforderungen.

Verfügbare benutzerdefinierte Optionen

• Benutzerdefinierte Abmessungen
• Multi-Wafer-Tray-Designs
• Bearbeitung von Nuten und Rillen
• Präzises Bohren von Löchern
• Polieren der Oberfläche
• Besondere Beschichtungen
• Maßgeschneiderte thermische Verarbeitungskompatibilität

Vorteile von SiC-Keramikschalen

Im Vergleich zu Quarz-, Aluminiumoxid- und Graphitschalen bieten Siliziumkarbid-Keramikschalen Vorteile:

Leistung	SiC-Keramik-Tablett
Wärmeleitfähigkeit	Ausgezeichnet
Widerstandsfähigkeit gegen thermische Schocks	Ausgezeichnet
Mechanische Festigkeit	Ausgezeichnet
Korrosionsbeständigkeit	Ausgezeichnet
Dimensionsstabilität	Ausgezeichnet
Nutzungsdauer	Lang

FAQ

Kann die SiC-Keramikschale individuell angepasst werden?

Ja. Wir unterstützen kundenspezifische Größen, Strukturen, Rillen und Verarbeitungsdesigns entsprechend den Waferspezifikationen und Anlagenanforderungen unserer Kunden.

Welche Wafergrößen werden unterstützt?

Die Tabletts können für folgende Zwecke eingesetzt werden:

• 2-Zoll-Waffeln
• 4-Zoll-Waffeln
• 6-Zoll-Waffeln
• 8-Zoll-Waffeln
• Größere kundenspezifische Waferformate

Ist die SiC-Wanne für Anwendungen in Halbleiteröfen geeignet?

Ja. SiC-Keramikschalen sind speziell für Hochtemperaturumgebungen in der Halbleiterverarbeitung konzipiert und bieten eine hervorragende thermische Stabilität und Haltbarkeit.