De siliciumcarbide wafer tray is een hoogwaardige keramische precisiedrager die ontworpen is voor het verwerken van halfgeleiderwafers, CVD/PECVD-systemen, vacuümovens en industriële omgevingen met hoge temperaturen.
Deze schaal is gemaakt van hoogzuiver CVD SiC of SSiC (gesinterd siliciumcarbide) en biedt een uitstekende thermische stabiliteit, mechanische sterkte en chemische weerstand, zodat de wafer stabiel gehanteerd kan worden en het proces onder extreme omstandigheden consistent blijft presteren.
Het wordt veel gebruikt bij de productie van halfgeleiders, LED-epitaxie, verwerking van saffierwafers, sinteren van geavanceerde keramiek en thermische vacuümsystemen.
Belangrijkste kenmerken
Stabiliteit op hoge temperatuur (tot 1600°C+)
Behoudt de structurele integriteit en prestaties onder voortdurend gebruik bij hoge temperaturen zonder vervorming.
Uitstekend warmtegeleidingsvermogen
Zorgt voor een snelle en gelijkmatige warmteoverdracht, vermindert temperatuurgradiënten en verbetert de procesopbrengst.
Superieure weerstand tegen thermische schokken
Bestand tegen snelle verwarmings- en koelcycli zonder barsten of kromtrekken.
Hoge mechanische sterkte
De versterkte structuur zorgt voor een uitstekend draagvermogen en langdurige dimensionale stabiliteit.
Chemische weerstand en plasmaweerstand
Zeer goed bestand tegen zuren, alkaliën, corrosieve gassen en plasma-omgevingen die worden gebruikt in halfgeleiderprocessen.
Uiterst nauwkeurige bewerking
CNC slijpen zorgt voor strakke toleranties, vlakheid en gladde wafer contactoppervlakken voor geautomatiseerde systemen.
Structureel ontwerp
Ontwerp met ringvormige sleuven met meerdere zones
- Vermindert gewicht
- Verbetert de thermische uniformiteit
- Verbetert de warmteafvoer
- Minimaliseert thermische spanningsconcentratie
Deze structuur is geoptimaliseerd voor het verwerken van wafers bij hoge temperaturen en vacuümtoepassingen.
Radiaal verstevigingsribbensysteem
- Verhoogt de mechanische stijfheid
- Voorkomt vervorming onder belasting
- Verbetert de rotatiestabiliteit
- Verlengt de levensduur in cyclische thermische omgevingen
Precisiebewerkt oppervlak
- Hoge vlakheid en consistentie
- Soepele interface voor wafercontacten
- Compatibel met robotautomatiseringssystemen
- Vermindert het risico op het ontstaan van deeltjes
Centrale montage-interface
Precisiegeboorde middenstructuur zorgt voor:
- Stabiele asmontage
- Nauwkeurige uitlijning in ovensystemen
- Compatibiliteit met geautomatiseerde waferbehandelingsapparatuur
Versterkte buitenring
- Verbetert structureel evenwicht
- Verbetert de trillingsbestendigheid
- Versterkt de duurzaamheid van randen tijdens gebruik
Materiaalopties
CVD Siliciumcarbide (CVD SiC)
- Ultrazuiver
- Extreem lage vervuiling
- Uitstekende oppervlaktekwaliteit
- Ideaal voor geavanceerde halfgeleiderprocessen
Gesinterd siliciumcarbide (SSiC)
- Hoge sterkte en dichtheid
- Uitstekende slijtvastheid
- Stabiel in ruwe omgevingen
- Geschikt voor industriële systemen met hoge temperaturen
Reactiegebonden SiC (RBSiC)
- Kosteneffectieve oplossing
- Goede weerstand tegen thermische schokken
- Geschikt voor industriële massatoepassingen
Technische specificaties
| Item | Specificatie |
|---|---|
| Materiaal | CVD SiC / SSiC / RBSiC |
| Zuiverheid | Tot 99,9% |
| Bedrijfstemperatuur | ≤ 1600°C |
| Dichtheid | 2,3 - 3,9 g/cm³ |
| Weerstand tegen thermische schokken | Uitstekend |
| Afwerking oppervlak | Precisiegeslepen / Gepolijst |
| Vorm | Aangepast (Rond/Ring/Plaat) |
| Maat | Beschikbaar op maat |
| Toepassing | Halfgeleider / CVD / Oven |
Toepassingen
Halfgeleiderindustrie
- Waferhouder voor CVD/PECVD-systemen
- Diffusie, oxidatie, gloeiprocessen
- RTP en epitaxiale groeisystemen
- Bakjes voor transfer en handling van wafers
LED & Opto-elektronica
- Verwerking van saffierwafers
- LED epitaxy dragersystemen
- Substraatondersteuning voor hoge temperaturen
Vacuüm- en thermische ovens
- Hoge temperatuur sinterbakken
- Vacuümovendragers
- Thermische verwerkingsarmaturen
Geavanceerde productie
- Precisie keramische verwerking
- Automatiseringsapparatuur
- Mechanische platforms met hoge stabiliteit
Productvoordelen
- Uitstekende weerstand tegen hoge temperaturen
- Superieure thermische geleidbaarheid
- Hoge dimensionale stabiliteit
- Lange levensduur
- Laag besmettingsrisico
- Sterke corrosiebestendigheid
- Compatibel met vacuümsystemen
- Volledig aanpasbaar ontwerp
Aanpassingsvermogen
We ondersteunen volledig maatwerk op basis van tekeningen of toepassingsvereisten:
- Diameter / dikte maatwerk
- Optimalisatie van sleufgeometrie
- Nauwkeurige montagegaten
- Oppervlakte polijsten / lappen
- Ultravlakke bewerking op wafers
- Selectie van hoogzuiver materiaal
- Complex structureel ontwerp
OEM & ODM-diensten beschikbaar voor fabrikanten van halfgeleiderapparatuur.
FAQ
V1: Waarvoor wordt een siliciumcarbide wafertray gebruikt?
Het wordt gebruikt om wafers te ondersteunen en te transporteren tijdens halfgeleiderprocessen zoals CVD, PECVD, diffusie, oxidatie en gloeien op hoge temperatuur.
V2: Waarom SiC gebruiken in plaats van kwarts of grafiet?
SiC biedt:
- Hogere temperatuurbestendigheid
- Betere mechanische sterkte
- Lagere thermische uitzetting
- Langere levensduur
- Betere chemische stabiliteit
V3: Kan de tray worden aangepast?
Ja. We bieden volledig maatwerk, inclusief grootte, structuur, dikte en montageontwerp.
V4: Is het geschikt voor snelle verwarming en koeling?
Ja. SiC heeft een uitstekende weerstand tegen thermische schokken, waardoor het geschikt is voor thermische cyclische processen.
Beoordelingen
Er zijn nog geen beoordelingen.