La bandeja para obleas de carburo de silicio es un soporte cerámico de precisión de alto rendimiento diseñado para el procesamiento de obleas de semiconductores, sistemas CVD/PECVD, hornos de vacío y entornos industriales de alta temperatura.
Fabricada con CVD SiC o SSiC (carburo de silicio sinterizado) de gran pureza, esta bandeja ofrece una estabilidad térmica, una resistencia mecánica y una resistencia química excepcionales, lo que garantiza una manipulación estable de las obleas y un rendimiento constante del proceso en condiciones extremas.
Se utiliza ampliamente en la fabricación de semiconductores, epitaxia LED, procesamiento de obleas de zafiro, sinterización de cerámica avanzada y sistemas térmicos de vacío.
Características principales
Estabilidad a altas temperaturas (hasta 1600°C+)
Mantiene la integridad estructural y el rendimiento en condiciones de funcionamiento continuo a altas temperaturas sin sufrir deformaciones.
Excelente conductividad térmica
Garantiza una transferencia de calor rápida y uniforme, reduciendo los gradientes de temperatura y mejorando el rendimiento del proceso.
Resistencia superior a los choques térmicos
Soporta ciclos rápidos de calentamiento y enfriamiento sin agrietarse ni deformarse.
Alta resistencia mecánica
La estructura reforzada proporciona una excelente capacidad de carga y estabilidad dimensional a largo plazo.
Resistencia química y al plasma
Alta resistencia a los ácidos, álcalis, gases corrosivos y entornos de plasma utilizados en los procesos de semiconductores.
Mecanizado de alta precisión
El rectificado CNC garantiza tolerancias estrechas, planitud y superficies de contacto de obleas lisas para sistemas automatizados.
Diseño estructural
Diseño de ranura anular multizona
- Reduce el peso
- Mejora la uniformidad térmica
- Mejora la disipación del calor
- Minimiza la concentración de tensiones térmicas
Esta estructura está optimizada para el procesamiento de obleas a alta temperatura y aplicaciones de vacío.
Sistema de costillas de refuerzo radial
- Aumenta la rigidez mecánica
- Evita la deformación bajo carga
- Mejora la estabilidad rotacional
- Prolonga la vida útil en entornos térmicos cíclicos
Superficie mecanizada de precisión
- Gran planitud y consistencia
- Interfaz de contacto de oblea lisa
- Compatible con sistemas de automatización robótica
- Reduce el riesgo de generación de partículas
Interfaz de montaje central
La estructura central perforada con precisión garantiza:
- Fijación estable del eje
- Alineación precisa en sistemas de hornos
- Compatibilidad con equipos automatizados de manipulación de obleas
Anillo exterior reforzado
- Mejora el equilibrio estructural
- Mejora la resistencia a las vibraciones
- Refuerza la durabilidad de los bordes durante el funcionamiento
Opciones de material
Carburo de silicio CVD (CVD SiC)
- Pureza ultra alta
- Contaminación extremadamente baja
- Excelente calidad superficial
- Ideal para procesos avanzados de semiconductores
Carburo de silicio sinterizado (SSiC)
- Alta resistencia y densidad
- Excelente resistencia al desgaste
- Estable en entornos difíciles
- Adecuado para sistemas industriales de alta temperatura
SiC ligado por reacción (RBSiC)
- Solución rentable
- Buena resistencia al choque térmico
- Adecuado para aplicaciones industriales masivas
Especificaciones técnicas
| Artículo | Especificación |
|---|---|
| Material | CVD SiC / SSiC / RBSiC |
| Pureza | Hasta 99,9% |
| Temperatura de funcionamiento | ≤ 1600°C |
| Densidad | 2,3 - 3,9 g/cm³ |
| Resistencia al choque térmico | Excelente |
| Acabado superficial | Esmerilado / pulido de precisión |
| Forma | Personalizado (Redondo / Anillo / Placa) |
| Talla | Disponible a medida |
| Aplicación | Semiconductores / CVD / Hornos |
Aplicaciones
Industria de semiconductores
- Soporte de obleas para sistemas CVD / PECVD
- Procesos de difusión, oxidación y recocido
- RTP y sistemas de crecimiento epitaxial
- Bandejas de transferencia y manipulación de obleas
LED y optoelectrónica
- Procesado de obleas de zafiro
- Sistemas portadores de epitaxia LED
- Soporte de sustrato de alta temperatura
Hornos térmicos y de vacío
- Bandejas de sinterización a alta temperatura
- Soportes para hornos de vacío
- Dispositivos de tratamiento térmico
Fabricación avanzada
- Procesado cerámico de precisión
- Accesorios para equipos de automatización
- Plataformas mecánicas de alta estabilidad
Ventajas del producto
- Excelente resistencia a altas temperaturas
- Conductividad térmica superior
- Gran estabilidad dimensional
- Larga vida útil
- Bajo riesgo de contaminación
- Gran resistencia a la corrosión
- Compatible con sistemas de vacío
- Diseño totalmente personalizable
Capacidad de personalización
Admitimos la personalización completa en función de los planos o los requisitos de la aplicación:
- Personalización del diámetro/espesor
- Optimización de la geometría de las ranuras
- Orificios de montaje de precisión
- Pulido / lapeado de superficies
- Mecanizado ultraplano para obleas
- Selección de materiales de gran pureza
- Diseño estructural complejo
Servicios OEM y ODM disponibles para fabricantes de equipos semiconductores.
PREGUNTAS FRECUENTES
P1: ¿Para qué se utiliza una bandeja de obleas de carburo de silicio?
Se utiliza para soportar y transportar obleas durante procesos de semiconductores como CVD, PECVD, difusión, oxidación y recocido a alta temperatura.
P2: ¿Por qué utilizar SiC en lugar de cuarzo o grafito?
SiC proporciona:
- Mayor resistencia a la temperatura
- Mayor resistencia mecánica
- Menor dilatación térmica
- Mayor vida útil
- Mejor estabilidad química
P3: ¿Se puede personalizar la bandeja?
Sí. Ofrecemos una personalización completa que incluye el tamaño, la estructura, el grosor y el diseño de montaje.
P4: ¿Es adecuado para calentamiento y enfriamiento rápidos?
Sí. El SiC tiene una excelente resistencia al choque térmico, por lo que es adecuado para procesos de ciclos térmicos.
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