Il vassoio per wafer in carburo di silicio è un supporto ceramico di precisione ad alte prestazioni progettato per la lavorazione dei wafer di semiconduttori, i sistemi CVD/PECVD, i forni a vuoto e gli ambienti industriali ad alta temperatura.
Realizzato in SiC CVD o SSiC (carburo di silicio sinterizzato) di elevata purezza, questo vassoio offre un'eccezionale stabilità termica, resistenza meccanica e chimica, garantendo una gestione stabile dei wafer e prestazioni di processo costanti in condizioni estreme.
È ampiamente utilizzato nella produzione di semiconduttori, nell'epitassia dei LED, nella lavorazione dei wafer di zaffiro, nella sinterizzazione di ceramiche avanzate e nei sistemi termici sotto vuoto.
Caratteristiche principali
Stabilità alle alte temperature (fino a 1600°C+)
Mantiene l'integrità strutturale e le prestazioni in condizioni di funzionamento continuo ad alta temperatura senza deformazioni.
Eccellente conduttività termica
Assicura un trasferimento di calore rapido e uniforme, riducendo i gradienti di temperatura e migliorando la resa del processo.
Resistenza superiore agli shock termici
Resiste a rapidi cicli di riscaldamento e raffreddamento senza incrinarsi o deformarsi.
Alta resistenza meccanica
La struttura rinforzata garantisce un'eccellente capacità di carico e stabilità dimensionale a lungo termine.
Resistenza chimica e al plasma
Altamente resistente agli acidi, agli alcali, ai gas corrosivi e agli ambienti di plasma utilizzati nei processi dei semiconduttori.
Lavorazione ad altissima precisione
La rettifica CNC garantisce tolleranze strette, planarità e superfici lisce di contatto con i wafer per i sistemi automatizzati.
Progettazione strutturale
Design della scanalatura anulare a più zone
- Riduce il peso
- Migliora l'uniformità termica
- Migliora la dissipazione del calore
- Riduce al minimo la concentrazione di stress termico
Questa struttura è ottimizzata per la lavorazione dei wafer ad alta temperatura e per le applicazioni sotto vuoto.
Sistema di nervature con rinforzo radiale
- Aumenta la rigidità meccanica
- Impedisce la deformazione sotto carico
- Migliora la stabilità rotazionale
- Prolunga la durata di vita in ambienti termici ciclici
Superficie lavorata di precisione
- Elevata planarità e consistenza
- Interfaccia di contatto wafer liscia
- Compatibile con i sistemi di automazione robotica
- Riduce il rischio di generazione di particelle
Interfaccia di montaggio centrale
La struttura centrale con fori di precisione garantisce:
- Montaggio stabile dell'albero
- Allineamento preciso nei sistemi a forno
- Compatibilità con le apparecchiature di manipolazione automatica dei wafer
Anello esterno rinforzato
- Migliora l'equilibrio strutturale
- Migliora la resistenza alle vibrazioni
- Rafforza la durata dei bordi durante il funzionamento
Opzioni di materiale
Carburo di silicio CVD (SiC CVD)
- Purezza ultraelevata
- Contaminazione estremamente bassa
- Eccellente qualità della superficie
- Ideale per i processi di semiconduttori avanzati
Carburo di silicio sinterizzato (SSiC)
- Alta resistenza e densità
- Eccellente resistenza all'usura
- Stabile in ambienti difficili
- Adatto per sistemi industriali ad alta temperatura
SiC legato per reazione (RBSiC)
- Soluzione economicamente vantaggiosa
- Buona resistenza agli shock termici
- Adatto per applicazioni industriali di massa
Specifiche tecniche
| Articolo | Specifiche |
|---|---|
| Materiale | CVD SiC / SSiC / RBSiC |
| La purezza | Fino a 99,9% |
| Temperatura di esercizio | ≤ 1600°C |
| Densità | 2,3 - 3,9 g/cm³ |
| Resistenza agli shock termici | Eccellente |
| Finitura superficiale | Rettifica di precisione / lucidatura |
| Forma | Personalizzato (tondo / anello / piastra) |
| Dimensione | Disponibile su misura |
| Applicazione | Semiconduttore / CVD / Forno |
Applicazioni
Industria dei semiconduttori
- Porta wafer per sistemi CVD/PECVD
- Diffusione, ossidazione, processi di ricottura
- RTP e sistemi di crescita epitassiale
- Vassoi per il trasferimento e la movimentazione dei wafer
LED e optoelettronica
- Lavorazione dei wafer di zaffiro
- Sistemi di supporto per l'epitassia dei LED
- Supporto per substrati ad alta temperatura
Forni termici e a vuoto
- Vassoi di sinterizzazione ad alta temperatura
- Portatori di forni a vuoto
- Apparecchiature per il trattamento termico
Produzione avanzata
- Lavorazione di precisione della ceramica
- Apparecchiature per l'automazione
- Piattaforme meccaniche ad alta stabilità
Vantaggi del prodotto
- Eccellente resistenza alle alte temperature
- Conducibilità termica superiore
- Elevata stabilità dimensionale
- Lunga durata di vita
- Basso rischio di contaminazione
- Forte resistenza alla corrosione
- Compatibile con i sistemi a vuoto
- Design completamente personalizzabile
Capacità di personalizzazione
Supportiamo la personalizzazione completa in base ai disegni o ai requisiti dell'applicazione:
- Personalizzazione del diametro e dello spessore
- Ottimizzazione della geometria delle scanalature
- Fori di montaggio di precisione
- Lucidatura e lappatura delle superfici
- Lavorazione ultrapiatta per wafer
- Selezione di materiali ad alta purezza
- Progettazione strutturale complessa
Servizi OEM e ODM disponibili per i produttori di apparecchiature per semiconduttori.
FAQ
Q1: A cosa serve un vassoio per wafer in carburo di silicio?
Viene utilizzato per supportare e trasportare i wafer durante i processi di semiconduttori come CVD, PECVD, diffusione, ossidazione e ricottura ad alta temperatura.
D2: Perché usare SiC invece di quarzo o grafite?
SiC fornisce:
- Resistenza alle alte temperature
- Migliore resistenza meccanica
- Minore espansione termica
- Vita utile più lunga
- Migliore stabilità chimica
D3: Il vassoio può essere personalizzato?
Sì. Forniamo una personalizzazione completa che comprende dimensioni, struttura, spessore e design di montaggio.
D4: È adatto per il riscaldamento e il raffreddamento rapido?
Sì. Il SiC ha un'eccellente resistenza agli shock termici, che lo rende adatto ai processi di ciclaggio termico.
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