碳化矽晶圓托盤是一種高性能精密陶瓷載具，專為半導體晶圓加工、CVD/PECVD 系統、真空爐和高溫工業環境而設計。.
此托盤由高純度 CVD SiC 或 SSiC（燒結碳化矽）製成，具有出色的熱穩定性、機械強度和耐化學性，可確保在極端條件下穩定的晶圓處理和一致的製程性能。.
廣泛應用於半導體製造、LED 磊晶、藍寶石晶圓加工、先進陶瓷燒結和真空熱系統。.
主要功能
高溫度穩定性 (高達 1600°C+)
在連續的高溫操作下，仍能保持結構完整性和性能而不變形。.
優異的熱傳導性
確保快速均勻的熱傳導，減少溫度梯度，提高製程良率。.
優異的抗熱衝擊能力
可承受快速加熱與冷卻週期而不產生裂縫或翹曲。.
高機械強度
強化結構提供優異的承重能力和長期尺寸穩定性。.
耐化學及電漿
對半導體製程中使用的酸、鹼、腐蝕性氣體和電漿環境具有高度耐受性。.
超高精密加工
CNC 研磨可確保自動化系統的公差、平面度及光滑的晶圓接觸表面。.
結構設計
多區環形槽設計
- 減輕重量
- 改善熱均勻性
- 加強散熱
- 最小化熱應力集中
此結構已針對高溫晶圓加工和真空應用進行最佳化。.
徑向強化肋骨系統
- 增加機械剛性
- 防止負載變形
- 改善旋轉穩定性
- 在循環熱環境中延長使用壽命
精密加工表面
- 高平面度與一致性
- 平滑的晶圓接觸介面
- 與機器人自動化系統相容
- 降低微粒產生的風險
中央安裝介面
精密鑽孔中心結構確保：
- 穩定的軸心安裝
- 準確對齊熔爐系統
- 與自動化晶圓處理設備相容
強化外環
- 增強結構平衡
- 改善抗震性
- 加強操作時的邊緣耐用性
材料選項
CVD 碳化矽 (CVD SiC)
- 超高純度
- 污染極低
- 優異的表面品質
- 先進半導體製程的理想選擇
燒結碳化矽 (SSiC)
- 高強度與密度
- 優異的耐磨性
- 在惡劣環境下仍能保持穩定
- 適用於工業高溫系統
反應結合碳化矽 (RBSiC)
- 具成本效益的解決方案
- 良好的抗熱震性
- 適用於大規模工業應用
技術規格
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 材質 | CVD SiC / SSiC / RBSiC |
| 純淨 | 高達 99.9% |
| 操作溫度 | ≤ 1600°C |
| 密度 | 2.3 - 3.9 g/cm³ |
| 抗熱衝擊 | 極佳 |
| 表面處理 | 精密研磨/拋光 |
| 形狀 | 自訂 (圓形 / 環形 / 板形) |
| 尺寸 | 可自訂 |
| 應用 | 半導體 / CVD / 爐 |
應用
半導體產業
- 用於 CVD / PECVD 系統的晶圓載體
- 擴散、氧化、退火製程
- RTP 和外延生長系統
- 晶圓傳輸和處理托盤
LED 與光電
- 藍寶石晶圓加工
- LED 磊晶載板系統
- 高溫基板支援
真空爐與熱能爐
- 高溫燒結托架
- 真空爐載體
- 熱處理夾具
先進製造
- 精密陶瓷加工
- 自動化設備夾具
- 高穩定的機械平台
產品優勢
- 優異的耐高溫性能
- 優異的熱傳導性
- 高尺寸穩定性
- 使用壽命長
- 低污染風險
- 強大的耐腐蝕性
- 與真空系統相容
- 完全客製化設計
客製化能力
我們支援根據圖紙或應用需求進行完全客製化：
- 直徑/厚度客製化
- 插槽幾何最佳化
- 精密安裝孔
- 表面拋光/研磨
- 超平坦晶圓級加工
- 高純度材料選擇
- 複雜的結構設計
為半導體設備製造商提供 OEM 和 ODM 服務。.
常見問題
Q1: 碳化矽晶圓托盤是用來做什麼的？
在半導體製程（如 CVD、PECVD、擴散、氧化和高溫退火）中，它用於支撐和傳輸晶片。.
Q2: 為何使用 SiC 而非石英或石墨？
SiC 提供：
- 更高的耐溫性
- 更佳的機械強度
- 較低的熱膨脹
- 更長的使用壽命
- 更佳的化學穩定性
Q3: 托盤可以客製化嗎？
是的。我們提供全面的客製化服務，包括尺寸、結構、厚度和安裝設計。.
Q4: 是否適合快速加熱與冷卻?
是的。SiC 具有優異的抗熱震性，因此適用於熱循環製程。.
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