Die Siliziumkarbid-Waferschale ist ein hochleistungsfähiger keramischer Präzisionsträger, der für die Bearbeitung von Halbleiterwafern, CVD/PECVD-Systeme, Vakuumöfen und industrielle Hochtemperaturumgebungen entwickelt wurde.
Die aus hochreinem CVD-SiC oder SSiC (gesintertes Siliziumkarbid) hergestellte Schale bietet eine hervorragende thermische Stabilität, mechanische Festigkeit und chemische Beständigkeit und gewährleistet eine stabile Handhabung der Wafer und eine gleichbleibende Prozessleistung unter extremen Bedingungen.
Es findet breite Anwendung in der Halbleiterherstellung, der LED-Epitaxie, der Bearbeitung von Saphirwafern, dem Sintern von Hochleistungskeramik und in thermischen Vakuumsystemen.
Wesentliche Merkmale
Hohe Temperaturstabilität (bis zu 1600°C+)
Erhält die strukturelle Integrität und Leistung im Dauerbetrieb bei hohen Temperaturen ohne Verformung.
Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit
Sorgt für eine schnelle und gleichmäßige Wärmeübertragung, reduziert Temperaturgradienten und verbessert die Prozessausbeute.
Hervorragende Temperaturwechselbeständigkeit
Hält schnellen Heiz- und Kühlzyklen stand, ohne zu brechen oder sich zu verziehen.
Hohe mechanische Festigkeit
Die verstärkte Struktur sorgt für eine ausgezeichnete Tragfähigkeit und langfristige Formstabilität.
Chemikalien- und Plasmabeständigkeit
Hochgradig resistent gegen Säuren, Laugen, korrosive Gase und Plasma-Umgebungen, die in Halbleiterprozessen verwendet werden.
Ultrahochpräzisions-Bearbeitung
CNC-Schleifen gewährleistet enge Toleranzen, Ebenheit und glatte Waferkontaktflächen für automatisierte Systeme.
Struktureller Entwurf
Multi-Zone Ringnut-Design
- Reduziert das Gewicht
- Verbessert die thermische Gleichmäßigkeit
- Verbessert die Wärmeableitung
- Minimiert die Konzentration thermischer Spannungen
Diese Struktur ist für die Bearbeitung von Hochtemperatur-Wafern und für Vakuumanwendungen optimiert.
Radiales Verstärkungsrippensystem
- Erhöht die mechanische Steifigkeit
- Verhindert Verformung unter Last
- Verbessert die Rotationsstabilität
- Verlängert die Lebensdauer in zyklischen thermischen Umgebungen
Präzise bearbeitete Oberfläche
- Hohe Ebenheit und Konsistenz
- Glatte Waferkontakt-Schnittstelle
- Kompatibel mit Roboter-Automatisierungssystemen
- Reduziert das Risiko der Partikelbildung
Zentrale Montageschnittstelle
Die präzise gebohrte Mittelstruktur gewährleistet:
- Stabile Wellenbefestigung
- Genaue Ausrichtung in Ofensystemen
- Kompatibilität mit automatisierten Wafer-Handling-Geräten
Verstärkter äußerer Ring
- Verbessert das strukturelle Gleichgewicht
- Verbessert die Vibrationsfestigkeit
- Verstärkt die Haltbarkeit der Kanten während des Betriebs
Material-Optionen
CVD-Siliziumkarbid (CVD-SiC)
- Ultrahohe Reinheit
- Äußerst geringe Verschmutzung
- Ausgezeichnete Oberflächenqualität
- Ideal für fortschrittliche Halbleiterprozesse
Gesintertes Siliziumkarbid (SSiC)
- Hohe Festigkeit und Dichte
- Ausgezeichnete Verschleißfestigkeit
- Stabil in rauen Umgebungen
- Geeignet für industrielle Hochtemperatursysteme
Reaktionsgebundenes SiC (RBSiC)
- Kostengünstige Lösung
- Gute Temperaturwechselbeständigkeit
- Geeignet für industrielle Massenanwendungen
Technische Daten
| Artikel | Spezifikation |
|---|---|
| Material | CVD-SiC / SSiC / RBSiC |
| Reinheit | Bis zu 99,9% |
| Betriebstemperatur | ≤ 1600°C |
| Dichte | 2,3 - 3,9 g/cm³ |
| Widerstandsfähigkeit gegen thermische Schocks | Ausgezeichnet |
| Oberfläche | Präzisionsgeschliffen / poliert |
| Form | Individuell (Rund / Ring / Teller) |
| Größe | Benutzerdefiniert verfügbar |
| Anmeldung | Halbleiter / CVD / Ofen |
Anwendungen
Halbleiterindustrie
- Waferträger für CVD-/PECVD-Anlagen
- Diffusion, Oxidation, Glühprozesse
- RTP und epitaktische Wachstumssysteme
- Wafer-Transfer- und -Handhabungsschalen
LED & Optoelektronik
- Bearbeitung von Saphir-Wafern
- LED-Epitaxie-Trägersysteme
- Hochtemperatur-Substratträger
Vakuum- und Thermoöfen
- Hochtemperatur-Sinterschalen
- Träger für Vakuumöfen
- Vorrichtungen für die thermische Bearbeitung
Fortschrittliche Fertigung
- Präzise Keramikbearbeitung
- Vorrichtungen für die Automatisierungstechnik
- Hochstabile mechanische Plattformen
Produktvorteile
- Ausgezeichnete Hochtemperaturbeständigkeit
- Hervorragende Wärmeleitfähigkeit
- Hohe Dimensionsstabilität
- Lange Lebensdauer
- Geringes Kontaminationsrisiko
- Hohe Korrosionsbeständigkeit
- Kompatibel mit Vakuumsystemen
- Vollständig anpassbares Design
Anpassungsfähigkeit
Wir unterstützen die vollständige Anpassung auf der Grundlage von Zeichnungen oder Anwendungsanforderungen:
- Durchmesser/Stärke-Anpassung
- Optimierung der Schlitzgeometrie
- Präzise Befestigungslöcher
- Oberflächenpolieren / Läppen
- Ultraflache Bearbeitung in Wafer-Qualität
- Auswahl hochreiner Materialien
- Komplexer struktureller Entwurf
OEM- und ODM-Dienstleistungen für Hersteller von Halbleiterausrüstung.
FAQ
Q1: Wofür wird ein Siliziumkarbid-Wafer-Tray verwendet?
Es wird zur Unterstützung und zum Transport von Wafern bei Halbleiterprozessen wie CVD, PECVD, Diffusion, Oxidation und Hochtemperaturglühen verwendet.
F2: Warum wird SiC anstelle von Quarz oder Graphit verwendet?
SiC bietet:
- Höhere Temperaturbeständigkeit
- Bessere mechanische Festigkeit
- Geringere Wärmeausdehnung
- Längere Nutzungsdauer
- Bessere chemische Stabilität
F3: Kann das Tablett individuell gestaltet werden?
Ja. Wir bieten eine vollständige Anpassung an, einschließlich Größe, Struktur, Dicke und Befestigungsdesign.
F4: Ist es für schnelles Heizen und Kühlen geeignet?
Ja, SiC hat eine ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit und ist daher für Temperaturwechselprozesse geeignet.
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