SiC 陶瓷托板是專為先進半導體製程（如 MOCVD、磊晶和 ICP 蝕刻）而設計的高性能晶圓載體。它有兩種結構可供選擇：
- 具有 CVD SiC 鍍層的石墨基板
- 單片高純度 CVD SiC 托盤 (≥99.99%)
與傳統的石墨載體相比，此產品的熱穩定性、耐腐蝕性和使用壽命都有顯著的改善，非常適合要求嚴苛的高溫半導體製造環境。.
它廣泛應用於 GaN LED 生產、功率半導體製造和精密晶圓加工系統。.
主要功能與優勢
1.超高耐溫
- 可在 1100-1200°C+ 下穩定運作
- 適用於嚴苛的 MOCVD 與外延生長環境
- 長期熱循環下不變形
2.優異的 CVD SiC 鍍膜保護
- 純度高達 99.999% SiC
- 致密塗層可防止氣體滲透和基材侵蝕
- 消除晶圓製程中的石墨微粒污染
3.優異的耐腐蝕性與耐化學性
- 耐 HF、H₂SO₄、HCl 及活性製程氣體
- 適用於侵蝕性半導體蝕刻環境
4.高導熱性與均勻加熱
- 確保晶圓表面均勻的溫度分布
- 改善薄膜品質與製程穩定性
5.使用壽命長
- 與傳統石墨基托盤相比，壽命最多可延長 4 倍
- 減少停機時間，降低更換頻率
技術規格
| 參數 | 價值 |
|---|---|
| 材料類型 | 石墨 + CVD SiC 塗層 / 全 CVD SiC |
| SiC 純度 | ≥99.9%（塗層）、≥99.99%（單晶片） |
| 直徑範圍 | Φ380 mm - Φ600 mm |
| 操作溫度 | 1100-1200°C |
| 熱傳導 | 高 |
| 耐腐蝕性 | 優異 (耐 HF、H₂SO₄) |
| 服務壽命 | ~4× 石墨基托盤 |
應用領域
半導體製造
- MOCVD（金屬有機化學氣相沉積）
- 磊晶晶圓生長 (氮化鎵、碳化矽等)
- ICP 蝕刻製程
- 高精密晶圓處理系統
LED 產業
- 高亮度藍白 LED 產品
- 氮化鎵基光電器件
先進電子
- 功率半導體
- 高頻裝置
- 精密薄膜沉積系統
與傳統石墨托盤相比的性能優勢
| 項目 | 石墨托盤 | CVD SiC 鍍層托盤 |
|---|---|---|
| 耐溫性 | 中型 | 非常高 |
| 耐腐蝕性 | 貧窮 | 極佳 |
| 微粒污染 | 高風險 | 最低限度 |
| 服務壽命 | 短 | 3-4 倍長 |
| 表面穩定性 | 隨時間退化 | 高度穩定 |
包裝與處理
- 提供無塵室等級包裝
- 防震木箱或真空密封
- 專為無污染半導體傳輸設計
- 支援客製化尺寸 (Φ380-Φ600 mm 或客製化設計)
為何選擇此產品
此 SiC 晶圓載盤專為下一代半導體製造而設計，其純度、熱穩定性和污染控制都非常重要。透過取代傳統的石墨基載板，它能大幅提高生產良率、降低維護成本，並確保長期穩定的制程效能。.
常見問題
Q1: 與石墨托盤相比，CVD SiC 鍍膜的主要優勢是什麼？
CVD SiC 塗層可提供致密、超純的保護層，防止氣體滲透和石墨微粒脫落，大幅提升耐用性並減少晶圓污染。.
Q2: 此 SiC 托盤可以用於 MOCVD 高溫製程嗎？
是的。它專為 MOCVD 應用而設計，可在 1100-1200°C 的溫度下可靠運作，具有優異的熱穩定性和均勻的熱量分佈。.
Q3: 塗層石墨托盤與全 CVD SiC 托盤有何差異？
塗層石墨托盤使用石墨核心與保護性 SiC 層，而全 CVD SiC 托盤是單片結構，具有更高的純度、更好的耐腐蝕性和更長的使用壽命。.
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