Silisyum Karbür (SiC) Kademeli Seramik Plaka, yarı iletken işleme ekipmanı ve yüksek sıcaklıklı endüstriyel sistemler için tasarlanmış yüksek performanslı bir yapısal seramik bileşendir. Hassas işlenmiş kademeli bir profile sahip olan bileşen, zorlu proses ortamlarında doğru konumlandırma, güvenli montaj ve mükemmel boyutsal kararlılık sağlar.
Yüksek saflıkta silisyum karbür seramikten üretilen bu bileşen, plazmaya maruz kalma, termal şok, kimyasal korozyon ve aşırı sıcaklıklara karşı olağanüstü direnç sunar. Yüksek sertliği ve termal iletkenliği, yarı iletken ekipman içindeki yapısal ve koruyucu uygulamalar için idealdir.
Uzun süreli güvenilirlik için tasarlanan SiC kademeli seramik plakalar, proses odalarında, vakum sistemlerinde, termal ekipmanlarda ve plazma ile ilgili yarı iletken uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Temel Özellikler
Yüksek Saflıkta Silisyum Karbür Malzeme
Mükemmel termal ve mekanik performansa sahip ≥99% SiC seramikten üretilmiştir.
Hassas Kademeli Yapı
Kademeli kenar geometrisi, doğru konumlandırma ve dengeli mekanik montaj sağlar.
Üstün Termal Kararlılık
İnert ortamlarda 1600°C'nin üzerindeki sıcaklıklarda minimum deformasyonla sürekli olarak çalışabilir.
Mükemmel Plazma Direnci
Yarı iletken üretiminde kullanılan plazma erozyonuna ve aşındırıcı proses gazlarına karşı dayanıklıdır.
Yüksek Termal İletkenlik
120-200 W/m-K termal iletkenlik, verimli ısı transferi ve sıcaklık homojenliği sağlar.
Yüksek Mekanik Dayanım
Zorlu koşullar altında uzun süreli çalışma için mükemmel sertlik ve aşınma direnci.
Vakum Uyumlu
Düşük gaz çıkışı özellikleri, temiz ve vakumlu işleme ortamları için uygun olmasını sağlar.
Tamamen Özelleştirilebilir
Boyutlar, basamak yapısı, toleranslar ve kenar geometrisi çizimlere göre özelleştirilebilir.
Tipik Uygulamalar
- Yarı iletken proses odaları
- CVD / PECVD / LPCVD sistemleri
- Plazma aşındırma ekipmanı
- Hazne kapakları ve astar kapakları
- Yüksek sıcaklık destek yapıları
- Vakum işleme sistemleri
- Plazmaya bakan seramik bileşenler
- Optoelektronik üretim ekipmanları
Teknik Özellikler
| Öğe | Şartname |
|---|---|
| Malzeme | Silisyum Karbür (SiC) |
| Saflık | ≥99% |
| Yoğunluk | 3,10-3,20 g/cm³ |
| Sertlik | ≥2500 HV |
| Eğilme Dayanımı | ≥350 MPa |
| Elastik Modül | ~410 GPa |
| Termal İletkenlik | 120-200 W/m-K |
| Termal Genleşme Katsayısı | ~4.0 ×10-⁶ /K |
| Maksimum Sıcaklık (İnert Atmosfer) | >1600°C |
| Maksimum Sıcaklık (Hava) | ~1400°C |
| Yüzey İşlemi | Zemin / İsteğe bağlı parlatma |
| Çevre Uyumluluğu | Vakum, plazma, aşındırıcı gaz |
Üretim Kabiliyetleri
Aşağıdakiler de dahil olmak üzere gelişmiş seramik işleme teknolojilerini destekliyoruz:
- Hassas CNC işleme
- Yüzey taşlama
- İnce lepleme ve parlatma
- Özel adım işleme
- Kenar pahı işleme
- Sıkı toleranslı üretim
- Prototip ve seri üretim
Özelleştirme Seçenekleri
Mevcut özelleştirme şunları içerir:
- Dış çap ve kalınlık
- Basamak yüksekliği ve genişliği
- Düzlük gereksinimleri
- Yüzey pürüzlülüğü kontrolü
- Kenar yapısı ve pahlar
- İnce parlatma seçenekleri
- Çizim tabanlı OEM üretimi
SiC Seramik Bileşenlerin Avantajları
Geleneksel malzemelerle karşılaştırıldığında, SiC seramik şunları sunar:
- Daha yüksek ısı iletkenliği
- Daha iyi termal şok direnci
- Üstün plazma dayanıklılığı
- Daha düşük termal genleşme
- Güçlü kimyasal kararlılık
- Yarı iletken ekipmanlarda daha uzun hizmet ömrü
SSS
S1: Basamaklı yapının birincil amacı nedir?
Kademeli geometri, hassas konumlandırma ve proses ekipmanı içinde güvenilir montaj sağlar.
S2: Bu bileşen plazma ortamlarına dayanabilir mi?
Evet. Silisyum karbür, plazma erozyonuna ve aşındırıcı proses gazlarına karşı mükemmel dirence sahiptir.
S3: Bileşen vakum uyumlu mu?
Evet. Malzeme vakum koşulları altında düşük gaz çıkışı ve istikrarlı performans sergiler.
S4: Boyutlar özelleştirilebilir mi?
Evet. Boyut, adım profili, toleranslar ve kenar özelliklerinin tümü müşteri gereksinimlerine göre üretilebilir.
S5: Cilalı versiyonlar mevcut mu?
Uygulama gereksinimlerine bağlı olarak isteğe bağlı ince taşlama ve parlatma sağlanabilir.
Değerlendirmeler
Henüz değerlendirme yapılmadı.