O tabuleiro para bolachas de carboneto de silício é um suporte cerâmico de precisão de elevado desempenho, concebido para o processamento de bolachas semicondutoras, sistemas CVD/PECVD, fornos de vácuo e ambientes industriais de alta temperatura.
Fabricado a partir de SiC CVD de elevada pureza ou SSiC (carboneto de silício sinterizado), este tabuleiro oferece uma excelente estabilidade térmica, resistência mecânica e resistência química, assegurando um manuseamento estável da bolacha e um desempenho consistente do processo em condições extremas.
É amplamente utilizado no fabrico de semicondutores, epitaxia de LED, processamento de bolacha de safira, sinterização de cerâmica avançada e sistemas térmicos de vácuo.
Caraterísticas principais
Estabilidade a altas temperaturas (até 1600°C+)
Mantém a integridade estrutural e o desempenho em funcionamento contínuo a alta temperatura sem deformação.
Excelente condutividade térmica
Assegura uma transferência de calor rápida e uniforme, reduzindo os gradientes de temperatura e melhorando o rendimento do processo.
Resistência superior a choques térmicos
Resiste a ciclos rápidos de aquecimento e arrefecimento sem fissurar ou deformar.
Elevada resistência mecânica
A estrutura reforçada proporciona uma excelente capacidade de carga e estabilidade dimensional a longo prazo.
Resistência química e a plasma
Altamente resistente a ácidos, álcalis, gases corrosivos e ambientes de plasma utilizados em processos de semicondutores.
Maquinação de precisão ultra-elevada
A retificação CNC garante tolerâncias apertadas, planicidade e superfícies de contacto de bolacha lisas para sistemas automatizados.
Conceção estrutural
Conceção de ranhura anular multi-zona
- Reduz o peso
- Melhora a uniformidade térmica
- Melhora a dissipação de calor
- Minimiza a concentração de tensões térmicas
Esta estrutura está optimizada para o processamento de bolachas a alta temperatura e aplicações de vácuo.
Sistema de nervuras de reforço radial
- Aumenta a rigidez mecânica
- Evita a deformação sob carga
- Melhora a estabilidade rotacional
- Prolonga a vida útil em ambientes térmicos cíclicos
Superfície maquinada de precisão
- Elevada planicidade e consistência
- Interface de contacto de bolacha suave
- Compatível com sistemas de automação robótica
- Reduz o risco de geração de partículas
Interface de montagem central
A estrutura central perfurada com precisão garante:
- Fixação estável do eixo
- Alinhamento exato em sistemas de fornos
- Compatibilidade com equipamento automatizado de manuseamento de bolachas
Anel exterior reforçado
- Melhora o equilíbrio estrutural
- Melhora a resistência às vibrações
- Reforça a durabilidade dos bordos durante o funcionamento
Opções de materiais
Carboneto de silício CVD (CVD SiC)
- Pureza ultra-alta
- Contaminação extremamente baixa
- Excelente qualidade de superfície
- Ideal para processos avançados de semicondutores
Carboneto de silício sinterizado (SSiC)
- Elevada resistência e densidade
- Excelente resistência ao desgaste
- Estável em ambientes agressivos
- Adequado para sistemas industriais de alta temperatura
SiC ligado por reação (RBSiC)
- Solução económica
- Boa resistência ao choque térmico
- Adequado para aplicações industriais em massa
Especificações técnicas
| Item | Especificação |
|---|---|
| Material | CVD SiC / SSiC / RBSiC |
| Pureza | Até 99,9% |
| Temperatura de funcionamento | ≤ 1600°C |
| Densidade | 2,3 - 3,9 g/cm³ |
| Resistência ao choque térmico | Excelente |
| Acabamento da superfície | Retificação de precisão / Polimento |
| Forma | Personalizado (redondo / anel / placa) |
| Tamanho | Personalizado disponível |
| Aplicação | Semicondutores / CVD / Forno |
Aplicações
Indústria de semicondutores
- Suporte de bolachas para sistemas CVD / PECVD
- Processos de difusão, oxidação e recozimento
- RTP e sistemas de crescimento epitaxial
- Tabuleiros de transferência e manuseamento de bolachas
LED e Optoelectrónica
- Processamento de pastilhas de safira
- Sistemas de suporte de epitaxia de LED
- Suporte de substrato de alta temperatura
Fornos de vácuo e térmicos
- Tabuleiros de sinterização a alta temperatura
- Suportes para fornos de vácuo
- Dispositivos de processamento térmico
Fabrico avançado
- Processamento de cerâmica de precisão
- Dispositivos de equipamento de automatização
- Plataformas mecânicas de elevada estabilidade
Vantagens do produto
- Excelente resistência a altas temperaturas
- Condutividade térmica superior
- Elevada estabilidade dimensional
- Longa vida útil
- Baixo risco de contaminação
- Forte resistência à corrosão
- Compatível com sistemas de vácuo
- Design totalmente personalizável
Capacidade de personalização
Apoiamos a personalização total com base em desenhos ou requisitos de aplicação:
- Personalização do diâmetro/espessura
- Otimização da geometria da ranhura
- Furos de montagem de precisão
- Polimento / lapidação de superfícies
- Maquinação ultra-plana de nível de bolacha
- Seleção de material de elevada pureza
- Conceção estrutural complexa
Serviços OEM e ODM disponíveis para fabricantes de equipamento de semicondutores.
FAQ
Q1: Para que é utilizado um tabuleiro de bolachas de carboneto de silício?
É utilizado para suportar e transportar bolachas durante os processos de semicondutores, tais como CVD, PECVD, difusão, oxidação e recozimento a alta temperatura.
Q2: Porquê utilizar SiC em vez de quartzo ou grafite?
O SiC fornece:
- Maior resistência à temperatura
- Melhor resistência mecânica
- Menor expansão térmica
- Vida útil mais longa
- Melhor estabilidade química
Q3: O tabuleiro pode ser personalizado?
Sim. Fornecemos personalização total, incluindo tamanho, estrutura, espessura e design de montagem.
Q4: É adequado para aquecimento e arrefecimento rápidos?
Sim. O SiC tem uma excelente resistência ao choque térmico, o que o torna adequado para processos de ciclos térmicos.
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