Le plateau en céramique SiC est un support de plaquettes de haute performance conçu pour les procédés de semi-conducteurs avancés tels que MOCVD, épitaxie et gravure ICP. Il est disponible en deux structures :
- Substrat en graphite avec revêtement CVD SiC
- Plateau monolithique en CVD SiC de haute pureté (≥99.99%)
Par rapport aux supports en graphite conventionnels, ce produit offre une stabilité thermique, une résistance à la corrosion et une durée de vie considérablement améliorées, ce qui le rend idéal pour les environnements exigeants de fabrication de semi-conducteurs à haute température.
Il est largement utilisé dans la production de LED GaN, la fabrication de semi-conducteurs de puissance et les systèmes de traitement de précision des plaquettes.
Principales caractéristiques et avantages
1. Résistance aux températures très élevées
- Fonctionnement stable à 1100-1200°C+.
- Convient aux environnements difficiles de MOCVD et de croissance épitaxiale
- Pas de déformation en cas de cycles thermiques de longue durée
2. Protection supérieure du revêtement CVD SiC
- Pureté jusqu'à 99,999% SiC
- Le revêtement dense empêche la pénétration des gaz et l'érosion du substrat.
- Élimine la contamination par les particules de graphite dans le traitement des plaquettes de silicium
3. Excellente résistance à la corrosion et aux produits chimiques
- Résistant à HF, H₂SO₄, HCl et aux gaz réactifs de processus
- Idéal pour les environnements agressifs de gravure des semi-conducteurs
4. Conductivité thermique élevée et chauffage uniforme
- Assure une distribution uniforme de la température sur toute la surface de la plaquette
- Améliore la qualité du film et la stabilité du processus
5. Longue durée de vie
- Durée de vie jusqu'à 4 fois supérieure à celle des plateaux traditionnels à base de graphite
- Réduction des temps d'arrêt et de la fréquence de remplacement
Spécifications techniques
| Paramètres | Valeur |
|---|---|
| Type de matériau | Graphite + revêtement CVD SiC / Full CVD SiC |
| SiC Pureté | ≥99.9% (enrobé), ≥99.99% (monolithique) |
| Gamme de diamètres | Φ380 mm - Φ600 mm |
| Température de fonctionnement | 1100-1200°C |
| Conductivité thermique | Haut |
| Résistance à la corrosion | Excellent (résistant aux HF, H₂SO₄) |
| Durée de vie | ~4× plateaux à base de graphite |
Domaines d'application
Fabrication de semi-conducteurs
- MOCVD (dépôt chimique en phase vapeur d'un métal organique)
- Croissance de plaquettes épitaxiées (GaN, SiC, etc.)
- Procédés de gravure ICP
- Systèmes de manutention de gaufrettes de haute précision
Industrie des LED
- Production de LED bleues et blanches à haute luminosité
- Dispositifs optoélectroniques à base de GaN
Électronique avancée
- Semi-conducteurs de puissance
- Dispositifs à haute fréquence
- Systèmes de dépôt de couches minces de précision
Avantages en termes de performances par rapport aux plateaux traditionnels en graphite
| Objet | Plateau en graphite | Plateau à revêtement CVD SiC |
|---|---|---|
| Résistance à la température | Moyen | Très élevé |
| Résistance à la corrosion | Pauvre | Excellent |
| Contamination par les particules | Risque élevé | Minime |
| Durée de vie | Court | 3-4× plus long |
| Stabilité de la surface | Se dégrade avec le temps | Très stable |
Emballage et manutention
- Emballage pour salle blanche disponible
- Caisse en bois résistante aux chocs ou emballage sous vide
- Conçu pour le transport de semi-conducteurs sans contamination
- Dimensions personnalisées possibles (Φ380-Φ600 mm ou conceptions sur mesure)
Pourquoi choisir ce produit ?
Ce plateau porte-gaufrettes en SiC est conçu pour la fabrication de semi-conducteurs de la prochaine génération, où la pureté, la stabilité thermique et le contrôle de la contamination sont essentiels. En remplaçant les supports traditionnels à base de graphite, il améliore considérablement le rendement de la production, réduit les coûts de maintenance et garantit des performances stables à long terme.
FAQ
Q1 : Quel est le principal avantage du revêtement CVD SiC par rapport aux plateaux en graphite ?
Le revêtement CVD SiC constitue une couche protectrice dense et ultra-pure qui empêche la pénétration des gaz et le détachement des particules de graphite, ce qui améliore considérablement la durabilité et réduit la contamination des plaquettes.
Q2 : Ce plateau SiC peut-il être utilisé dans les procédés MOCVD à haute température ?
Oui. Il est spécialement conçu pour les applications MOCVD et peut fonctionner de manière fiable à 1100-1200°C avec une excellente stabilité thermique et une distribution uniforme de la chaleur.
Q3 : Quelle est la différence entre les plateaux en graphite revêtus et les plateaux SiC entièrement CVD ?
Les plateaux en graphite revêtu utilisent un noyau en graphite recouvert d'une couche protectrice en SiC, tandis que les plateaux en SiC CVD sont des structures monolithiques d'une plus grande pureté, d'une meilleure résistance à la corrosion et d'une durée de vie plus longue.
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