Керамическая пластина-лоток SiC - это высокопроизводительный держатель для полупроводниковых пластин, разработанный для передовых полупроводниковых процессов, таких как MOCVD, эпитаксия и ICP-травление. Она выпускается в двух конструкциях:

• Графитовая подложка с CVD покрытием SiC
• Монолитный лоток из высокочистого CVD SiC (≥99.99%)

По сравнению с обычными графитовыми носителями, этот продукт обладает значительно более высокой термической стабильностью, коррозионной стойкостью и сроком службы, что делает его идеальным для использования в сложных высокотемпературных условиях производства полупроводников.

Он широко используется в производстве GaN-светодиодов, силовых полупроводников и прецизионных систем обработки пластин.

---

Ключевые особенности и преимущества

1. Устойчивость к сверхвысоким температурам

• Стабильная работа при 1100-1200°C+
• Подходит для жестких условий MOCVD и эпитаксиального роста
• Отсутствие деформации при длительном термоциклировании

2. Превосходная защита покрытия CVD SiC

• Чистота до 99,999% SiC
• Плотное покрытие предотвращает проникновение газа и эрозию подложки
• Устраняет загрязнение графитовыми частицами при обработке пластин

3. Отличная коррозионная и химическая стойкость

• Устойчивость к HF, H₂SO₄, HCl и реактивным технологическим газам
• Идеально подходит для агрессивных сред травления полупроводников

4. Высокая теплопроводность и равномерный нагрев

• Обеспечивает равномерное распределение температуры по поверхности пластин
• Улучшает качество пленки и стабильность процесса

5. Длительный срок службы

• Срок службы до 4× больше, чем у традиционных лотков на основе графита
• Сокращение времени простоя и снижение частоты замены

---

Технические характеристики

---

Области применения

Производство полупроводников

• MOCVD (металлоорганическое химическое осаждение из паровой фазы)
• Эпитаксиальный рост пластин (GaN, SiC и др.)
• Процессы травления ICP
• Высокоточные системы обработки пластин

Светодиодная промышленность

• Производство синих и белых светодиодов высокой яркости
• Оптоэлектронные приборы на основе GaN

Передовая электроника

• Силовые полупроводники
• Высокочастотные устройства
• Прецизионные системы осаждения тонких пленок

---

Преимущества по сравнению с традиционными графитовыми лотками

---

Упаковка и обработка

• Доступна упаковка для чистых помещений
• Ударопрочный деревянный ящик или вакуумная упаковка
• Разработан для транспортировки полупроводников без загрязнений
• Поддерживаются нестандартные размеры (Φ380-Φ600 мм или индивидуальный дизайн)

---

Почему стоит выбрать этот продукт

Этот лоток для переноса SiC-пластин разработан для производства полупроводников нового поколения, где чистота, термостабильность и контроль загрязнения имеют решающее значение. Заменяя традиционные носители на основе графита, он значительно повышает выход продукции, снижает эксплуатационные расходы и обеспечивает стабильную долгосрочную работу процесса.

---

ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ

Q1: В чем основное преимущество CVD SiC-покрытия по сравнению с графитовыми лотками?

CVD-покрытие SiC обеспечивает плотный, сверхчистый защитный слой, который предотвращает проникновение газов и осыпание частиц графита, значительно повышая долговечность и снижая загрязнение пластин.

---

Вопрос 2: Можно ли использовать этот поддон для SiC в высокотемпературных процессах MOCVD?

Да. Он специально разработан для MOCVD-приложений и может надежно работать при температуре 1100-1200°C с отличной термостабильностью и равномерным распределением тепла.

---

Вопрос 3: В чем разница между графитовыми лотками с покрытием и лотками с полным CVD SiC?

В графитовых лотках с покрытием используется графитовая сердцевина с защитным слоем SiC, а лотки с полным CVD SiC представляют собой монолитные структуры с более высокой чистотой, лучшей коррозионной стойкостью и более длительным сроком службы.