A SiC kerámia tálcás lemez egy nagy teljesítményű ostyatartó, amelyet fejlett félvezető eljárásokhoz, például MOCVD, epitaxia és ICP maratáshoz terveztek. Kétféle szerkezetben kapható:
- Grafit szubsztrát CVD SiC bevonattal
- Monolitikus, nagy tisztaságú CVD SiC tálca (≥99,99%)
A hagyományos grafittartókhoz képest ez a termék jelentősen jobb hőstabilitást, korrózióállóságot és élettartamot kínál, így ideális az igényes, magas hőmérsékletű félvezetőgyártási környezetekben.
Széles körben használják a GaN LED-gyártásban, a teljesítmény félvezetőgyártásban és a precíziós ostyafeldolgozó rendszerekben.
Főbb jellemzők és előnyök
1. Ultra-magas hőmérsékleti ellenállás
- Stabil működés 1100-1200°C+ hőmérsékleten
- Alkalmas a zord MOCVD és epitaxiális növekedési környezetekhez
- Nincs deformáció hosszú távú hőciklusok alatt
2. Kiváló CVD SiC bevonatvédelem
- Tisztaság akár 99,999% SiC
- A sűrű bevonat megakadályozza a gázok behatolását és az aljzat erózióját
- Megszünteti a grafitszemcsés szennyeződést a szeletfeldolgozás során
3. Kiváló korrózió- és vegyszerállóság
- Ellenáll a HF, H₂SO₄, HCl és reaktív technológiai gázoknak
- Ideális agresszív félvezető maratási környezetekhez
4. Nagy hővezető képesség és egyenletes fűtés
- Biztosítja az egyenletes hőmérséklet-eloszlást az ostya felületén
- Javítja a film minőségét és a folyamat stabilitását
5. Hosszú élettartam
- Akár 4× hosszabb élettartam, mint a hagyományos grafit alapú tálcáknál
- Csökkentett állásidő és alacsonyabb csere gyakoriság
Műszaki specifikációk
| Paraméter | Érték |
|---|---|
| Anyag típusa | Grafit + CVD SiC bevonat / teljes CVD SiC |
| SiC tisztaság | ≥99,9% (bevonat), ≥99,99% (monolitikus) |
| Átmérő tartomány | Φ380 mm - Φ600 mm |
| Üzemi hőmérséklet | 1100-1200°C |
| Hővezető képesség | Magas |
| Korrózióállóság | Kiváló (HF, H₂SO₄ ellenálló) |
| Élettartam | ~4× grafit alapú tálcák |
Alkalmazási területek
Félvezetőgyártás
- MOCVD (fém szerves kémiai gőzfázisú leválasztás)
- Epitaxiális ostyanövesztés (GaN, SiC stb.)
- ICP maratási eljárások
- Nagy pontosságú ostyakezelő rendszerek
LED ipar
- Nagy fényerejű kék és fehér LED gyártás
- GaN-alapú optoelektronikai eszközök
Fejlett elektronika
- Teljesítmény félvezetők
- Nagyfrekvenciás eszközök
- Precíziós vékonyréteg-leválasztó rendszerek
Teljesítményelőnyök a hagyományos grafittálcákkal szemben
| Tétel | Grafit tálca | CVD SiC bevonatú tálca |
|---|---|---|
| Hőmérsékleti ellenállás | Közepes | Nagyon magas |
| Korrózióállóság | Szegény | Kiváló |
| Részecskeszennyezés | Magas kockázat | Minimális |
| Élettartam | Rövid | 3-4× hosszabb |
| Felületi stabilitás | Idővel lebomlik | Rendkívül stabil |
Csomagolás és kezelés
- Tisztaszobai csomagolás elérhető
- Ütésálló fa láda vagy vákuumzárás
- Szennyeződésmentes félvezető-szállításra tervezve
- Egyedi méretek támogatottak (Φ380-Φ600 mm vagy testreszabott formatervezés)
Miért válassza ezt a terméket
Ezt a SiC ostyatartó tálcát a következő generációs félvezetőgyártáshoz tervezték, ahol a tisztaság, a hőstabilitás és a szennyeződések ellenőrzése kritikus fontosságú. A hagyományos grafit alapú hordozók helyettesítésével jelentősen javítja a termelési hozamot, csökkenti a karbantartási költségeket, és hosszú távon stabil folyamat teljesítményt biztosít.
GYIK
1. kérdés: Mi a CVD SiC bevonat fő előnye a grafittálcákkal szemben?
A CVD SiC bevonat sűrű, ultra-tiszta védőréteget képez, amely megakadályozza a gázok behatolását és a grafitszemcsék leválását, jelentősen javítva a tartósságot és csökkentve a szelet szennyeződését.
2. kérdés: Használható ez a SiC tálca magas hőmérsékletű MOCVD folyamatokban?
Igen. Kifejezetten MOCVD alkalmazásokhoz tervezték, és 1100-1200 °C-on megbízhatóan működik, kiváló hőstabilitással és egyenletes hőeloszlással.
3. kérdés: Mi a különbség a bevont grafittálcák és a teljes CVD SiC tálcák között?
A bevont grafittálcák grafitmagot használnak egy védő SiC-réteggel, míg a teljes CVD SiC-tálcák monolitikus szerkezetek, amelyek nagyobb tisztaságúak, jobb korrózióállóságúak és hosszabb élettartamúak.
Értékelések
Még nincsenek értékelések.