Die SiC-Keramik-Trayplatte ist ein hochleistungsfähiger Waferträger, der für moderne Halbleiterprozesse wie MOCVD, Epitaxie und ICP-Ätzen entwickelt wurde. Sie ist in zwei Strukturen erhältlich:

• Graphitsubstrat mit CVD-SiC-Beschichtung
• Monolithische hochreine CVD-SiC-Schale (≥99,99%)

Im Vergleich zu herkömmlichen Graphitträgern bietet dieses Produkt eine deutlich verbesserte thermische Stabilität, Korrosionsbeständigkeit und Lebensdauer und ist damit ideal für anspruchsvolle Hochtemperaturumgebungen in der Halbleiterfertigung.

Es wird häufig in der GaN-LED-Produktion, bei der Herstellung von Leistungshalbleitern und in Präzisionssystemen für die Waferbearbeitung eingesetzt.

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Hauptmerkmale und Vorteile

1. Ultra-Hochtemperaturbeständigkeit

• Stabiler Betrieb bei 1100-1200°C+
• Geeignet für raue MOCVD- und Epitaxiewachstumsumgebungen
• Keine Verformung bei langfristiger thermischer Belastung

2. Überlegener Schutz durch CVD-SiC-Beschichtung

• Reinheit bis zu 99,999% SiC
• Die dichte Beschichtung verhindert das Eindringen von Gas und die Erosion des Substrats
• Eliminiert die Verunreinigung durch Graphitpartikel bei der Waferverarbeitung

3. Ausgezeichnete Korrosions- und Chemikalienbeständigkeit

• Beständig gegen HF, H₂SO₄, HCl und reaktive Prozessgase
• Ideal für aggressive Halbleiter-Ätzumgebungen

4. Hohe Wärmeleitfähigkeit und gleichmäßige Erwärmung

• Sorgt für eine gleichmäßige Temperaturverteilung auf der Waferoberfläche
• Verbessert Folienqualität und Prozessstabilität

5. Lange Lebensdauer

• Bis zu 4-mal längere Lebensdauer als herkömmliche Graphitschalen
• Geringere Ausfallzeiten und geringere Austauschhäufigkeit

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Technische Daten

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Anwendungsbereiche

Herstellung von Halbleitern

• MOCVD (Metallorganische chemische Gasphasenabscheidung)
• Epitaktisches Waferwachstum (GaN, SiC, usw.)
• ICP-Ätzverfahren
• Hochpräzise Wafer-Handling-Systeme

LED-Industrie

• Blaue und weiße LED mit hoher Helligkeit
• GaN-basierte optoelektronische Bauelemente

Fortgeschrittene Elektronik

• Leistungshalbleiter
• Hochfrequenz-Geräte
• Präzisionssysteme für die Dünnschichtabscheidung

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Leistungsvorteile im Vergleich zu herkömmlichen Graphitböden

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Verpackung und Handhabung

• Reinraumtaugliche Verpackung verfügbar
• Stoßsichere Holzkiste oder Vakuumversiegelung
• Entwickelt für den kontaminationsfreien Transport von Halbleitern
• Kundenspezifische Größen werden unterstützt (Φ380-Φ600 mm oder maßgeschneiderte Designs)

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Warum dieses Produkt wählen

Dieser SiC-Waferträger wurde für die Halbleiterfertigung der nächsten Generation entwickelt, bei der Reinheit, thermische Stabilität und Kontaminationskontrolle entscheidend sind. Durch den Ersatz herkömmlicher graphitbasierter Träger wird die Produktionsausbeute erheblich verbessert, die Wartungskosten werden gesenkt und eine stabile langfristige Prozessleistung gewährleistet.

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FAQ

F1: Was ist der Hauptvorteil der CVD-SiC-Beschichtung im Vergleich zu Graphitplatten?

Die CVD-SiC-Beschichtung bildet eine dichte, hochreine Schutzschicht, die das Eindringen von Gasen und die Ablösung von Graphitpartikeln verhindert, was die Haltbarkeit erheblich verbessert und die Verunreinigung der Wafer reduziert.

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F2: Kann diese SiC-Schale in MOCVD-Hochtemperaturprozessen verwendet werden?

Ja, sie wurde speziell für MOCVD-Anwendungen entwickelt und kann zuverlässig bei 1100-1200 °C mit hervorragender thermischer Stabilität und gleichmäßiger Wärmeverteilung arbeiten.

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F3: Was ist der Unterschied zwischen beschichteten Graphitplatten und vollständigen CVD-SiC-Platten?

Bei beschichteten Graphitböden wird ein Graphitkern mit einer schützenden SiC-Schicht verwendet, während SiC-Böden mit CVD-Beschichtung monolithische Strukturen mit höherer Reinheit, besserer Korrosionsbeständigkeit und längerer Lebensdauer sind.