SiC seramik tepsi plakası, MOCVD, epitaksi ve ICP aşındırma gibi gelişmiş yarı iletken prosesler için tasarlanmış yüksek performanslı bir wafer taşıyıcıdır. İki yapıda mevcuttur:
- CVD SiC kaplamalı grafit substrat
- Monolitik yüksek saflıkta CVD SiC tepsi (≥99.99%)
Geleneksel grafit taşıyıcılarla karşılaştırıldığında, bu ürün önemli ölçüde geliştirilmiş termal stabilite, korozyon direnci ve hizmet ömrü sunarak zorlu yüksek sıcaklıklı yarı iletken üretim ortamları için idealdir.
GaN LED üretiminde, güç yarı iletken imalatında ve hassas wafer işleme sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Temel Özellikler ve Avantajlar
1. Ultra Yüksek Sıcaklık Dayanımı
- 1100-1200°C+ sıcaklıkta kararlı çalışma
- Zorlu MOCVD ve epitaksiyel büyüme ortamları için uygundur
- Uzun süreli termal döngü altında deformasyon olmaz
2. Üstün CVD SiC Kaplama Koruması
- 99,999'a kadar saflık% SiC
- Yoğun kaplama gaz penetrasyonunu ve alt tabaka erozyonunu önler
- Gofret işlemede grafit partikül kontaminasyonunu ortadan kaldırır
3. Mükemmel Korozyon ve Kimyasal Direnç
- HF, H₂SO₄, HCl ve reaktif proses gazlarına karşı dayanıklıdır
- Agresif yarı iletken aşındırma ortamları için ideal
4. Yüksek Isı İletkenliği ve Düzgün Isıtma
- Yonga plakası yüzeyi boyunca eşit sıcaklık dağılımı sağlar
- Film kalitesini ve proses stabilitesini artırır
5. Uzun Hizmet Ömrü
- Geleneksel grafit bazlı tepsilere göre 4 kata kadar daha uzun kullanım ömrü
- Azaltılmış arıza süresi ve daha düşük değiştirme sıklığı
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Malzeme Türü | Grafit + CVD SiC kaplama / Tam CVD SiC |
| SiC Saflığı | ≥99.9% (kaplamalı), ≥99.99% (monolitik) |
| Çap Aralığı | Φ380 mm - Φ600 mm |
| Çalışma Sıcaklığı | 1100-1200°C |
| Termal İletkenlik | Yüksek |
| Korozyon Direnci | Mükemmel (HF, H₂SO₄ dirençli) |
| Hizmet Ömrü | ~4× grafit bazlı tepsiler |
Uygulama Alanları
Yarı İletken Üretimi
- MOCVD (Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme)
- Epitaksiyel gofret büyütme (GaN, SiC, vb.)
- ICP aşındırma işlemleri
- Yüksek hassasiyetli gofret taşıma sistemleri
LED Endüstrisi
- Yüksek parlaklıkta mavi ve beyaz LED üretimi
- GaN tabanlı optoelektronik cihazlar
Gelişmiş Elektronik
- Güç yarı iletkenleri
- Yüksek frekanslı cihazlar
- Hassas ince film biriktirme sistemleri
Geleneksel Grafit Tepsilere Karşı Performans Avantajları
| Öğe | Grafit Tepsi | CVD SiC Kaplamalı Tepsi |
|---|---|---|
| Sıcaklık Dayanımı | Orta | Çok Yüksek |
| Korozyon Direnci | Zayıf | Mükemmel |
| Partikül Kirlenmesi | Yüksek risk | Minimal |
| Hizmet Ömrü | Kısa | 3-4 kat daha uzun |
| Yüzey Stabilitesi | Zaman içinde bozulur | Son derece kararlı |
Paketleme ve Taşıma
- Temiz oda sınıfı ambalaj mevcuttur
- Darbeye dayanıklı ahşap sandık veya vakumlu mühürleme
- Kontaminasyonsuz yarı iletken taşıma için tasarlanmıştır
- Özel boyutlar desteklenir (Φ380-Φ600 mm veya özel tasarımlar)
Neden Bu Ürünü Seçmelisiniz
Bu SiC yonga plakası taşıyıcı tepsisi, saflık, termal stabilite ve kontaminasyon kontrolünün kritik önem taşıdığı yeni nesil yarı iletken üretimi için tasarlanmıştır. Geleneksel grafit bazlı taşıyıcıların yerini alarak üretim verimini önemli ölçüde artırır, bakım maliyetlerini azaltır ve istikrarlı uzun vadeli proses performansı sağlar.
SSS
S1: CVD SiC kaplamanın grafit tepsilere kıyasla ana avantajı nedir?
CVD SiC kaplama, gaz penetrasyonunu ve grafit partikül dökülmesini önleyen, dayanıklılığı büyük ölçüde artıran ve gofret kontaminasyonunu azaltan yoğun, ultra saf bir koruyucu tabaka sağlar.
S2: Bu SiC tepsi MOCVD yüksek sıcaklık proseslerinde kullanılabilir mi?
Evet. MOCVD uygulamaları için özel olarak tasarlanmıştır ve mükemmel termal stabilite ve homojen ısı dağılımı ile 1100-1200°C'de güvenilir bir şekilde çalışabilir.
S3: Kaplamalı grafit tepsiler ile tam CVD SiC tepsiler arasındaki fark nedir?
Kaplamalı grafit tepsiler koruyucu bir SiC katmanına sahip bir grafit çekirdek kullanırken, tam CVD SiC tepsiler daha yüksek saflık, daha iyi korozyon direnci ve daha uzun hizmet ömrüne sahip monolitik yapılardır.
Değerlendirmeler
Henüz değerlendirme yapılmadı.