La placa de bandeja cerámica de SiC es un soporte de obleas de alto rendimiento diseñado para procesos avanzados de semiconductores como MOCVD, epitaxia y grabado ICP. Está disponible en dos estructuras:
- Sustrato de grafito con revestimiento de CVD SiC
- Bandeja monolítica de CVD SiC de gran pureza (≥99,99%)
En comparación con los soportes de grafito convencionales, este producto ofrece una estabilidad térmica, una resistencia a la corrosión y una vida útil significativamente mejores, por lo que resulta ideal para los exigentes entornos de fabricación de semiconductores a alta temperatura.
Se utiliza ampliamente en la producción de LED de GaN, la fabricación de semiconductores de potencia y los sistemas de procesamiento de obleas de precisión.
Principales características y ventajas
1. Resistencia a temperaturas ultraelevadas
- Funcionamiento estable a 1100-1200°C+.
- Adecuado para entornos adversos de MOCVD y crecimiento epitaxial
- Sin deformación en ciclos térmicos prolongados
2. Protección superior del revestimiento CVD SiC
- Pureza hasta 99,999% SiC
- El revestimiento denso impide la penetración de gases y la erosión del sustrato
- Elimina la contaminación por partículas de grafito en el procesamiento de obleas
3. Excelente resistencia a la corrosión y a los productos químicos
- Resistente a HF, H₂SO₄, HCl y gases de proceso reactivos.
- Ideal para entornos agresivos de grabado de semiconductores
4. Alta conductividad térmica y calentamiento uniforme
- Garantiza una distribución uniforme de la temperatura en toda la superficie de la oblea
- Mejora la calidad de la película y la estabilidad del proceso
5. Larga vida útil
- Vida útil hasta 4 veces superior a la de las bandejas tradicionales de grafito
- Menor tiempo de inactividad y menor frecuencia de sustitución
Especificaciones técnicas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de material | Grafito + recubrimiento CVD SiC / CVD SiC completo |
| Pureza del SiC | ≥99.9% (recubierto), ≥99.99% (monolítico) |
| Diámetro | Φ380 mm - Φ600 mm |
| Temperatura de funcionamiento | 1100-1200°C |
| Conductividad térmica | Alta |
| Resistencia a la corrosión | Excelente (resistente a HF, H₂SO₄) |
| Vida útil | ~4× bandejas de grafito |
Ámbitos de aplicación
Fabricación de semiconductores
- MOCVD (depósito químico orgánico de vapor metálico)
- Crecimiento epitaxial de obleas (GaN, SiC, etc.)
- Procesos de grabado ICP
- Sistemas de manipulación de obleas de alta precisión
Industria LED
- Producción de LED azules y blancos de alta luminosidad
- Dispositivos optoelectrónicos basados en GaN
Electrónica avanzada
- Semiconductores de potencia
- Dispositivos de alta frecuencia
- Sistemas precisos de deposición de películas finas
Ventajas de rendimiento frente a las bandejas de grafito tradicionales
| Artículo | Bandeja de grafito | Bandeja recubierta de CVD SiC |
|---|---|---|
| Resistencia a la temperatura | Medio | Muy alta |
| Resistencia a la corrosión | Pobre | Excelente |
| Contaminación por partículas | Alto riesgo | Mínimo |
| Vida útil | Corto | 3-4× más tiempo |
| Estabilidad de la superficie | Se degrada con el tiempo | Muy estable |
Embalaje y manipulación
- Embalaje de grado sala limpia disponible
- Caja de madera resistente a los golpes o sellado al vacío
- Diseñado para el transporte de semiconductores sin contaminación
- Admite tamaños personalizados (Φ380-Φ600 mm o diseños a medida).
Por qué elegir este producto
Esta bandeja portadora de obleas de SiC está diseñada para la fabricación de semiconductores de última generación, donde la pureza, la estabilidad térmica y el control de la contaminación son fundamentales. Al sustituir a los soportes tradicionales de grafito, mejora significativamente el rendimiento de la producción, reduce los costes de mantenimiento y garantiza un rendimiento estable del proceso a largo plazo.
PREGUNTAS FRECUENTES
P1: ¿Cuál es la principal ventaja del recubrimiento CVD SiC frente a las bandejas de grafito?
El recubrimiento CVD SiC proporciona una capa protectora densa y ultrapura que impide la penetración de gas y el desprendimiento de partículas de grafito, mejorando enormemente la durabilidad y reduciendo la contaminación de las obleas.
P2: ¿Puede utilizarse esta bandeja de SiC en procesos MOCVD de alta temperatura?
Sí. Está diseñado específicamente para aplicaciones MOCVD y puede funcionar de forma fiable a 1100-1200°C con una excelente estabilidad térmica y una distribución uniforme del calor.
P3: ¿Cuál es la diferencia entre las bandejas de grafito revestido y las bandejas de CVD SiC completas?
Las bandejas de grafito revestido utilizan un núcleo de grafito con una capa protectora de SiC, mientras que las bandejas de SiC de CVD completo son estructuras monolíticas con mayor pureza, mejor resistencia a la corrosión y mayor vida útil.
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