Tấm khay gốm SiC là một giá đỡ wafer hiệu suất cao được thiết kế dành cho các quy trình bán dẫn tiên tiến như MOCVD, epitaxy và khắc ICP. Sản phẩm có hai cấu trúc:

• Chất nền than chì có lớp phủ SiC bằng phương pháp CVD
• Khay SiC CVD nguyên khối có độ tinh khiết cao (≥99,991%)

So với các chất mang than chì truyền thống, sản phẩm này mang lại độ ổn định nhiệt, khả năng chống ăn mòn và tuổi thọ cao hơn đáng kể, khiến nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho các môi trường sản xuất bán dẫn đòi hỏi nhiệt độ cao.

Nó được sử dụng rộng rãi trong sản xuất đèn LED GaN, chế tạo chất bán dẫn công suất và các hệ thống gia công tấm wafer chính xác.

---

Các tính năng và ưu điểm chính

1. Khả năng chịu nhiệt độ cực cao

• Hoạt động ổn định ở nhiệt độ 1100–1200°C+
• Phù hợp với các môi trường MOCVD và phát triển lớp phủ epitaxial khắc nghiệt
• Không bị biến dạng khi chịu tác động của chu kỳ nhiệt kéo dài

2. Lớp phủ SiC CVD có khả năng bảo vệ vượt trội

• Độ tinh khiết lên đến 99,9991% SiC
• Lớp phủ dày đặc ngăn chặn sự xâm nhập của khí và sự ăn mòn của vật liệu nền
• Loại bỏ sự nhiễm bẩn do các hạt than chì trong quá trình gia công tấm wafer

3. Khả năng chống ăn mòn và hóa chất tuyệt vời

• Chịu được HF, H₂SO₄, HCl và các loại khí quá trình phản ứng
• Rất phù hợp cho các môi trường ăn mòn bán dẫn khắc nghiệt

4. Độ dẫn nhiệt cao & làm nóng đồng đều

• Đảm bảo nhiệt độ được phân bố đồng đều trên bề mặt tấm wafer
• Nâng cao chất lượng màng và độ ổn định của quy trình

5. Tuổi thọ cao

• Tuổi thọ cao gấp 4 lần so với các khay làm từ than chì truyền thống
• Giảm thời gian ngừng hoạt động và tần suất thay thế

---

Thông số kỹ thuật

---

Lĩnh vực ứng dụng

Sản xuất chất bán dẫn

• MOCVD (Phương pháp lắng đọng hóa học từ pha hơi kim loại hữu cơ)
• Phương pháp phát triển tấm wafer theo phương pháp epitaxy (GaN, SiC, v.v.)
• Các quy trình khắc ICP
• Hệ thống xử lý tấm wafer có độ chính xác cao

Ngành công nghiệp LED

• Sản xuất đèn LED màu xanh dương và trắng có độ sáng cao
• Các thiết bị quang điện tử dựa trên GaN

Điện tử nâng cao

• Bán dẫn công suất
• Thiết bị tần số cao
• Hệ thống lắng đọng màng mỏng chính xác

---

Ưu điểm về hiệu suất so với khay than chì truyền thống

---

Đóng gói & Xử lý

• Có sẵn bao bì đạt tiêu chuẩn phòng sạch
• Thùng gỗ chống va đập hoặc đóng gói chân không
• Được thiết kế để vận chuyển chất bán dẫn mà không bị nhiễm bẩn
• Hỗ trợ các kích thước tùy chỉnh (Φ380–Φ600 mm hoặc thiết kế theo yêu cầu)

---

Tại sao nên chọn sản phẩm này?

Khay đựng tấm wafer SiC này được thiết kế dành cho ngành sản xuất bán dẫn thế hệ mới, nơi độ tinh khiết, tính ổn định nhiệt và kiểm soát ô nhiễm là những yếu tố then chốt. Bằng cách thay thế các khay đựng truyền thống làm từ than chì, sản phẩm này giúp nâng cao đáng kể hiệu suất sản xuất, giảm chi phí bảo trì và đảm bảo hiệu suất quy trình ổn định trong dài hạn.

---

Câu hỏi thường gặp

Câu hỏi 1: Ưu điểm chính của lớp phủ CVD SiC so với khay than chì là gì?

Lớp phủ SiC bằng phương pháp CVD tạo ra một lớp bảo vệ dày đặc và siêu tinh khiết, giúp ngăn chặn sự xâm nhập của khí và sự bong tróc của các hạt than chì, từ đó nâng cao đáng kể độ bền và giảm thiểu ô nhiễm trên tấm wafer.

---

Câu hỏi 2: Khay SiC này có thể được sử dụng trong các quy trình MOCVD nhiệt độ cao không?

Đúng vậy. Sản phẩm này được thiết kế chuyên dụng cho các ứng dụng MOCVD và có thể hoạt động ổn định ở nhiệt độ 1100–1200°C, với độ ổn định nhiệt cao và khả năng phân phối nhiệt đồng đều.

---

Câu hỏi 3: Sự khác biệt giữa khay than chì tráng phủ và khay SiC CVD nguyên khối là gì?

Các khay graphite tráng phủ sử dụng lõi graphite được phủ một lớp SiC bảo vệ, trong khi các khay SiC CVD nguyên khối là các cấu trúc nguyên khối có độ tinh khiết cao hơn, khả năng chống ăn mòn tốt hơn và tuổi thọ cao hơn.