A placa de bandeja de cerâmica SiC é um suporte de bolacha de alto desempenho concebido para processos avançados de semicondutores, como MOCVD, epitaxia e gravação ICP. Está disponível em duas estruturas:
- Substrato de grafite com revestimento de SiC por CVD
- Tabuleiro monolítico de SiC CVD de elevada pureza (≥99,99%)
Em comparação com os suportes de grafite convencionais, este produto oferece uma estabilidade térmica, resistência à corrosão e vida útil significativamente melhoradas, tornando-o ideal para ambientes exigentes de fabrico de semicondutores a alta temperatura.
É amplamente utilizado na produção de LED GaN, no fabrico de semicondutores de potência e em sistemas de processamento de bolachas de precisão.
Principais caraterísticas e vantagens
1. Resistência a temperaturas ultra-elevadas
- Funcionamento estável a 1100-1200°C+
- Adequado para ambientes agressivos de MOCVD e crescimento epitaxial
- Sem deformação sob ciclos térmicos de longa duração
2. Proteção superior do revestimento CVD SiC
- Pureza até 99,999% SiC
- O revestimento denso impede a penetração de gás e a erosão do substrato
- Elimina a contaminação por partículas de grafite no processamento de bolachas
3. Excelente resistência à corrosão e aos produtos químicos
- Resistente a HF, H₂SO₄, HCl e gases de processo reactivos
- Ideal para ambientes agressivos de gravação de semicondutores
4. Alta condutividade térmica e aquecimento uniforme
- Garante uma distribuição uniforme da temperatura na superfície da bolacha
- Melhora a qualidade da película e a estabilidade do processo
5. Longa vida útil
- Vida útil até 4 vezes mais longa do que os tabuleiros tradicionais à base de grafite
- Tempo de inatividade reduzido e menor frequência de substituição
Especificações técnicas
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de material | Grafite + revestimento CVD SiC / SiC totalmente CVD |
| Pureza SiC | ≥99,9% (revestido), ≥99,99% (monolítico) |
| Gama de diâmetros | Φ380 mm - Φ600 mm |
| Temperatura de funcionamento | 1100-1200°C |
| Condutividade térmica | Elevado |
| Resistência à corrosão | Excelente (resistente a HF, H₂SO₄) |
| Vida útil | ~4× tabuleiros à base de grafite |
Áreas de aplicação
Fabrico de semicondutores
- MOCVD (Deposição de vapor químico orgânico metálico)
- Crescimento epitaxial de bolachas (GaN, SiC, etc.)
- Processos de gravação ICP
- Sistemas de manuseamento de bolachas de alta precisão
Indústria LED
- Produção de LEDs azuis e brancos de alto brilho
- Dispositivos optoelectrónicos baseados em GaN
Eletrónica avançada
- Semicondutores de potência
- Dispositivos de alta frequência
- Sistemas de deposição de película fina de precisão
Vantagens de desempenho em relação aos tabuleiros de grafite tradicionais
| Item | Tabuleiro em grafite | Tabuleiro revestido com SiC CVD |
|---|---|---|
| Resistência à temperatura | Médio | Muito elevado |
| Resistência à corrosão | Pobres | Excelente |
| Contaminação por partículas | Risco elevado | Mínimo |
| Vida útil | Curto | 3-4× mais tempo |
| Estabilidade da superfície | Degrada-se com o tempo | Altamente estável |
Embalagem e manuseamento
- Embalagem para salas limpas disponível
- Caixa de madeira resistente a choques ou selagem a vácuo
- Concebida para o transporte de semicondutores sem contaminação
- Tamanhos personalizados suportados (Φ380-Φ600 mm ou desenhos à medida)
Porquê escolher este produto
Este tabuleiro de suporte de bolachas de SiC foi concebido para o fabrico de semicondutores da próxima geração, em que a pureza, a estabilidade térmica e o controlo da contaminação são fundamentais. Ao substituir os suportes tradicionais à base de grafite, melhora significativamente o rendimento da produção, reduz os custos de manutenção e assegura um desempenho estável do processo a longo prazo.
FAQ
Q1: Qual é a principal vantagem do revestimento CVD SiC em comparação com os tabuleiros de grafite?
O revestimento CVD SiC proporciona uma camada protetora densa e ultra-pura que impede a penetração de gás e a queda de partículas de grafite, melhorando consideravelmente a durabilidade e reduzindo a contaminação da bolacha.
Q2: Este tabuleiro de SiC pode ser utilizado em processos MOCVD de alta temperatura?
Sim. Foi especificamente concebido para aplicações MOCVD e pode funcionar de forma fiável a 1100-1200°C com excelente estabilidade térmica e distribuição uniforme do calor.
Q3: Qual é a diferença entre os tabuleiros de grafite revestidos e os tabuleiros de SiC totalmente CVD?
Os tabuleiros de grafite revestidos utilizam um núcleo de grafite com uma camada protetora de SiC, enquanto os tabuleiros de SiC totalmente CVD são estruturas monolíticas com maior pureza, melhor resistência à corrosão e maior vida útil.
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