De plaat van SiC-keramiek is een hoogwaardige waferdrager die ontworpen is voor geavanceerde halfgeleiderprocessen zoals MOCVD, epitaxy en ICP-etsen. Hij is verkrijgbaar in twee structuren:
- Grafietsubstraat met CVD SiC-coating
- Monolithisch hoogzuiver CVD SiC-bakje (≥99,99%)
Vergeleken met conventionele grafietdragers biedt dit product een aanzienlijk betere thermische stabiliteit, corrosiebestendigheid en levensduur, waardoor het ideaal is voor veeleisende productieomgevingen van halfgeleiders bij hoge temperaturen.
Het wordt veel gebruikt in GaN LED-productie, productie van vermogenshalfgeleiders en systemen voor precisieverwerking van wafers.
Belangrijkste functies en voordelen
1. Ultrahoge temperatuurbestendigheid
- Stabiele werking bij 1100-1200°C+
- Geschikt voor ruwe MOCVD- en epitaxiale groei-omgevingen
- Geen vervorming bij langdurige thermische cycli
2. Superieure CVD SiC coatingbescherming
- Zuiverheid tot 99,999% SiC
- Dichte coating voorkomt gaspenetratie en substraaterosie
- Elimineert vervuiling door grafietdeeltjes bij het verwerken van wafers
3. Uitstekende corrosie en chemische weerstand
- Bestand tegen HF, H₂SO₄, HCl en reactieve procesgassen
- Ideaal voor agressieve etsomgevingen voor halfgeleiders
4. Hoge thermische geleidbaarheid & gelijkmatige verwarming
- Zorgt voor een gelijkmatige temperatuurverdeling over het waferoppervlak
- Verbetert de filmkwaliteit en processtabiliteit
5. Lange levensduur
- Tot 4× langere levensduur dan traditionele grafietschalen
- Minder stilstand en lagere vervangingsfrequentie
Technische specificaties
| Parameter | Waarde |
|---|---|
| Type materiaal | Grafiet + CVD SiC-coating / Volledig CVD SiC |
| SiC zuiverheid | ≥99,9% (gecoat), ≥99,99% (monolithisch) |
| Diameter Bereik | 380 mm - 600 mm |
| Bedrijfstemperatuur | 1100-1200°C |
| Thermische geleidbaarheid | Hoog |
| Corrosiebestendigheid | Uitstekend (bestand tegen HF, H₂SO₄) |
| Levensduur | ~4× grafietschalen |
Toepassingsgebieden
Productie van halfgeleiders
- MOCVD (Metaal Organische Chemische Damp Depositie)
- Epitaxiale wafergroei (GaN, SiC, enz.)
- ICP-etsprocessen
- Zeer nauwkeurige waferbehandelingssystemen
LED-industrie
- Blauwe en witte LED-productie met hoge helderheid
- GaN-gebaseerde opto-elektronische apparaten
Geavanceerde elektronica
- Vermogenshalfgeleiders
- Hoogfrequente apparaten
- Precisiesystemen voor dunne-filmdepositie
Prestatievoordelen ten opzichte van traditionele grafietplaten
| Item | Grafieten dienblad | CVD SiC Gecoate Bak |
|---|---|---|
| Temperatuurbestendigheid | Medium | Zeer hoog |
| Corrosiebestendigheid | Slecht | Uitstekend |
| Deeltjesverontreiniging | Hoog risico | Minimaal |
| Levensduur | Kort | 3-4× langer |
| Stabiliteit van het oppervlak | Degradeert na verloop van tijd | Zeer stabiel |
Verpakking en verwerking
- Cleanroom-verpakking beschikbaar
- Schokbestendige houten kist of vacuümverpakking
- Ontworpen voor besmettingsvrij transport van halfgeleiders
- Aangepaste maten ondersteund (Φ 380-Φ 600 mm of op maat gemaakte ontwerpen)
Waarom dit product kiezen
Deze SiC wafer carrier tray is ontworpen voor de volgende generatie halfgeleiderproductie, waar zuiverheid, thermische stabiliteit en controle op vervuiling van cruciaal belang zijn. Door de traditionele dragers op basis van grafiet te vervangen, verbetert de productieopbrengst aanzienlijk, dalen de onderhoudskosten en zijn de procesprestaties op lange termijn stabiel.
FAQ
V1: Wat is het belangrijkste voordeel van CVD SiC coating in vergelijking met grafietschalen?
CVD SiC-coating zorgt voor een dichte, ultrazuivere beschermlaag die gaspenetratie en het loskomen van grafietdeeltjes voorkomt, de duurzaamheid sterk verbetert en vervuiling van de wafer vermindert.
V2: Kan deze SiC-bak worden gebruikt in MOCVD-processen bij hoge temperaturen?
Ja. Hij is speciaal ontworpen voor MOCVD-toepassingen en kan betrouwbaar werken bij 1100-1200 °C met een uitstekende thermische stabiliteit en gelijkmatige warmteverdeling.
V3: Wat is het verschil tussen gecoate grafietschalen en volledige CVD SiC-schalen?
Gecoate grafietschalen gebruiken een grafietkern met een beschermende SiC-laag, terwijl volledige CVD SiC-schalen monolithische structuren zijn met een hogere zuiverheid, betere corrosiebestendigheid en langere levensduur.
Beoordelingen
Er zijn nog geen beoordelingen.