碳化矽 (SiC) 陶瓷末端執行器是專為半導體自動化系統所設計的高精度晶圓處理元件，包括晶圓傳輸機械手、AMHS 系統、EUV 光刻設備和高溫製程工具。.
此末端效應器由高純度 CVD SiC 或工程 SSiC 製成，具有極佳的剛性、超低的微粒生成量以及出色的熱穩定性和化學穩定性。它廣泛用於對污染控制和定位精度要求極高的 300mm 和先進節點半導體晶圓廠。.
與傳統鋁質或石英末端效應器相比，SiC 陶瓷解決方案可大幅改善製程穩定性、晶圓安全性及設備使用壽命。.
主要優勢
超低微粒污染
- 微粒產生量：<0.1/cm² (符合 SEMI F57 標準)
- 無金屬離子污染
- 適用於 EUV 與先進節點製程
高剛性與精密穩定度
- 楊氏模數： ~420 GPa
- 防止震動引起的晶圓錯位
- 確保穩定的高速機器人傳輸
優異的熱穩定性
- 操作溫度：高達 1600°C（氧化性）
- 高達 1950°C (惰性氣氛)
- 適用於極端半導體環境
優異的耐化學性與耐電漿性
- 耐酸、鹼及電漿環境
- CVD / PVD / 蝕刻室無腐蝕
- 在 SiH₄、NH₃、HCl 加工氣體中穩定
無磨損且使用壽命長
- 維氏硬度： ~2800 HV
- 長期運作無微粒脫落
- 優異的表面耐久性 (Ra < 0.2 μm)
結構與設計特色
精密晶圓處理幾何
支援：
- 150 公釐 / 200 公釐 / 300 公釐 / 450 公釐晶圓
- 邊緣抓取/凹槽對齊/平面支撐設計
- 客製化機械手臂整合
高剛性輕量結構
- 高剛性重量比
- 適用於高速機械手系統
- 將運動時的動態偏移減至最低
超潔淨表面處理
- 精密研磨與拋光
- 低表面粗糙度
- 無塵室相容結構
客製化工程介面
- 機械手臂安裝相容性
- AMHS 系統的 OEM 整合
- 客製化孔位與夾具設計
材料選項
CVD 碳化矽 (CVD SiC)
- 超高純度
- 最適合 EUV / 先進半導體製程
- 超低污染水平
燒結碳化矽 (SSiC)
- 高強度與耐磨性
- 適用於工業晶圓處理系統
- 卓越的性價比平衡
技術規格
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 材質 | CVD SiC / SSiC |
| 純淨 | >99.5% |
| 晶粒尺寸 | 4-10 μm |
| 密度 | >3.14 g/cm³ |
| 硬度 | ~2800 HV |
| 彎曲強度 | 450 MPa |
| 彈性模數 | 420 GPa |
| 熱傳導 | 160 W/m-K |
| 最高溫度 | 1600°C (氧化) / 1950°C (惰性) |
| 電阻率 | 10⁶-10⁸ Ω-cm |
| 表面處理 | 超細研磨 |
| 尺寸 | 自訂 (150-450 公釐晶圓) |
應用
半導體製造
- EUV 光刻晶圓處理
- 300mm 晶圓機械手臂傳送系統
- CVD / PVD / 蝕刻室自動化
- 離子植入晶圓傳輸
先進半導體材料
- SiC 功率元件晶圓處理
- GaN 磊晶生產系統
- 高溫 MOCVD 製程
太陽能與 LED 產業
- 太陽能晶圓自動化線
- Micro-LED / Mini-LED 傳輸系統
- 藍寶石晶圓處理
自動化與機器人 (AMHS)
- 晶圓輸送機械手臂
- 無塵室自動化系統
- 高速物料處理系統
研究與高端設備
- 量子裝置製造
- 低溫晶圓處理系統
- 先進封裝 (3D IC / MEMS)
產品優勢摘要
- 零金屬污染風險
- 超高剛性，精準操控
- 優異的熱穩定性和化學穩定性
- 使用壽命長，磨損極小
- 與無塵室自動化相容
- 可針對所有晶圓尺寸客製化
- 適用於 EUV 和先進節點
客製化選項
我們支援完整的 OEM/ODM 客製化服務：
- 末端效應器的幾何形狀 (平面/邊緣抓取/凹槽對齊)
- 晶圓尺寸相容性 (150-450 公釐)
- 機器人介面設計
- 表面塗層（抗靜電/疏水可選）
- 精密公差最佳化
- 無塵室等級表面處理
常見問題
Q1: 為什麼使用 SiC 而不是鋁或石英？
- 鋁：微粒生成 + 氧化問題
- 石英：易碎 + 抗熱震性差
- SiC：剛性、潔淨度和耐用性的最佳組合
Q2: 能否支援 450mm 晶圓？
是的，可為 450mm 晶圓處理系統提供客製化設計。.
Q3: 是否適合 EUV 光刻？
SiC 末端執行器符合超低微粒和真空相容性要求。.
Q4: 是否可在真空和高溫系統中使用？
SiC 可在真空、電漿和高溫環境中穩定發揮性能。.
商品評價
目前沒有評價。