用於半導體設備中精確晶圓處理的 SiC 陶瓷末端執行器

SiC 陶瓷末端執行器 是專為半導體自動化和精密機器人系統設計的高性能晶圓處理元件。它由超高純度的碳化矽 (SiC) 陶瓷製成,在極端製程環境中具有出色的機械強度、熱穩定性和耐化學性。.

SiC 陶瓷末端執行器 是專為半導體自動化和精密機器人系統設計的高性能晶圓處理元件。它由超高純度的碳化矽 (SiC) 陶瓷製成,在極端製程環境中具有出色的機械強度、熱穩定性和耐化學性。.

與傳統的鋁質、不銹鋼或石英末端執行器相比 SiC 陶瓷末端執行器 可顯著降低微粒的產生、提供優異的尺寸穩定性以及絕佳的抗熱變形能力。它被廣泛用於對精確度、清潔度和可靠性要求極高的晶圓傳輸系統。.

本產品適用於先進的半導體製造環境,包括真空室、電漿製程和高溫設備。.


技術規格

財產 單位 價值
晶體結構 - FCC β 相位
密度 g/cm³ 3.21
化學純度 % 99.99995
硬度 HV 2500
彎曲強度 MPa 415
楊氏模數 GPa 430
熱傳導 W/m-K 300
熱膨脹係數 10-⁶/K 4.5
最高操作溫度 °C 2700
熱容量 J-kg-¹-K-¹ 640
晶粒尺寸 μm 2-10

主要功能

超高純度材料
確保在無塵室環境中將微粒污染降至最低。.

優異的熱穩定性
在反覆的熱循環及高溫加工下仍能維持結構完整性。.

低熱膨脹
在晶圓傳輸作業中提供高尺寸精度。.

高機械強度
在連續生產系統中抗斷裂、抗磨損、抗長期疲勞。.

耐化學性
在等離子體、腐蝕性氣體和真空環境中均保持穩定。.

超平滑表面處理
減少晶圓刮傷,提高處理安全性。.

使用壽命長
專為高產量半導體製造系統而設計。.


製造過程

SiC 陶瓷末端執行器 採用先進的陶瓷工程技術製造而成。.

選用高純度碳化矽粉末,並嚴格控制以確保材料的一致性。.

使用冷等靜壓或注塑成型進行精密成型,以實現複雜的幾何形狀。.

2000°C 以上的高溫燒結可確保充分的致密化與結構穩定性。.

CNC 金剛石加工應用於達到微米級精度和晶圓級平面度。.

最後的拋光和檢驗確保符合半導體級的標準。.

每一件產品在出廠前都經過嚴格的尺寸檢驗、表面品質測試及非破壞性評估。.


應用

SiC 陶瓷末端執行器 廣泛應用於半導體和高精度自動化系統。.

適用於 6 吋、8 吋和 12 吋晶圓的晶圓傳輸系統

真空室中的機器人晶圓處理系統

CVD、ALD、蝕刻和沉積設備

FOUP 和 FOSB 自動裝卸系統

無塵室晶圓自動化生產線

雷射加工與熱退火系統


與傳統材料相比的優勢

與鋁質末端執行器相比,SiC 陶瓷具有更好的熱穩定性,並消除了金屬污染的風險。.

與石英相比,它具有更高的機械強度和更低的微粒生成。.

與不銹鋼相比,它在等離子體和高溫環境中的表現更為可靠。.


常見問題

為何要選擇 SiC 陶瓷末端執行器,而不是金屬或石英?
SiC 陶瓷具有優異的熱穩定性、耐化學性和超低微粒生成,是先進半導體製程的理想選擇。.

可以客製化嗎?
是的,我們支援完全客製化,包括幾何形狀、臂長、安裝介面和晶圓尺寸相容性。.

是否適用於真空和電漿系統?
是的,SiC 陶瓷具有化學惰性,在超高真空和電漿環境中表現可靠。.

使用壽命有多長?
在標準操作條件下,與傳統金屬或石英末端執行器相比,它的使用壽命顯著更長。.

您是否提供檢驗報告?
是的,我們會根據要求提供尺寸報告、材料證書和品質檢驗文件。.

商品評價

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