晶圓接合用 SiC 真空吸盤是高性能精密陶瓷吸附元件，專為先進的半導體封裝和晶圓接合應用而設計。.
此真空夾頭採用高純度 CVD 碳化矽 (SiC) 或先進的燒結 SiC 技術製造，可為關鍵接合製程提供卓越的熱穩定性、超高剛性及亞微米級的表面精度。.
透過精密的真空吸附結構和超平坦表面處理，夾頭可在晶圓到晶圓 (W2W)、晶片到晶圓 (C2W)、混合接合、MEMS 封裝和先進半導體組裝作業中安全地固定晶圓。.
其低熱膨脹性及優異的尺寸穩定性可確保精確的晶圓定位，同時在高溫製程中將熱變形減至最低。.
主要功能
超平晶片吸附表面
- 表面平坦度 ≤ 1 μm
- 平行度 ≤ 1 μm
- 確保高度均勻的晶圓接觸
- 提高接合對準精度
鏡面等級的平面度可將局部應力降至最低，並減少接合過程中的晶圓變形。.
超平滑鏡面拋光
表面粗糙度：
Ra ≤ 0.01 μm
效益：
- 減少微粒污染
- 改善真空密封性能
- 穩定的晶圓吸附
- 半導體無塵室相容性
卓越的熱穩定性
碳化矽呈現：
- 低熱膨脹係數 (~4.5×10-⁶/°C)
- 高導熱性
- 極佳的尺寸穩定性
這可讓夾頭在高溫接合條件下維持精確定位。.
高機械剛性
彈性模數：
>400 GPa
優勢：
- 防止受壓變形
- 支援高晶圓裝載精準度
- 改善製程一致性
高剛性對亞微米對齊製程至關重要。.
精密真空槽設計
高精度真空溝槽加工：
精確度：
±5 μm
確保：
- 均勻的吸附力分佈
- 穩定的晶圓固定
- 減少局部應力集中
技術規格
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 材質 | 高純度碳化矽 |
| SiC 純度 | ≥99.999% |
| 表面平整度 | ≤1 μm |
| 表面粗糙度 | Ra ≤0.01 μm |
| 彈性模數 | >400 GPa |
| 熱傳導 | ~120 W/m-K |
| 密度 | ≥3.1 g/cm³ |
| CTE | ~4.5×10-⁶/°C |
| 溝槽精度 | ±5 μm |
| 操作溫度 | RT-400°C |
| 表面處理 | 鏡面拋光 |
| 晶圓尺寸 | 可自訂 |
應用
先進半導體封裝
廣泛應用於：
- 晶圓到晶圓 (W2W) 鍵合
- 晶片到晶片 (C2W) 接合
- 混合接合
- 銅-銅熱壓製程
- 3D IC 封裝
- 系統級封裝 (SiP)
MEMS 元件封裝
提供穩定的晶圓支援：
- 真空接合
- 陽極鍵合
- 感測器封裝
堅硬的結構可保護敏感的 MEMS 裝置免於熱變形或機械變形。.
功率半導體元件
適用於
- SiC 模組封裝
- GaN 功率元件組件
- 燒結銀
- TLP 鍵合
優異的熱穩定性可確保製程的一致性。.
光子學與微型 LED 製造
支援：
- 微型 LED 傳輸系統
- 玻璃-矽膠接合
- 光學元件整合
- 精密基板定位
產品優勢
- 超高純度 SiC 材料
- 表面平坦度 ≤1 μm
- 鏡面研磨吸附表面
- 優異的熱穩定性
- 高硬度與剛性
- 低微粒污染
- 精密真空槽加工
- 適用於先進的包裝環境
- 提供客製化幾何形狀
客製化選項
我們根據圖紙或應用需求提供完整的 OEM/ODM 客製化服務：
- 客製化晶圓直徑
- 真空槽佈局
- 通孔結構
- 鏡面拋光選項
- 特殊吸附區
- 半導體級清洗
- 超平坦處理
- 複雜的陶瓷幾何形狀
所有產品均可在 100 級無塵室環境下包裝，適用於半導體應用。.
常見問題
Q1: 為何使用 SiC 而非鋁或石英真空吸盤？
SiC 提供：
- 較低的熱膨脹
- 更高的剛性
- 更佳的耐溫性
- 降低污染風險
- 更長的操作壽命
Q2: 支援哪些結合程序？
相容於：
- W2W 結合
- C2W 鍵合
- 混合接合
- 熱壓接合
- MEMS 鍵合
Q3: 是否可以製造客製化真空槽？
是的。溝槽樣式、孔的佈局、吸附區域和尺寸都可以自訂。.
Q4: 是否提供半導體級清洗？
是的。產品可在 100 級無塵室條件下進行清洗和包裝。.
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