Bộ phận đầu cuối bằng gốm SiC dùng để xử lý tấm wafer chính xác trong thiết bị bán dẫn

Cái Bộ phận đầu cuối bằng gốm SiC là một bộ phận xử lý tấm wafer hiệu suất cao, được thiết kế dành cho các hệ thống tự động hóa bán dẫn và hệ thống robot chính xác. Sản phẩm được chế tạo từ gốm cacbua silic (SiC) có độ tinh khiết cực cao, mang lại độ bền cơ học vượt trội, tính ổn định nhiệt và khả năng chống ăn mòn hóa học trong các môi trường xử lý khắc nghiệt.

Cái Bộ phận đầu cuối bằng gốm SiC là một bộ phận xử lý tấm wafer hiệu suất cao, được thiết kế dành cho các hệ thống tự động hóa bán dẫn và hệ thống robot chính xác. Sản phẩm được chế tạo từ gốm cacbua silic (SiC) có độ tinh khiết cực cao, mang lại độ bền cơ học vượt trội, tính ổn định nhiệt và khả năng chống ăn mòn hóa học trong các môi trường xử lý khắc nghiệt.

So với các đầu công cụ truyền thống làm từ nhôm, thép không gỉ hoặc thạch anh, Bộ phận đầu cuối bằng gốm SiC giúp giảm đáng kể lượng hạt bụi sinh ra, mang lại độ ổn định kích thước vượt trội và khả năng chống biến dạng do nhiệt tuyệt vời. Sản phẩm này được sử dụng rộng rãi trong các hệ thống chuyển wafer, nơi độ chính xác, độ sạch và độ tin cậy là những yếu tố then chốt.

Sản phẩm này phù hợp với các môi trường sản xuất bán dẫn tiên tiến, bao gồm buồng chân không, quy trình plasma và thiết bị nhiệt độ cao.


Thông số kỹ thuật

Tài sản Đơn vị Giá trị
Cấu trúc tinh thể Giai đoạn β của FCC
Mật độ g/cm³ 3.21
Độ tinh khiết hóa học % 99.99995
Độ cứng HV 2500
Độ bền uốn MPa 415
Hệ số đàn hồi của Young GPa 430
Độ dẫn nhiệt W/m·K 300
Hệ số giãn nở nhiệt 10⁻⁶/K 4.5
Nhiệt độ hoạt động tối đa °C 2700
Năng lượng nhiệt J·kg⁻¹·K⁻¹ 640
Kích thước hạt μm 2–10

Các tính năng chính

Vật liệu có độ tinh khiết cực cao
Đảm bảo mức độ ô nhiễm hạt ở mức tối thiểu trong môi trường phòng sạch.

Độ ổn định nhiệt tuyệt vời
Duy trì tính toàn vẹn cấu trúc trong điều kiện thay đổi nhiệt độ lặp đi lặp lại và quá trình xử lý ở nhiệt độ cao.

Hệ số giãn nở nhiệt thấp
Đảm bảo độ chính xác cao về kích thước trong quá trình chuyển wafer.

Độ bền cơ học cao
Chống nứt gãy, mài mòn và mỏi do sử dụng lâu dài trong các hệ thống sản xuất liên tục.

Khả năng chống hóa chất
Ổn định trong huyết tương, khí ăn mòn và môi trường chân không.

Bề mặt cực kỳ mịn màng
Giảm thiểu trầy xước trên tấm wafer và nâng cao an toàn khi thao tác.

Tuổi thọ cao
Được thiết kế dành cho các hệ thống sản xuất bán dẫn có năng suất cao.


Quy trình sản xuất

Cái Bộ phận đầu cuối bằng gốm SiC được sản xuất bằng các kỹ thuật công nghệ gốm sứ tiên tiến.

Bột cacbua silic có độ tinh khiết cao được lựa chọn và kiểm soát chặt chẽ để đảm bảo tính đồng nhất của vật liệu.

Quá trình tạo hình chính xác được thực hiện bằng phương pháp ép đẳng áp lạnh hoặc ép phun để tạo ra các hình dạng phức tạp.

Quá trình nung kết ở nhiệt độ cao trên 2000°C đảm bảo độ đặc hoàn toàn và tính ổn định cấu trúc.

Công nghệ gia công kim cương CNC được áp dụng để đạt được độ chính xác ở mức micromet và độ phẳng đạt tiêu chuẩn wafer.

Quá trình đánh bóng và kiểm tra cuối cùng đảm bảo tuân thủ các tiêu chuẩn dành cho ngành bán dẫn.

Mỗi sản phẩm đều phải trải qua quy trình kiểm tra kích thước nghiêm ngặt, kiểm tra chất lượng bề mặt và đánh giá không phá hủy trước khi giao hàng.


Ứng dụng

Cái Bộ phận đầu cuối bằng gốm SiC được sử dụng rộng rãi trong các hệ thống bán dẫn và tự động hóa có độ chính xác cao.

Hệ thống chuyển wafer dành cho wafer 6 inch, 8 inch và 12 inch

Hệ thống xử lý tấm wafer bằng robot trong buồng chân không

Thiết bị CVD, ALD, khắc và lắng đọng

Hệ thống xếp dỡ tự động FOUP và FOSB

Dây chuyền sản xuất tự động cho tấm wafer trong phòng sạch

Hệ thống gia công bằng laser và ủ nhiệt


Ưu điểm so với các vật liệu truyền thống

So với các bộ phận đầu cuối bằng nhôm, gốm SiC mang lại độ ổn định nhiệt cao hơn và loại bỏ nguy cơ nhiễm bẩn kim loại.

So với thạch anh, vật liệu này có độ bền cơ học cao hơn và tạo ra ít hạt bụi hơn.

So với thép không gỉ, vật liệu này hoạt động ổn định hơn trong môi trường plasma và nhiệt độ cao.


Câu hỏi thường gặp

Tại sao nên chọn đầu hiệu ứng bằng gốm SiC thay vì kim loại hoặc thạch anh?
Gốm SiC mang lại độ ổn định nhiệt vượt trội, khả năng chống ăn mòn hóa học cao và mức phát sinh hạt cực thấp, khiến nó trở thành vật liệu lý tưởng cho các quy trình sản xuất bán dẫn tiên tiến.

Có thể tùy chỉnh được không?
Đúng vậy, chúng tôi hỗ trợ tùy chỉnh toàn diện, bao gồm hình học, chiều dài cánh tay, giao diện lắp đặt và khả năng tương thích với kích thước wafer.

Sản phẩm này có phù hợp với các hệ thống chân không và plasma không?
Đúng vậy, gốm SiC có tính trơ về mặt hóa học và hoạt động ổn định trong môi trường chân không cực cao và môi trường plasma.

Tuổi thọ của sản phẩm là bao lâu?
Sản phẩm này có tuổi thọ cao hơn đáng kể so với các đầu hiệu ứng bằng kim loại hoặc thạch anh thông thường trong điều kiện vận hành tiêu chuẩn.

Quý công ty có cung cấp báo cáo kiểm tra không?
Vâng, chúng tôi sẽ cung cấp báo cáo kích thước, chứng chỉ vật liệu và tài liệu kiểm tra chất lượng theo yêu cầu.

Đánh giá

Chưa có đánh giá nào.

Hãy là người đầu tiên nhận xét “SiC Ceramic End Effector for Precision Wafer Handling in Semiconductor Equipment”

Email của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *