O Garrafa de cerâmica SiC é um componente de manuseamento de bolachas de elevado desempenho concebido para automação de semicondutores e sistemas robóticos de precisão. É fabricado em cerâmica de carboneto de silício (SiC) de pureza ultra elevada, oferecendo uma força mecânica, estabilidade térmica e resistência química excepcionais em ambientes de processo extremos.
Em comparação com as pontas de prova convencionais de alumínio, aço inoxidável ou quartzo, o Garrafa de cerâmica SiC proporciona uma geração de partículas significativamente menor, uma estabilidade dimensional superior e uma excelente resistência à deformação térmica. É amplamente utilizado em sistemas de transferência de bolachas onde a precisão, a limpeza e a fiabilidade são fundamentais.
Este produto é adequado para ambientes avançados de fabrico de semicondutores, incluindo câmaras de vácuo, processos de plasma e equipamento de alta temperatura.
Especificações técnicas
| Imóveis | Unidade | Valor |
|---|---|---|
| Estrutura cristalina | - | FCC β Fase |
| Densidade | g/cm³ | 3.21 |
| Pureza química | % | 99.99995 |
| Dureza | HV | 2500 |
| Resistência à flexão | MPa | 415 |
| Módulo de Young | GPa | 430 |
| Condutividade térmica | W/m-K | 300 |
| Coeficiente de expansão térmica | 10-⁶/K | 4.5 |
| Temperatura máxima de funcionamento | °C | 2700 |
| Capacidade térmica | J-kg-¹-K-¹ | 640 |
| Tamanho do grão | μm | 2-10 |
Caraterísticas principais
Material de pureza ultra elevada
Garante uma contaminação mínima de partículas em ambientes de sala limpa.
Excelente estabilidade térmica
Mantém a integridade estrutural sob ciclos térmicos repetidos e processamento a alta temperatura.
Baixa expansão térmica
Proporciona uma elevada precisão dimensional durante as operações de transferência de bolachas.
Elevada resistência mecânica
Resistente à fratura, ao desgaste e à fadiga a longo prazo em sistemas de produção contínua.
Resistência química
Estável em ambientes de plasma, gases corrosivos e vácuo.
Acabamento de superfície ultra-suave
Reduz os riscos nas bolachas e melhora a segurança do manuseamento.
Longa vida útil
Concebida para sistemas de fabrico de semicondutores de elevado rendimento.
Processo de fabrico
O Garrafa de cerâmica SiC é produzido utilizando técnicas avançadas de engenharia cerâmica.
O pó de carboneto de silício de elevada pureza é selecionado e rigorosamente controlado para garantir a consistência do material.
A moldagem de precisão é efectuada através de prensagem isostática a frio ou moldagem por injeção para obter geometrias complexas.
A sinterização a alta temperatura, acima dos 2000°C, garante uma densificação total e estabilidade estrutural.
A maquinagem de diamante CNC é aplicada para obter uma precisão ao nível dos microns e uma planicidade de nível de bolacha.
O polimento e a inspeção finais garantem a conformidade com as normas de qualidade dos semicondutores.
Cada produto é submetido a uma inspeção dimensional rigorosa, a testes de qualidade da superfície e a uma avaliação não destrutiva antes da entrega.
Aplicações
O Garrafa de cerâmica SiC é amplamente utilizado em semicondutores e sistemas de automação de alta precisão.
Sistemas de transferência de bolachas para bolachas de 6, 8 e 12 polegadas
Sistemas robóticos de manuseamento de bolachas em câmaras de vácuo
Equipamento de CVD, ALD, gravura e deposição
Sistemas automatizados de carga e descarga FOUP e FOSB
Linhas de produção para automatização de bolachas em salas limpas
Sistemas de processamento laser e recozimento térmico
Vantagens em relação aos materiais tradicionais
Em comparação com os dispositivos de alumínio, a cerâmica SiC proporciona uma melhor estabilidade térmica e elimina os riscos de contaminação por metais.
Em comparação com o quartzo, oferece uma maior resistência mecânica e uma menor produção de partículas.
Em comparação com o aço inoxidável, tem um desempenho mais fiável em ambientes de plasma e de alta temperatura.
FAQ
Porquê escolher a pinça terminal de cerâmica SiC em vez de metal ou quartzo?
A cerâmica SiC proporciona uma estabilidade térmica superior, resistência química e geração ultra-baixa de partículas, tornando-a ideal para processos avançados de semicondutores.
Pode ser personalizado?
Sim, suportamos a personalização total, incluindo a geometria, o comprimento do braço, a interface de montagem e a compatibilidade com o tamanho da bolacha.
É adequado para sistemas de vácuo e plasma?
Sim, a cerâmica SiC é quimicamente inerte e funciona de forma fiável em ambientes de vácuo ultra-alto e de plasma.
Qual é o tempo de vida útil?
Oferece uma vida útil significativamente mais longa em comparação com os dispositivos convencionais de metal ou quartzo em condições de funcionamento normais.
Fornecem relatórios de inspeção?
Sim, fornecemos relatórios dimensionais, certificados de materiais e documentação de inspeção de qualidade mediante pedido.
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