Der kundenspezifische Siliziumkarbid-(SiC)-Keramik-Bootträger ist eine präzisionsgefertigte Lösung zur Unterstützung und zum Transport von Wafern, die für Hochtemperaturumgebungen in der Halbleiterfertigung entwickelt wurde. Hergestellt aus hochreinem SiC-Keramikmaterial, bietet dieser Träger eine ausgezeichnete thermische Stabilität, hervorragende Korrosionsbeständigkeit, hohe mechanische Festigkeit und eine extrem geringe Verschmutzung.
SiC-Keramikboote wurden für kritische Wafer-Handhabungsprozesse entwickelt und finden breite Anwendung in Diffusionsöfen, Oxidationssystemen, CVD-Reaktoren, RTP-Prozessen, Epitaxieanlagen und modernen Halbleiterproduktionslinien.
Im Vergleich zu herkömmlichen Quarz- oder Graphit-Waferbooten bieten SiC-Keramikträger eine deutlich längere Lebensdauer, eine geringere Partikelbildung und eine bessere Prozessstabilität, wodurch sie sich ideal für Halbleiterfabriken, die Photovoltaik- und LED-Produktion sowie die Leistungselektronikindustrie eignen.
Die hohe Wärmeleitfähigkeit und der niedrige Wärmeausdehnungskoeffizient ermöglichen eine gleichmäßige Wärmeverteilung und minimieren die Belastung der Wafer unter extremen Verarbeitungsbedingungen.
Hauptmerkmale des SiC-Keramik-Bootträgers
Außergewöhnliche Beständigkeit gegen hohe Temperaturen
Die SiC-Keramikstruktur weist auch bei extrem hohen Temperaturen eine ausgezeichnete mechanische Stabilität auf:
- Bis zu 1600°C in oxidierender Atmosphäre
- Bis zu 1950°C in inerter Atmosphäre
Das Material widersteht Verformungen, Durchhängen und thermischer Ermüdung bei wiederholten Heizzyklen.
Ausgezeichnete chemische Beständigkeit
Hochreines Siliziumkarbid weist eine hervorragende Beständigkeit auf:
- Säuren
- Laugen
- Plasma-Umgebungen
- Korrosive Prozessgase
Kompatibel mit aggressiven Halbleiterprozessmedien, einschließlich:
- SiH₄
- NH₃
- HCl
- POCl₃
- H₂Se
Dies gewährleistet eine längere Lebensdauer in rauen Verarbeitungsumgebungen.
Ultra-niedrige Partikelerzeugung
Oberflächenpolitur und Präzisionsfertigung minimieren die Partikelverunreinigung während der Waferverarbeitung.
Geeignet für:
- Fortschrittliche Halbleiterknoten
- Epitaktische Abscheidung
- EUV-Verfahren
- Fertigung im Reinraum
Die geringe Partikelbildung trägt zur Verbesserung der Waferausbeute und zur Verringerung der Fehlerquote bei.
Hohe Wärmeleitfähigkeit
Wärmeleitfähigkeit:
160 W/m-K
Die Vorteile umfassen:
- Gleichmäßige Wafererwärmung
- Verbesserte Temperaturkonstanz
- Reduzierte thermische Gradienten
- Bessere Prozesswiederholbarkeit
Hohe mechanische Festigkeit
SiC-Keramik bietet:
- Ausgezeichnete Härte
- Hohe Druckfestigkeit
- Hervorragende Verschleißfestigkeit
- Temperaturwechselbeständigkeit
Behält seine Formstabilität auch bei langfristigem industriellen Einsatz bei.
Vollkommen individuelles Design
Maßgeschneiderte Lösungen je nach Kundenwunsch:
Durchmesser des Wafers
Anzahl der Steckplätze
Abstand der Schlitze
Abmessungen des Bootes
Oberflächenbehandlung
Optimierung der Struktur
Folgende Wafergrößen werden unterstützt:
- 150 mm (6″)
- 200 mm (8″)
- 300 mm (12″)
- Kundenspezifische Größen verfügbar
Technische Daten
| Eigentum | Einheit | Wert |
|---|---|---|
| Siliziumkarbid-Gehalt | % | >99.5 |
| Durchschnittliche Korngröße | μm | 4-10 |
| Schüttdichte | kg/dm³ | >3.14 |
| Offensichtliche Porosität | Band % | <0.5 |
| Vickers-Härte | Kg/mm² | 2800 |
| Biegefestigkeit | MPa | 450 |
| Druckfestigkeit | MPa | 3900 |
| Elastischer Modul | GPa | 420 |
| Bruchzähigkeit | MPa-m1/2 | 3.5 |
| Wärmeleitfähigkeit | W/m-K | 160 |
| Elektrischer spezifischer Widerstand | Ohm-cm | 10⁶-10⁸ |
| Wärmeausdehnungskoeffizient | 10-⁶/K | 4.3 |
| Maximale Temperatur (oxidierend) | °C | 1600 |
| Maximale Temperatur (inert) | °C | 1950 |
Anwendungen des SiC-Keramik-Bootträgers
Herstellung von Halbleitern
Weit verbreitet bei der Herstellung von Halbleiterwafern:
Diffusionsöfen
Bietet eine stabile Waferunterstützung während der Hochtemperaturverarbeitung und minimiert gleichzeitig die thermische Verformung.
Oxidation Systeme
Hervorragende Maßhaltigkeit und Kontaminationskontrolle.
Schnelle thermische Verarbeitung
Geringe thermische Ausdehnung minimiert den Waferverzug.
Ionen-Implantation
Hervorragende Beständigkeit gegen Strahlung und hochenergetische Partikel.
CVD und epitaktisches Wachstum
Geeignet für:
- SiC-Epitaxie
- GaN-Wachstum
- Abscheidung von Silizium
- Verarbeitung von Verbindungshalbleitern
Ausgezeichnete Gaskorrosionsbeständigkeit verlängert die Lebensdauer.
SiC und Herstellung von Leistungsbauelementen
Verwendet für:
- SiC-Leistungsbauelemente
- GaN-on-SiC
- MOSFET-Produktion
- Erweiterte Leistungsmodule
Der Wärmeausdehnungskoeffizient entspricht weitgehend dem von SiC-Wafern, was die thermische Belastung während des Hochtemperaturwachstums reduziert.
Fotovoltaik-Industrie
Geeignet für:
PERC-Solarzellen
Widerstandsfähig gegen Phosphordiffusion.
TOPCon-Produktion
Stabile Leistung bei wiederholten thermischen Zyklen.
Dünnschicht-Solarproduktion
Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit in komplexen Prozessatmosphären.
Im Vergleich zu Quarz-Wafer-Booten bieten SiC-Boote:
- Längere Nutzungsdauer
- Niedrigere Wartungskosten
- Bessere Prozessstabilität
LED und Optoelektronik
Verwendet in:
- Mini-LED
- Mikro-LED
- Herstellung von Verbindungshalbleitern
Das Präzisionsschlitzdesign verringert die Beschädigung der Waferkanten und verbessert die Handhabungssicherheit.
SiC-Keramikboot vs. Quarzboot
| Vergleich Artikel | SiC-Keramik-Boot | Quarzboot |
|---|---|---|
| Maximale Temperatur | 1950°C | Ungefähr 1250°C |
| Nutzungsdauer | 5-10 Jahre | 1-2 Jahre |
| Wärmeleitfähigkeit | Ausgezeichnet | Niedrig |
| Erzeugung von Teilchen | Sehr niedrig | Mäßig |
| Chemische Beständigkeit | Ausgezeichnet | Mittel |
| Mechanische Festigkeit | Hoch | Niedrig |
SiC-Keramikschiffchen bieten eine überlegene Haltbarkeit und niedrigere Betriebskosten für die langfristige Halbleiterproduktion.
Warum sollten Sie sich für unseren SiC-Keramik-Bootträger entscheiden?
- Hochreines SiC-Material >99,5%
- Fähigkeit zur Präzisionsbearbeitung
- Kontaminationsarmer Herstellungsprozess
- Unterstützung für individuelle Gestaltung
- Strenge Qualitätskontrolle
- Stabile langfristige Produktionskapazität
- Schnelle Reaktion bei kundenspezifischen Projekten
Unser Ingenieurteam arbeitet eng mit den Kunden zusammen, um maßgeschneiderte Lösungen für die Handhabung von Wafern für anspruchsvolle industrielle Anwendungen zu entwickeln.
FAQ
Q1: Welche Wafergrößen können unterstützt werden?
Zu den Standard-Wafergrößen gehören:
- 150mm (6″)
- 200mm (8″)
- 300mm (12″)
Kundenspezifische Abmessungen sind je nach Kundenwunsch möglich.
F2: Können die Anzahl und die Abstände der Schlitze individuell angepasst werden?
Ja. Wir können sie anpassen:
- Steckplatznummer
- Schlitzabstand
- Gestaltung der Struktur
- Oberflächenbehandlung
- Gesamtabmessungen
F3: Wie lange ist die Vorlaufzeit?
Standardprodukte:
4-6 Wochen
Maßgeschneiderte Designs:
8-12 Wochen
Die Vorlaufzeit kann je nach Komplexität variieren.
F4: Warum SiC anstelle von Quarz- oder Graphitbooten wählen?
Im Vergleich zu herkömmlichen Materialien bietet SiC-Keramik:
- Höhere Betriebstemperatur
- Bessere Kontrolle der Kontamination
- Längere Nutzungsdauer
- Verbesserte Korrosionsbeständigkeit
- Hervorragende mechanische Festigkeit
F5: Können Sie nach Zeichnungen fertigen?
Ja. Wir unterstützen die kundenspezifische Fertigung auf der Grundlage von Kundenzeichnungen, Mustern oder detaillierten Spezifikationen.
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