Cristal único de nitreto de boro hexagonal (hBN) de qualidade para dispositivos, destinado à eletrónica 2D avançada e aos materiais quânticos

O monocristal de nitreto de boro hexagonal (hBN) de qualidade para dispositivos é um material cristalino em camadas de qualidade ultra-elevada, concebido para as tecnologias eletrónicas, fotónicas e quânticas de próxima geração. Produzidos através de um processo proprietário de crescimento de cristais à pressão atmosférica, estes cristais únicos à escala milimétrica apresentam uma integridade estrutural excecional, baixa densidade de defeitos e propriedades dielétricas e óticas notáveis.

O monocristal de nitreto de boro hexagonal (hBN) de qualidade para dispositivos é um material cristalino em camadas de qualidade ultra-elevada, concebido para as tecnologias eletrónicas, fotónicas e quânticas de próxima geração. Produzidos através de um processo proprietário de crescimento de cristais à pressão atmosférica, estes cristais únicos à escala milimétrica apresentam uma integridade estrutural excecional, baixa densidade de defeitos e propriedades dielétricas e óticas notáveis.

Sendo um dos materiais de van der Waals mais importantes, o hBN funciona como um substrato e uma camada de encapsulamento ideais para o grafeno e outros materiais bidimensionais. A sua superfície atomicamente plana, a sua inércia química e a sua ampla banda proibida tornam-no indispensável na fabricação de dispositivos eletrónicos de alto desempenho e de plataformas de investigação avançadas.

Estudos independentes demonstraram que os dispositivos de grafeno fabricados nestes cristais atingem mobilidades de portadores comparáveis ou superiores às obtidas com materiais de hBN de referência internacionalmente reconhecidos.

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Caraterísticas do produto

Qualidade cristalina ultra-elevada

O material apresenta larguras de linha Raman estreitas e grandes regiões de domínio único, o que indica uma excelente perfeição cristalina e um número mínimo de defeitos estruturais.

Substrato ideal para materiais 2D

O hBN proporciona uma interface atomicamente lisa e isenta de contaminação, reduzindo a dispersão de carga e melhorando o transporte eletrónico no grafeno e noutros materiais em camadas.

Excelente isolamento elétrico

Com um campo de ruptura dielétrica que se aproxima dos 1,64 V/nm, o hBN é amplamente utilizado como camada isolante de alto desempenho em dispositivos nanoeletrónicos.

Propriedades óticas do ultravioleta profundo

O cristal apresenta uma emissão intrínseca na extremidade da banda, perto dos 215 nm, o que o torna interessante para a fotónica no UV profundo e para a investigação optoeletrónica.

Domínios monocristalinos de grande área

Os cristais típicos apresentam dimensões laterais superiores a 1 mm e mantêm grandes áreas utilizáveis, adequadas para a exfoliação e a fabricação de dispositivos.

Cristal único de nitreto de boro hexagonal (hBN) de qualidade para dispositivos, destinado à eletrónica 2D avançada e aos materiais quânticos


Especificações técnicas

Item Especificação
Material Nitreto de boro hexagonal (hBN)
Estrutura cristalina Monocristal
Nota Nível do dispositivo
Método de crescimento Técnica proprietária de crescimento à pressão atmosférica
Forma cristalina Cristal a granel
Dimensão lateral típica ≥ 1 mm
Condição da superfície Aspetos do crescimento natural
Embalagem Porta-chips
Quantidade 5–10 cristais por embalagem

Propriedades eléctricas

Parâmetro Valor típico
Resistência à ruptura dielétrica 1,64 ± 0,06 V/nm

Propriedades óticas

Parâmetro Valor típico
Emissão no limite da banda UV ~215 nm
Desempenho de luminescência Tecnologia de ponta
Transparência ótica Elevado

Características do Raman

Parâmetro Valor típico
Largura no meio da altura (FWHM) do Raman de E₂g 7,88 cm⁻¹

Desempenho do dispositivo de referência

Parâmetro Valor típico
Mobilidade do grafeno (300 K) ~80 000 cm²/V·s
Densidade de portadores 1 × 10¹² cm⁻²

Cristal único de nitreto de boro hexagonal (hBN) de qualidade para dispositivos, destinado à eletrónica 2D avançada e aos materiais quânticos


Aplicações

Fabrico de dispositivos de grafeno

O hBN é o substrato e o material de encapsulamento preferidos para transístores de grafeno de alta mobilidade, dispositivos de Hall, sensores e estruturas de transporte quântico.

Heterostruturas de Van der Waals

O cristal é amplamente utilizado na montagem de heteroestruturas em camadas que envolvem grafeno, MoS₂, WS₂, WSe₂ e outros materiais bidimensionais.

Eletrónica Quântica

Os investigadores utilizam hBN de qualidade para dispositivos em estudos sobre sistemas de eletrões correlacionados, supercondutividade, materiais moiré e tecnologias de informação quântica.

Nanofotónica

A sua capacidade de suportar polaritões de fonões torna o hBN um material atraente para o confinamento ótico à escala nanométrica e para o desenvolvimento de dispositivos fotónicos.

Optoeletrónica de UV profundo

As características intrínsecas de emissão de luz ultravioleta do hBN permitem a sua utilização em fontes de luz UV, detetores e sistemas óticos avançados.


Vantagens em relação aos materiais hBN convencionais

Em comparação com o nitreto de boro policristalino e com cristais de qualidade inferior, o hBN de qualidade para dispositivos oferece:

  • Domínios monocristalinos de maiores dimensões
  • Menor concentração de impurezas
  • Densidade de defeitos reduzida
  • Maior rigidez dielétrica
  • Melhoria da mobilidade dos portadores no grafeno
  • Desempenho ótico superior
  • Maior reprodutibilidade para aplicações de investigação

Estas vantagens tornam o hBN de qualidade para dispositivos um material essencial para a investigação de ponta no domínio dos semicondutores e da tecnologia quântica.


Personalizações disponíveis

Estão disponíveis soluções personalizadas com base nos requisitos do cliente, incluindo:

  • Seleção do tamanho dos cristais
  • Triagem de cristais para fins de investigação
  • Fornecimento de cristais de grande domínio
  • Opções de embalagem especializadas
  • Apoio à caracterização de materiais

FAQ

O que distingue o hBN de qualidade para dispositivos do nitreto de boro padrão?

O hBN de qualidade para dispositivos é um monocristal de alta qualidade especificamente otimizado para o fabrico de dispositivos eletrónicos e fotónicos, oferecendo uma densidade de defeitos significativamente mais baixa e um desempenho elétrico superior.

Por que é que o hBN é frequentemente utilizado com o grafeno?

A sua superfície atomicamente plana e eletricamente isolante minimiza a dispersão de carga e permite que o grafeno atinja uma mobilidade de portadores excepcionalmente elevada.

O hBN pode ser utilizado na investigação de dispositivos quânticos?

Sim. O hBN é um dos materiais mais utilizados em estudos sobre transporte quântico, heteroestruturas de van der Waals e tecnologias quânticas emergentes.

Este material é adequado para esfoliação?

Sim. A estrutura cristalina em camadas permite a esfoliação mecânica de flocos de alta qualidade para a fabricação de dispositivos e para a investigação científica.

Que setores utilizam o hBN de qualidade para dispositivos?

Este material é utilizado principalmente na investigação sobre semicondutores, computação quântica, nanofotónica, ciência dos materiais avançada e em laboratórios de investigação universitários em todo o mundo.

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