Однокристалл гексагонального нитрида бора (hBN) «Device-Grade» представляет собой слоистый кристаллический материал сверхвысокого качества, разработанный для электронных, фотонных и квантовых технологий следующего поколения. Эти монокристаллы миллиметрового размера, полученные с помощью запатентованного процесса выращивания кристаллов при атмосферном давлении, обладают исключительной структурной целостностью, низкой плотностью дефектов и превосходными диэлектрическими и оптическими свойствами.
Являясь одним из важнейших материалов с силами Ван-дер-Ваальса, hBN служит идеальной подложкой и герметизирующим слоем для графена и других двумерных материалов. Его атомно-гладкая поверхность, химическая инертность и широкая запрещенная зона делают его незаменимым при изготовлении высокопроизводительных электронных устройств и создании передовых исследовательских платформ.
Независимые исследования показали, что графеновые устройства, изготовленные на основе этих кристаллов, демонстрируют подвижность носителей, сопоставимую с показателями, полученными с использованием общепризнанных в мире эталонных материалов на основе hBN, или превосходящую их.
Характеристики товара
Кристаллы сверхвысокого качества
Материал характеризуется узкими ширинами линий Рамана и обширными однодоменными областями, что свидетельствует о превосходном кристаллическом совершенстве и минимальном количестве структурных дефектов.
Идеальный субстрат для двумерных материалов
hBN обеспечивает атомно-гладкую и свободную от примесей границу раздела, что снижает рассеяние заряда и улучшает электронный транспорт в графене и других слоистых материалах.
Отличная электроизоляция
Благодаря полю диэлектрического пробоя, приближающемуся к 1,64 В/нм, hBN широко используется в качестве высокоэффективного изолирующего слоя в наноэлектронных устройствах.
Оптические свойства в области глубокого ультрафиолета
Кристалл демонстрирует собственное излучение на краю зонной границы вблизи 215 нм, что делает его привлекательным для исследований в области фотоники глубокого ультрафиолета и оптоэлектроники.
Однокристаллические домены большой площади
Типичные кристаллы имеют поперечные размеры, превышающие 1 мм, и обладают обширными пригодными для использования участками, подходящими для расслоения и изготовления устройств.
Технические характеристики
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Материал | Гексагональный нитрид бора (hBN) |
| Кристаллическая структура | Монокристалл |
| Класс | Класс устройства |
| Метод выращивания | Запатентованный метод осаждения при атмосферном давлении |
| Кристаллическая форма | Кристалл в розницу |
| Типичный размер поперечника | ≥ 1 мм |
| Состояние поверхности | Аспекты естественного роста |
| Упаковка | Корпус микросхемы |
| Количество | 5–10 кристаллов в упаковке |
Электрические свойства
| Параметр | Типичное значение |
| Прочность на диэлектрический пробой | 1,64 ± 0,06 В/нм |
Оптические свойства
| Параметр | Типичное значение |
| Излучение на границе УФ-диапазона | ~215 нм |
| Характеристики люминесценции | Последние достижения |
| Оптическая прозрачность | Высокий |
Характеристики Рамана
| Параметр | Типичное значение |
| E₂g: ширина на пол-высоте спектра Рамана | 7,88 см⁻¹ |
Характеристики эталонного устройства
| Параметр | Типичное значение |
| Мобильность графена (300 К) | ~80 000 см²/В·с |
| Плотность носителей | 1 × 10¹² см⁻² |
Приложения
Изготовление графеновых устройств
hBN является предпочтительным субстратом и материалом для герметизации графеновых транзисторов с высокой подвижностью, устройств Холла, датчиков и квантовых транспортных структур.
Гетероструктуры Ван-дер-Ваальса
Этот кристалл широко используется при создании слоистых гетероструктур, включающих графен, MoS₂, WS₂, WSe₂ и другие двумерные материалы.
Квантовая электроника
Исследователи используют hBN промышленного качества в исследованиях систем с коррелированными электронами, сверхпроводимости, материалов с эффектом муара и квантовых информационных технологий.
Нанофотоника
Способность hBN поддерживать фонон-поляритоны делает этот материал привлекательным для наномасштабного оптического локализования и разработки фотонных устройств.
Оптоэлектроника в области глубокого ультрафиолета
Благодаря своим внутренним характеристикам ультрафиолетового излучения hBN может использоваться в источниках УФ-излучения, детекторах и современных оптических системах.
Преимущества по сравнению с традиционными материалами на основе hBN
По сравнению с поликристаллическим нитридом бора и кристаллами более низкого качества hBN, предназначенный для изготовления устройств, обладает следующими преимуществами:
- Более крупные монокристаллические домены
- Более низкая концентрация примесей
- Снижение плотности дефектов
- Более высокая диэлектрическая прочность
- Повышение подвижности носителей в графене
- Превосходные оптические характеристики
- Повышенная воспроизводимость результатов при проведении научных исследований
Эти преимущества делают hBN, пригодный для использования в электронных устройствах, ключевым материалом для передовых исследований в области полупроводниковых и квантовых технологий.
Возможные настройки
Возможна разработка индивидуальных решений с учетом требований заказчика, в том числе:
- Отбор кристаллов по размеру
- Отбор кристаллов для научных исследований
- Поставка кристаллов с большой площадью
- Специализированные варианты упаковки
- Поддержка в области определения характеристик материалов
ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ
Чем hBN, предназначенный для использования в электронных устройствах, отличается от стандартного нитрида бора?
hBN «уровня устройств» — это высококачественный монокристалл, специально оптимизированный для изготовления электронных и фотонных устройств, который отличается значительно более низкой плотностью дефектов и превосходными электрическими характеристиками.
Почему hBN так часто используется в сочетании с графеном?
Его атомно-гладкая и электроизолирующая поверхность сводит к минимуму рассеяние зарядов и позволяет графена достигать исключительно высокой подвижности носителей заряда.
Можно ли использовать hBN в исследованиях квантовых устройств?
Да. hBN является одним из наиболее широко используемых материалов для исследований квантового транспорта, гетероструктур Ван-дер-Ваальса и перспективных квантовых технологий.
Подходит ли этот материал для пилинга?
Да. Многослойная кристаллическая структура позволяет осуществлять механическое отслаивание высококачественных чешуек для изготовления устройств и проведения научных исследований.
В каких отраслях промышленности используется hBN, предназначенный для использования в устройствах?
Данный материал в основном используется в исследованиях в области полупроводников, квантовых вычислений, нанофотоники, современной материаловедения, а также в научно-исследовательских лабораториях университетов по всему миру.
Отзывы
Отзывов пока нет.