Monocristallo di nitruro di boro esagonale (hBN) di grado tecnologico per l'elettronica 2D avanzata e i materiali quantistici

Il monocristallo di nitruro di boro esagonale (hBN) di grado elettronico è un materiale cristallino a strati di altissima qualità, progettato per le tecnologie elettroniche, fotoniche e quantistiche di prossima generazione. Prodotti tramite un processo proprietario di crescita cristallina a pressione atmosferica, questi monocristalli su scala millimetrica presentano un’eccezionale integrità strutturale, una bassa densità di difetti e straordinarie proprietà dielettriche e ottiche.

Il monocristallo di nitruro di boro esagonale (hBN) di grado elettronico è un materiale cristallino a strati di altissima qualità, progettato per le tecnologie elettroniche, fotoniche e quantistiche di prossima generazione. Prodotti tramite un processo proprietario di crescita cristallina a pressione atmosferica, questi monocristalli su scala millimetrica presentano un’eccezionale integrità strutturale, una bassa densità di difetti e straordinarie proprietà dielettriche e ottiche.

Essendo uno dei materiali di van der Waals più importanti, l’hBN funge da substrato e strato di incapsulamento ideale per il grafene e altri materiali bidimensionali. La sua superficie atomicamente piatta, l’inerzia chimica e l’ampio bandgap lo rendono indispensabile nella realizzazione di dispositivi elettronici ad alte prestazioni e piattaforme di ricerca avanzate.

Studi indipendenti hanno dimostrato che i dispositivi in grafene realizzati su questi cristalli raggiungono mobilità dei portatori paragonabili o superiori a quelle ottenute utilizzando materiali hBN di riferimento riconosciuti a livello internazionale.

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Caratteristiche del prodotto

Qualità cristallina estremamente elevata

Il materiale presenta larghezze di linea Raman ridotte e ampie regioni a dominio singolo, il che indica un’eccellente perfezione cristallina e difetti strutturali minimi.

Substrato ideale per materiali 2D

L'hBN offre un'interfaccia atomicamente liscia e priva di contaminazioni, riducendo la dispersione di carica e migliorando il trasporto elettronico nel grafene e in altri materiali a strati.

Eccellente isolamento elettrico

Con un campo di rottura dielettrica che si avvicina a 1,64 V/nm, l’hBN è ampiamente utilizzato come strato isolante ad alte prestazioni nei dispositivi nanoelettronici.

Proprietà ottiche dell'ultravioletto profondo

Il cristallo presenta un'emissione intrinseca al bordo della banda intorno ai 215 nm, il che lo rende particolarmente interessante per la ricerca nel campo della fotonica nell'ultravioletto profondo e dell'optoelettronica.

Domini monocristallini su vasta area

I cristalli tipici presentano dimensioni laterali superiori a 1 mm e conservano ampie aree utilizzabili, adatte all'esfoliazione e alla realizzazione di dispositivi.

Monocristallo di nitruro di boro esagonale (hBN) di grado tecnologico per l'elettronica 2D avanzata e i materiali quantistici


Specifiche tecniche

Articolo Specifiche
Materiale Nitruro di boro esagonale (hBN)
Struttura cristallina Monocristallo
Voto Grado del dispositivo
Metodo di crescita Crescita a pressione atmosferica proprietaria
Forma cristallina Cristalli sfusi
Dimensioni laterali tipiche ≥ 1 mm
Condizioni della superficie Aspetti della crescita naturale
Imballaggio Supporto per chip
Quantità 5–10 cristalli per confezione

Proprietà elettriche

Parametro Valore tipico
Resistenza alla rottura dielettrica 1,64 ± 0,06 V/nm

Proprietà ottiche

Parametro Valore tipico
Emissione ai bordi delle bande UV ~215 nm
Prestazioni di luminescenza All'avanguardia
Trasparenza ottica Alto

Caratteristiche del Raman

Parametro Valore tipico
Larghezza a metà altezza (FWHM) del Raman E₂g 7,88 cm⁻¹

Prestazioni del dispositivo di riferimento

Parametro Valore tipico
Mobilità del grafene (300 K) ~80.000 cm²/V·s
Densità dei vettori 1 × 10¹² cm⁻²

Monocristallo di nitruro di boro esagonale (hBN) di grado tecnologico per l'elettronica 2D avanzata e i materiali quantistici


Applicazioni

Produzione di dispositivi a base di grafene

L'hBN è il substrato e il materiale di incapsulamento preferito per transistor al grafene ad alta mobilità, dispositivi di Hall, sensori e strutture di trasporto quantistico.

Eterostrutture di Van der Waals

Il cristallo trova ampio impiego nell'assemblaggio di eterostrutture a strati che coinvolgono grafene, MoS₂, WS₂, WSe₂ e altri materiali bidimensionali.

Elettronica quantistica

I ricercatori utilizzano l'hBN di grado industriale negli studi sui sistemi a elettroni correlati, sulla superconduttività, sui materiali moiré e sulle tecnologie dell'informazione quantistica.

Nanofotonica

La sua capacità di supportare i polaritoni fononici rende l’hBN un materiale interessante per il confinamento ottico su scala nanometrica e lo sviluppo di dispositivi fotonici.

Optoelettronica nell'ultravioletto profondo

Le caratteristiche intrinseche di emissione ultravioletta dell’hBN ne consentono l’impiego in sorgenti di luce UV, rilevatori e sistemi ottici avanzati.


Vantaggi rispetto ai materiali hBN convenzionali

Rispetto al nitruro di boro policristallino e ai cristalli di qualità inferiore, l’hBN di grado tecnologico offre:

  • Domini monocristallini più estesi
  • Concentrazione di impurità inferiore
  • Densità dei difetti ridotta
  • Maggiore rigidità dielettrica
  • Miglioramento della mobilità dei portatori nel grafene
  • Prestazioni ottiche superiori
  • Maggiore riproducibilità per le applicazioni di ricerca

Questi vantaggi rendono l’hBN di grado tecnologico un materiale fondamentale per la ricerca all’avanguardia nel campo dei semiconduttori e della tecnologia quantistica.


Personalizzazioni disponibili

Sono disponibili soluzioni personalizzate in base alle esigenze dei clienti, tra cui:

  • Selezione della dimensione dei cristalli
  • Screening di cristalli per scopi di ricerca
  • Fornitura di cristalli a dominio esteso
  • Opzioni di imballaggio specializzate
  • Supporto alla caratterizzazione dei materiali

FAQ

Cosa distingue l’hBN per uso elettronico dal nitruro di boro standard?

L’hBN di grado dispositivo è un monocristallo di alta qualità specificamente ottimizzato per la produzione di dispositivi elettronici e fotonici, che offre una densità di difetti notevolmente inferiore e prestazioni elettriche superiori.

Perché l'hBN viene comunemente utilizzato con il grafene?

La sua superficie atomicamente piatta ed elettricamente isolante riduce al minimo la dispersione di carica e consente al grafene di raggiungere una mobilità dei portatori eccezionalmente elevata.

È possibile utilizzare l'hBN nella ricerca sui dispositivi quantistici?

Sì. L’hBN è uno dei materiali più utilizzati negli studi sul trasporto quantistico, nelle eterostrutture di van der Waals e nelle tecnologie quantistiche emergenti.

Questo prodotto è adatto all'esfoliazione?

Sì. La struttura cristallina a strati consente l’esfoliazione meccanica di scaglie di alta qualità destinate alla produzione di dispositivi e alla ricerca scientifica.

In quali settori viene utilizzato l’hBN di grado industriale?

Questo materiale trova impiego principalmente nella ricerca sui semiconduttori, nell'informatica quantistica, nella nanofotonica, nella scienza dei materiali avanzati e nei laboratori di ricerca universitari di tutto il mondo.

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