裝置級六方氮化硼（hBN）單晶是一種專為次世代電子、光子及量子技術所研發的超高品質層狀晶體材料。 這些毫米級單晶是透過專有的常壓晶體生長製程所製成，具備卓越的結構完整性、低缺陷密度，以及出色的介電與光學特性。.
作為最重要的范德華材料之一，hBN 是石墨烯及其他二維材料的理想基板與封裝層。其原子級平坦的表面、化學惰性及寬禁帶，使其在高性能電子裝置的製造及先進研究平台的開發中不可或缺。.
獨立研究已證實，在這些晶體上製備的石墨烯元件，其載流子遷移率可與國際公認的基準 hBN 材料所獲得的數值相媲美，甚至更勝一籌。.
產品特色
超高的晶體品質
該材料呈現狹窄的拉曼線寬及寬廣的單域區域，顯示其晶體完美度極高，且結構缺陷極少。.
2D 材料的理想基板
hBN 提供了一個原子級平滑且無污染的界面，可減少電荷散射，並改善石墨烯及其他層狀材料中的電子傳輸。.
絕佳的電氣絕緣性
由於其介電擊穿電場接近 1.64 V/nm，hBN 被廣泛應用於奈米電子裝置中，作為高性能絕緣層。.
深紫外光的光學特性
該晶體在 215 奈米附近展現出本徵能帶邊發光，使其成為深紫外光子學與光電子學研究的理想材料。.
大面積單晶穀域
典型的晶體其橫向尺寸超過 1 毫米，並具備大面積的可用區域，適合進行片狀剝離及元件製造。.
技術規格
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 材質 | 六方氮化硼（hBN） |
| 晶體結構 | 單晶 |
| 年級 | 裝置等級 |
| 生長方法 | 專利的大氣壓生長技術 |
| 結晶形態 | 大塊晶體 |
| 典型橫向尺寸 | ≥ 1 毫米 |
| 表面狀況 | 自然生長的刻面 |
| 包裝 | 晶片載體 |
| 數量 | 每包 5 至 10 顆水晶 |
電氣特性
| 參數 | 典型值 |
| 介電擊穿強度 | 1.64 ± 0.06 V/nm |
光學特性
| 參數 | 典型值 |
| 紫外線帶緣發射 | 約 215 奈米 |
| 發光性能 | 最先進的 |
| 光學透明度 | 高 |
拉曼特性
| 參數 | 典型值 |
| E₂g 拉曼半高寬度 | 7.88 cm⁻¹ |
參考裝置的性能
| 參數 | 典型值 |
| 石墨烯遷移率（300 K） | 約 80,000 平方公分/伏特·秒 |
| 載體密度 | 1 × 10¹² 公分⁻² |
應用
石墨烯元件製程
hBN 是高遷移率石墨烯電晶體、霍爾元件、感測器及量子輸運結構的首選基板與封裝材料。.
范德瓦爾斯異質結構
該晶體廣泛應用於涉及石墨烯、MoS₂、WS₂、WSe₂ 及其他二維材料的分層異質結構組裝中。.
量子電子學
研究人員利用裝置級 hBN 進行相關電子系統、超導性、莫爾效應材料以及量子資訊技術等領域的研究。.
奈米光子學
由於能夠支援聲子極化子，hBN 成為一種適用於奈米尺度光學禁錮及光子裝置開發的極具吸引力的材料。.
深紫外光電技術
hBN 的固有紫外線發射特性，使其得以應用於紫外線光源、偵測器及先進光學系統中。.
相較於傳統 hBN 材料的優勢
與多晶氮化硼及低等級晶體相比，裝置級 hBN 具備以下優勢：
- 較大的單晶區域
- 較低的雜質濃度
- 缺陷密度降低
- 更高的介電強度
- 石墨烯載流子遷移率的提升
- 卓越的光學性能
- 在研究應用中具備更佳的可重複性
這些優勢使裝置級 hBN 成為尖端半導體與量子技術研究中不可或缺的關鍵材料。.
可選的客製化選項
我們可根據客戶需求提供客製化解決方案，包括：
- 晶體尺寸選擇
- 研究級晶體篩選
- 大域晶體供應
- 特殊包裝選項
- 材料特性分析支援
常見問題
裝置級 hBN 與標準氮化硼有何不同？
裝置級 hBN 是一種專為電子與光子裝置製造而特別優化的高品質單晶，其缺陷密度顯著較低，且具備卓越的電學性能。.
為什麼 hBN 常與石墨烯搭配使用？
其原子級平坦且具電絕緣性的表面，能將電荷散射降至最低，並使石墨烯達到極高的載流子遷移率。.
hBN 能否應用於量子裝置的研究？
是的。hBN 是量子傳輸研究、范德華異質結構以及新興量子技術中應用最廣泛的材料之一。.
這種材質適合用於去角質嗎？
是的。這種層狀晶體結構使得能夠透過機械剝離的方式，獲得用於裝置製造及科學研究的高品質晶片。.
哪些產業會使用裝置級 hBN？
該材料主要應用於全球各地的半導體研究、量子計算、奈米光子學、先進材料科學以及大學研究實驗室。.
商品評價
目前沒有評價。