Enkristall av hexagonalt bornitrid (hBN) av enhetsklass är ett skiktat kristallmaterial av extremt hög kvalitet, utvecklat för nästa generations elektronik-, fotonik- och kvantteknik. Dessa millimeterstora enkristaller, som framställs genom en egenutvecklad kristallodlingsprocess vid atmosfärstryck, uppvisar exceptionell strukturell integritet, låg defektdensitet samt enastående dielektriska och optiska egenskaper.
Som ett av de viktigaste van der Waals-materialen fungerar hBN som ett idealiskt substrat och inkapslingsskikt för grafen och andra tvådimensionella material. Dess atomärt plana yta, kemiska inaktivitet och breda bandgap gör det oumbärligt vid tillverkningen av högpresterande elektroniska komponenter och avancerade forskningsplattformar.
Oberoende studier har visat att grafenkomponenter som tillverkats på dessa kristaller uppnår laddningsbärarmobiliteter som är jämförbara med eller överstiger de som uppnås med internationellt erkända hBN-referensmaterial.
Produktfunktioner
Kristallkvalitet av allra högsta klass
Materialet uppvisar smala Raman-linjebredder och stora områden med en enda domän, vilket tyder på utmärkt kristallperfektion och minimala strukturella defekter.
Ett idealiskt substrat för 2D-material
hBN ger en atomärt slät och föroreningsfri gränsyta, vilket minskar laddningsspridningen och förbättrar den elektroniska transporten i grafen och andra skiktade material.
Utmärkt elektrisk isolering
Med ett dielektriskt genombrottsfält som närmar sig 1,64 V/nm används hBN i stor utsträckning som ett högpresterande isoleringsskikt i nanoelektroniska komponenter.
Optiska egenskaper i det djupa ultravioletta spektrumet
Kristallen uppvisar en egenbandskantemission nära 215 nm, vilket gör den intressant för forskning inom djup-UV-fotonik och optoelektronik.
Enkristalldomäner med stor yta
Typiska kristaller har sidomått som överstiger 1 mm och har stora användbara ytor som lämpar sig för exfoliering och tillverkning av komponenter.
Tekniska specifikationer
| Föremål | Specifikation |
|---|---|
| Material | Hexagonalt bornitrid (hBN) |
| Kristallstruktur | Enkristall |
| Betyg | Enhetsklass |
| Tillväxtmetod | Egenutvecklad odlingsmetod vid atmosfärstryck |
| Kristallform | Kristall i lösvikt |
| Typisk sidostorlek | ≥ 1 mm |
| Ytans skick | Aspekter av naturlig tillväxt |
| Förpackning | Chiphållare |
| Antal | 5–10 kristaller per förpackning |
Elektriska egenskaper
| Parameter | Typiskt värde |
| Dielektrisk genombrottshållfasthet | 1,64 ± 0,06 V/nm |
Optiska egenskaper
| Parameter | Typiskt värde |
| Emission vid UV-bandgränsen | ~215 nm |
| Luminescensprestanda | Det allra senaste |
| Optisk transparens | Hög |
Raman-egenskaper
| Parameter | Typiskt värde |
| E₂g Raman FWHM | 7,88 cm⁻¹ |
Referensenhetens prestanda
| Parameter | Typiskt värde |
| Grafenets rörlighet (300 K) | ~80 000 cm²/V·s |
| Bärartäthet | 1 × 10¹² cm⁻² |
Tillämpningar
Tillverkning av grafenkomponenter
hBN är det föredragna substratet och inkapslingsmaterialet för grafentransistorer med hög rörlighet, Hall-komponenter, sensorer och kvanttransportstrukturer.
Van der Waals-heterostrukturer
Kristallen används i stor utsträckning vid tillverkning av skiktade heterostrukturer som innehåller grafen, MoS₂, WS₂, WSe₂ och andra tvådimensionella material.
Kvantelektronik
Forskare använder hBN av komponentkvalitet i studier av korrelerade elektronsystem, supraledning, moiré-material och kvantinformationsteknik.
Nanofotonik
Tack vare sin förmåga att stödja fononpolaritoner är hBN ett attraktivt material för optisk inneslutning i nanoskala och utveckling av fotoniska komponenter.
Optoelektronik inom området djup-UV
De inneboende egenskaperna hos hBN när det gäller ultraviolett strålning möjliggör användning inom UV-ljuskällor, detektorer och avancerade optiska system.
Fördelar jämfört med konventionella hBN-material
Jämfört med polykristallint bornitrid och kristaller av lägre kvalitet erbjuder hBN av komponentkvalitet följande:
- Större enkristalldomäner
- Lägre föroreningskoncentration
- Minskad defektdensitet
- Högre dielektrisk hållfasthet
- Förbättrad bärarrörlighet i grafen
- Överlägsen optisk prestanda
- Bättre reproducerbarhet för forskningsändamål
Dessa fördelar gör hBN av komponentkvalitet till ett avgörande material för forskning inom avancerad halvledar- och kvantteknik.
Tillgängliga anpassningsmöjligheter
Vi erbjuder skräddarsydda lösningar utifrån kundernas behov, bland annat:
- Val av kristallstorlek
- Kristallscreening av forskningskvalitet
- Leverans av kristaller med stor domän
- Specialanpassade förpackningsalternativ
- Stöd för materialkaraktärisering
VANLIGA FRÅGOR
Vad skiljer hBN av enhetskvalitet från vanligt bornitrid?
hBN av komponentkvalitet är en högkvalitativ enkristall som är särskilt optimerad för tillverkning av elektroniska och fotoniska komponenter och som erbjuder en betydligt lägre defektdensitet och överlägsen elektrisk prestanda.
Varför används hBN ofta tillsammans med grafen?
Dess atomärt plana och elektriskt isolerande yta minimerar laddningsspridningen och gör att grafen kan uppnå en exceptionellt hög bärarrörlighet.
Kan hBN användas inom forskningen om kvantkomponenter?
Ja. hBN är ett av de mest använda materialen inom forskning om kvanttransport, van der Waals-heterostrukturer och ny kvantteknik.
Är materialet lämpligt för peeling?
Ja. Den skiktade kristallstrukturen möjliggör mekanisk avskiljning av högkvalitativa flingor för tillverkning av komponenter och vetenskaplig forskning.
Vilka branscher använder hBN av enhetskvalitet?
Materialet används främst inom halvledarforskning, kvantdatorteknik, nanofotonik, avancerad materialvetenskap och vid universitetsforskningslaboratorier över hela världen.
Recensioner
Det finns inga recensioner än.