Monocristal de nitruro de boro hexagonal (hBN) de calidad para dispositivos, destinado a la electrónica 2D avanzada y los materiales cuánticos

El monocristal de nitruro de boro hexagonal (hBN) de grado electrónico es un material cristalino en capas de altísima calidad, diseñado para las tecnologías electrónicas, fotónicas y cuánticas de próxima generación. Fabricados mediante un proceso patentado de crecimiento de cristales a presión atmosférica, estos monocristales de escala milimétrica presentan una integridad estructural excepcional, una baja densidad de defectos y unas propiedades dieléctricas y ópticas sobresalientes.

El monocristal de nitruro de boro hexagonal (hBN) de grado electrónico es un material cristalino en capas de altísima calidad, diseñado para las tecnologías electrónicas, fotónicas y cuánticas de próxima generación. Fabricados mediante un proceso patentado de crecimiento de cristales a presión atmosférica, estos monocristales de escala milimétrica presentan una integridad estructural excepcional, una baja densidad de defectos y unas propiedades dieléctricas y ópticas sobresalientes.

Como uno de los materiales de van der Waals más importantes, el hBN constituye un sustrato y una capa de encapsulación ideales para el grafeno y otros materiales bidimensionales. Su superficie atómicamente plana, su inercia química y su amplia banda prohibida lo convierten en un elemento indispensable en la fabricación de dispositivos electrónicos de alto rendimiento y plataformas de investigación avanzadas.

Varios estudios independientes han demostrado que los dispositivos de grafeno fabricados sobre estos cristales alcanzan movilidades de portadores comparables o superiores a las obtenidas con materiales de hBN de referencia reconocidos internacionalmente.

Monocristal de nitruro de boro hexagonal (hBN) de calidad para dispositivos, destinado a la electrónica 2D avanzada y los materiales cuánticos Monocristal de nitruro de boro hexagonal (hBN) de calidad para dispositivos, destinado a la electrónica 2D avanzada y los materiales cuánticos Monocristal de nitruro de boro hexagonal (hBN) de calidad para dispositivos, destinado a la electrónica 2D avanzada y los materiales cuánticos


Características del producto

Calidad cristalina ultraalta

El material presenta anchos de línea Raman reducidos y amplias regiones de dominio único, lo que indica una excelente perfección cristalina y un número mínimo de defectos estructurales.

Sustrato ideal para materiales 2D

El hBN proporciona una interfaz atómicamente lisa y libre de contaminación, lo que reduce la dispersión de carga y mejora el transporte electrónico en el grafeno y otros materiales en capas.

Excelente aislamiento eléctrico

Con un campo de ruptura dieléctrica que se aproxima a 1,64 V/nm, el hBN se utiliza ampliamente como capa aislante de alto rendimiento en dispositivos nanoelectrónicos.

Propiedades ópticas del ultravioleta profundo

El cristal presenta una emisión intrínseca en el borde de la banda, cercana a los 215 nm, lo que lo convierte en una opción interesante para la investigación en fotónica del ultravioleta profundo y en optoelectrónica.

Dominios monocristalinos de gran superficie

Los cristales típicos presentan dimensiones laterales superiores a 1 mm y conservan amplias zonas aprovechables, adecuadas para la exfoliación y la fabricación de dispositivos.

Monocristal de nitruro de boro hexagonal (hBN) de calidad para dispositivos, destinado a la electrónica 2D avanzada y los materiales cuánticos


Especificaciones técnicas

Artículo Especificación
Material Nitruro de boro hexagonal (hBN)
Estructura cristalina Monocristal
Curso Calidad del dispositivo
Método de cultivo Técnica patentada de crecimiento a presión atmosférica
Forma cristalina Cristales a granel
Tamaño lateral típico ≥ 1 mm
Estado de la superficie Aspectos del crecimiento natural
Embalaje Portachips
Cantidad De 5 a 10 cristales por paquete

Propiedades eléctricas

Parámetro Valor típico
Resistencia a la ruptura dieléctrica 1,64 ± 0,06 V/nm

Propiedades ópticas

Parámetro Valor típico
Emisión en el borde de la banda UV ~215 nm
Rendimiento luminescente De última generación
Transparencia óptica Alta

Características del efecto Raman

Parámetro Valor típico
Ancho a media altura (FWHM) del Raman de E₂g 7,88 cm⁻¹

Rendimiento del dispositivo de referencia

Parámetro Valor típico
Movilidad del grafeno (300 K) ~80 000 cm²/V·s
Densidad de portadores 1 × 10¹² cm⁻²

Monocristal de nitruro de boro hexagonal (hBN) de calidad para dispositivos, destinado a la electrónica 2D avanzada y los materiales cuánticos


Aplicaciones

Fabricación de dispositivos de grafeno

El hBN es el sustrato y el material de encapsulación preferidos para transistores de grafeno de alta movilidad, dispositivos de Hall, sensores y estructuras de transporte cuántico.

Heterostructuras de Van der Waals

Este cristal se utiliza ampliamente en el ensamblaje de heteroestructuras en capas que incluyen grafeno, MoS₂, WS₂, WSe₂ y otros materiales bidimensionales.

Electrónica cuántica

Los investigadores utilizan hBN de calidad para dispositivos en estudios sobre sistemas de electrones correlacionados, superconductividad, materiales de efecto moiré y tecnologías de la información cuántica.

Nanofotónica

Su capacidad para albergar polaritones de fonones convierte al hBN en un material atractivo para el confinamiento óptico a nanoescala y el desarrollo de dispositivos fotónicos.

Optoelectrónica de UV profundo

Las características intrínsecas de emisión ultravioleta del hBN permiten su uso en fuentes de luz UV, detectores y sistemas ópticos avanzados.


Ventajas frente a los materiales hBN convencionales

En comparación con el nitruro de boro policristalino y los cristales de menor calidad, el hBN apto para dispositivos ofrece:

  • Dominios monocristalinos más grandes
  • Menor concentración de impurezas
  • Reducción de la densidad de defectos
  • Mayor rigidez dieléctrica
  • Mejora de la movilidad de los portadores en el grafeno
  • Rendimiento óptico superior
  • Mayor reproducibilidad para aplicaciones de investigación

Estas ventajas convierten al hBN de grado electrónico en un material fundamental para la investigación de vanguardia en tecnología de semiconductores y cuántica.


Opciones de personalización disponibles

Ofrecemos soluciones a medida en función de las necesidades de los clientes, entre las que se incluyen:

  • Selección del tamaño de los cristales
  • Cribado de cristales con fines de investigación
  • Suministro de cristales de gran dominio
  • Opciones de embalaje especializadas
  • Apoyo en la caracterización de materiales

PREGUNTAS FRECUENTES

¿En qué se diferencia el hBN de grado electrónico del nitruro de boro estándar?

El hBN de grado para dispositivos es un monocristal de alta calidad optimizado específicamente para la fabricación de dispositivos electrónicos y fotónicos, que ofrece una densidad de defectos significativamente menor y un rendimiento eléctrico superior.

¿Por qué se suele utilizar el hBN con el grafeno?

Su superficie, atómicamente plana y aislante de la electricidad, minimiza la dispersión de la carga y permite que el grafeno alcance una movilidad de portadores excepcionalmente alta.

¿Se puede utilizar el hBN en la investigación sobre dispositivos cuánticos?

Sí. El hBN es uno de los materiales más utilizados en los estudios sobre transporte cuántico, las heteroestructuras de van der Waals y las tecnologías cuánticas emergentes.

¿Es este producto adecuado para la exfoliación?

Sí. La estructura cristalina en capas permite la exfoliación mecánica de escamas de alta calidad para la fabricación de dispositivos y la investigación científica.

¿En qué sectores se utiliza el hBN de grado industrial?

Este material se utiliza principalmente en la investigación sobre semiconductores, la informática cuántica, la nanofotónica, la ciencia de los materiales avanzados y los laboratorios de investigación universitarios de todo el mundo.

Valoraciones

No hay valoraciones aún.

Sé el primero en valorar “Device-Grade Hexagonal Boron Nitride hBN Single Crystal for Advanced 2D Electronics and Quantum Materials”

Tu dirección de correo electrónico no será publicada. Los campos obligatorios están marcados con *