{"id":2357,"date":"2026-06-09T03:16:56","date_gmt":"2026-06-09T03:16:56","guid":{"rendered":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/?post_type=product&p=2357"},"modified":"2026-06-09T03:26:48","modified_gmt":"2026-06-09T03:26:48","slug":"device-grade-hexagonal-boron-nitride","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/pt\/product\/device-grade-hexagonal-boron-nitride\/","title":{"rendered":"Cristal \u00fanico de nitreto de boro hexagonal (hBN) de qualidade para dispositivos, destinado \u00e0 eletr\u00f3nica 2D avan\u00e7ada e aos materiais qu\u00e2nticos"},"content":{"rendered":"

O monocristal de nitreto de boro hexagonal (hBN) de qualidade para dispositivos \u00e9 um material cristalino em camadas de qualidade ultra-elevada, concebido para as tecnologias eletr\u00f3nicas, fot\u00f3nicas e qu\u00e2nticas de pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o. Produzidos atrav\u00e9s de um processo propriet\u00e1rio de crescimento de cristais \u00e0 press\u00e3o atmosf\u00e9rica, estes cristais \u00fanicos \u00e0 escala milim\u00e9trica apresentam uma integridade estrutural excecional, baixa densidade de defeitos e propriedades diel\u00e9tricas e \u00f3ticas not\u00e1veis.<\/p>\n

Sendo um dos materiais de van der Waals mais importantes, o hBN funciona como um substrato e uma camada de encapsulamento ideais para o grafeno e outros materiais bidimensionais. A sua superf\u00edcie atomicamente plana, a sua in\u00e9rcia qu\u00edmica e a sua ampla banda proibida tornam-no indispens\u00e1vel na fabrica\u00e7\u00e3o de dispositivos eletr\u00f3nicos de alto desempenho e de plataformas de investiga\u00e7\u00e3o avan\u00e7adas.<\/p>\n

Estudos independentes demonstraram que os dispositivos de grafeno fabricados nestes cristais atingem mobilidades de portadores compar\u00e1veis ou superiores \u00e0s obtidas com materiais de hBN de refer\u00eancia internacionalmente reconhecidos.<\/p>\n

\"Cristal \"Cristal \"Cristal<\/p>\n

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\n<\/div>\n

Carater\u00edsticas do produto<\/h2>\n

Qualidade cristalina ultra-elevada<\/h3>\n

O material apresenta larguras de linha Raman estreitas e grandes regi\u00f5es de dom\u00ednio \u00fanico, o que indica uma excelente perfei\u00e7\u00e3o cristalina e um n\u00famero m\u00ednimo de defeitos estruturais.<\/p>\n

Substrato ideal para materiais 2D<\/h3>\n

O hBN proporciona uma interface atomicamente lisa e isenta de contamina\u00e7\u00e3o, reduzindo a dispers\u00e3o de carga e melhorando o transporte eletr\u00f3nico no grafeno e noutros materiais em camadas.<\/p>\n

Excelente isolamento el\u00e9trico<\/h3>\n

Com um campo de ruptura diel\u00e9trica que se aproxima dos 1,64 V\/nm, o hBN \u00e9 amplamente utilizado como camada isolante de alto desempenho em dispositivos nanoeletr\u00f3nicos.<\/p>\n

Propriedades \u00f3ticas do ultravioleta profundo<\/h3>\n

O cristal apresenta uma emiss\u00e3o intr\u00ednseca na extremidade da banda, perto dos 215 nm, o que o torna interessante para a fot\u00f3nica no UV profundo e para a investiga\u00e7\u00e3o optoeletr\u00f3nica.<\/p>\n

Dom\u00ednios monocristalinos de grande \u00e1rea<\/h3>\n

Os cristais t\u00edpicos apresentam dimens\u00f5es laterais superiores a 1 mm e mant\u00eam grandes \u00e1reas utiliz\u00e1veis, adequadas para a exfolia\u00e7\u00e3o e a fabrica\u00e7\u00e3o de dispositivos.<\/p>\n

\"Cristal<\/p>\n

\n
\n<\/div>\n

Especifica\u00e7\u00f5es t\u00e9cnicas<\/h2>\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Item<\/th>\nEspecifica\u00e7\u00e3o<\/th>\n<\/tr>\n
Material<\/td>\nNitreto de boro hexagonal (hBN)<\/td>\n<\/tr>\n
Estrutura cristalina<\/td>\nMonocristal<\/td>\n<\/tr>\n
Nota<\/td>\nN\u00edvel do dispositivo<\/td>\n<\/tr>\n
M\u00e9todo de crescimento<\/td>\nT\u00e9cnica propriet\u00e1ria de crescimento \u00e0 press\u00e3o atmosf\u00e9rica<\/td>\n<\/tr>\n
Forma cristalina<\/td>\nCristal a granel<\/td>\n<\/tr>\n
Dimens\u00e3o lateral t\u00edpica<\/td>\n\u2265 1 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Condi\u00e7\u00e3o da superf\u00edcie<\/td>\nAspetos do crescimento natural<\/td>\n<\/tr>\n
Embalagem<\/td>\nPorta-chips<\/td>\n<\/tr>\n
Quantidade<\/td>\n5\u201310 cristais por embalagem<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Propriedades el\u00e9ctricas<\/h3>\n\n\n\n\n
Par\u00e2metro<\/td>\nValor t\u00edpico<\/td>\n<\/tr>\n
Resist\u00eancia \u00e0 ruptura diel\u00e9trica<\/td>\n1,64 \u00b1 0,06 V\/nm<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Propriedades \u00f3ticas<\/h3>\n\n\n\n\n\n\n
Par\u00e2metro<\/td>\nValor t\u00edpico<\/td>\n<\/tr>\n
Emiss\u00e3o no limite da banda UV<\/td>\n~215 nm<\/td>\n<\/tr>\n
Desempenho de luminesc\u00eancia<\/td>\nTecnologia de ponta<\/td>\n<\/tr>\n
Transpar\u00eancia \u00f3tica<\/td>\nElevado<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Caracter\u00edsticas do Raman<\/h3>\n\n\n\n\n
Par\u00e2metro<\/td>\nValor t\u00edpico<\/td>\n<\/tr>\n
Largura no meio da altura (FWHM) do Raman de E\u2082g<\/td>\n7,88 cm\u207b\u00b9<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Desempenho do dispositivo de refer\u00eancia<\/h3>\n\n\n\n\n\n
Par\u00e2metro<\/td>\nValor t\u00edpico<\/td>\n<\/tr>\n
Mobilidade do grafeno (300 K)<\/td>\n~80 000 cm\u00b2\/V\u00b7s<\/td>\n<\/tr>\n
Densidade de portadores<\/td>\n1 \u00d7 10\u00b9\u00b2 cm\u207b\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\"Cristal<\/p>\n

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\n<\/div>\n

Aplica\u00e7\u00f5es<\/h2>\n

Fabrico de dispositivos de grafeno<\/h3>\n

O hBN \u00e9 o substrato e o material de encapsulamento preferidos para trans\u00edstores de grafeno de alta mobilidade, dispositivos de Hall, sensores e estruturas de transporte qu\u00e2ntico.<\/p>\n

Heterostruturas de Van der Waals<\/h3>\n

O cristal \u00e9 amplamente utilizado na montagem de heteroestruturas em camadas que envolvem grafeno, MoS\u2082, WS\u2082, WSe\u2082 e outros materiais bidimensionais.<\/p>\n

Eletr\u00f3nica Qu\u00e2ntica<\/h3>\n

Os investigadores utilizam hBN de qualidade para dispositivos em estudos sobre sistemas de eletr\u00f5es correlacionados, supercondutividade, materiais moir\u00e9 e tecnologias de informa\u00e7\u00e3o qu\u00e2ntica.<\/p>\n

Nanofot\u00f3nica<\/h3>\n

A sua capacidade de suportar polarit\u00f5es de fon\u00f5es torna o hBN um material atraente para o confinamento \u00f3tico \u00e0 escala nanom\u00e9trica e para o desenvolvimento de dispositivos fot\u00f3nicos.<\/p>\n

Optoeletr\u00f3nica de UV profundo<\/h3>\n

As caracter\u00edsticas intr\u00ednsecas de emiss\u00e3o de luz ultravioleta do hBN permitem a sua utiliza\u00e7\u00e3o em fontes de luz UV, detetores e sistemas \u00f3ticos avan\u00e7ados.<\/p>\n

\n
\n<\/div>\n

Vantagens em rela\u00e7\u00e3o aos materiais hBN convencionais<\/h2>\n

Em compara\u00e7\u00e3o com o nitreto de boro policristalino e com cristais de qualidade inferior, o hBN de qualidade para dispositivos oferece:<\/p>\n

    \n
  • Dom\u00ednios monocristalinos de maiores dimens\u00f5es<\/li>\n
  • Menor concentra\u00e7\u00e3o de impurezas<\/li>\n
  • Densidade de defeitos reduzida<\/li>\n
  • Maior rigidez diel\u00e9trica<\/li>\n
  • Melhoria da mobilidade dos portadores no grafeno<\/li>\n
  • Desempenho \u00f3tico superior<\/li>\n
  • Maior reprodutibilidade para aplica\u00e7\u00f5es de investiga\u00e7\u00e3o<\/li>\n<\/ul>\n

    Estas vantagens tornam o hBN de qualidade para dispositivos um material essencial para a investiga\u00e7\u00e3o de ponta no dom\u00ednio dos semicondutores e da tecnologia qu\u00e2ntica.<\/p>\n

    \n
    \n<\/div>\n

    Personaliza\u00e7\u00f5es dispon\u00edveis<\/h2>\n

    Est\u00e3o dispon\u00edveis solu\u00e7\u00f5es personalizadas com base nos requisitos do cliente, incluindo:<\/p>\n

      \n
    • Sele\u00e7\u00e3o do tamanho dos cristais<\/li>\n
    • Triagem de cristais para fins de investiga\u00e7\u00e3o<\/li>\n
    • Fornecimento de cristais de grande dom\u00ednio<\/li>\n
    • Op\u00e7\u00f5es de embalagem especializadas<\/li>\n
    • Apoio \u00e0 caracteriza\u00e7\u00e3o de materiais<\/li>\n<\/ul>\n
      \n
      \n<\/div>\n

      FAQ<\/h2>\n

      O que distingue o hBN de qualidade para dispositivos do nitreto de boro padr\u00e3o?<\/h3>\n

      O hBN de qualidade para dispositivos \u00e9 um monocristal de alta qualidade especificamente otimizado para o fabrico de dispositivos eletr\u00f3nicos e fot\u00f3nicos, oferecendo uma densidade de defeitos significativamente mais baixa e um desempenho el\u00e9trico superior.<\/p>\n

      Por que \u00e9 que o hBN \u00e9 frequentemente utilizado com o grafeno?<\/h3>\n

      A sua superf\u00edcie atomicamente plana e eletricamente isolante minimiza a dispers\u00e3o de carga e permite que o grafeno atinja uma mobilidade de portadores excepcionalmente elevada.<\/p>\n

      O hBN pode ser utilizado na investiga\u00e7\u00e3o de dispositivos qu\u00e2nticos?<\/h3>\n

      Sim. O hBN \u00e9 um dos materiais mais utilizados em estudos sobre transporte qu\u00e2ntico, heteroestruturas de van der Waals e tecnologias qu\u00e2nticas emergentes.<\/p>\n

      Este material \u00e9 adequado para esfolia\u00e7\u00e3o?<\/h3>\n

      Sim. A estrutura cristalina em camadas permite a esfolia\u00e7\u00e3o mec\u00e2nica de flocos de alta qualidade para a fabrica\u00e7\u00e3o de dispositivos e para a investiga\u00e7\u00e3o cient\u00edfica.<\/p>\n

      Que setores utilizam o hBN de qualidade para dispositivos?<\/h3>\n

      Este material \u00e9 utilizado principalmente na investiga\u00e7\u00e3o sobre semicondutores, computa\u00e7\u00e3o qu\u00e2ntica, nanofot\u00f3nica, ci\u00eancia dos materiais avan\u00e7ada e em laborat\u00f3rios de investiga\u00e7\u00e3o universit\u00e1rios em todo o mundo.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

      O monocristal de nitreto de boro hexagonal (hBN) de qualidade para dispositivos \u00e9 um material cristalino em camadas de qualidade ultra-elevada, concebido para as tecnologias eletr\u00f3nicas, fot\u00f3nicas e qu\u00e2nticas de pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o. 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